カルコゲナイド材料を含む多端子電界デバイス。このデバイスは、第１の端子、第２の端子、および電界効果端子を含む。電界効果端子にゲート信号を印加することによって、第１の端子と第２の端子の間でカルコゲナイド材料中を流れる電流を変調し、かつ／または、第１の端子と第２の端子の間のカルコゲナイド材料の保持電圧または保持電流を変化する。このデバイスを回路およびネットワーク内で相互接続デバイスとして使用して、回路素子またはネットワーク素子間の電流量を調節することができる。
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【課題】 太さが数ナノメータから数十ナノメータで、長さが１マイクロメータ以上のナノワイヤを、自己組織化により効率的に、かつ、確実に製造する方法を提案すること。
【解決手段】 表面が清浄な結晶面である基板（例えば、Ｓｉの単結晶の［１００］面、または［１１０］面、または［１１１］面）を準備する基板準備過程と、ナノワイヤを作るための材料（例えば、ＥｒＣｌ₃）を上記基板の表面に付着させる（例えば、スピンココーティング法、またはレーザアブレーション法による）材料供給過程と、上記基板の上記材料が付着された表面の前に微小空間を形成する（例えば、スペーサ式微小空間形成、または凹部式微小空間形成による）微小空間形成過程と、上記微小空間が前面に形成された上記基板を真空中で所定温度に保つアニール過程とからなる、ナノワイヤの製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】 他の物質と組み合わせて、例えば、トンネル磁気抵抗素子や電界効果トランジスタ等の素子を簡単に製造することができる強磁性伝導体材料を提供する。
【解決手段】 強磁性伝導体材料は、化学式（１） Ｍ_{（Ａ−ｘ）}Ｍ´_ｘＯ_ｙ …（１）（上記ｘは、０＜ｘ≦０．８かつｘ＜Ａの範囲の数値であり、上記Ａ、ｙはＭの種類によって変化する定数であり、上記ＭがＦｅの場合Ｍ´はＭｎ、Ｚｎの少なくとも一方であり、上記ＭがＣｒの場合Ｍ´はＭｎ、Ｚｎの少なくとも一方であり、上記ＭがＴｉの場合Ｍ´はＭｎ、Ｚｎの少なくとも一方であり、上記ＭがＺｎの場合Ｍ´はＭｎである）で示される構成である。 （もっと読む）

【課題】半導体ＦＥＴデバイスの機能及び高周波性能を改善するために用いることができる、ゲート電圧バイアス供給回路素子を備えたエピタキシャル積層構造を提供する。
【解決手段】半導体電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）デバイスの性能を改善するためのゲート電圧バイアス供給回路素子を備えたエピタキシャル積層構造は、基板と、該基板上にエピタキシャルに成長したｎ型またはｐ型の第１の層の半導体膜であって、基板と第１の層膜との間にバッファ層が存在する可能性がある第１の層の半導体膜と、第１の半導体層上にエピタキシャルに成長した活性半導体層であって、活性層の導電型が第１の半導体層の導電型と反対であり、またＦＥＴを形成するのに十分なゲート、ドレイン、ソースへの電気コンタクトを備えたゲート領域及びドレイン領域及びソース領域を有する活性半導体層と、基板または第１の半導体層上の電気コンタクトと、デバイス性能を向上させるのに十分な電圧極性及び大きさで、ゲートコンタクト及び基板または第１の半導体層に電気的に接続されたゲート電圧バイアス供給回路素子と、からなる構造を利用する。
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単結晶のチタン酸ストロンチウム又はチタン酸バリウム（１０）のボディを有するＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）デバイスが提供され、ボディは、絶縁領域に隣接するドープされた半導体領域（２４）を備えている。ボディは、絶縁領域により、半導体領域から分離した、ドープされた導通領域を、さらに備えていてもよい。様々な手法でドープされた場合の単結晶チタン酸ストロンチウムの材料特性は、ＭＯＳスタックの絶縁構成部、導通構成部、及び、半導体構成部を提供するために、用いられる。有利なことに、単一のボディを用いることにより、スタック構成部の間のインターフェースレイヤの存在を回避することができ、電界効果トランジスタなどのＭＯＳデバイスの特性を改善する。
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【課題】シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物と、同ゲート構造物を製造する方法と、を提供する。
【解決手段】シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を提供する。詳しくは、広義に、第一の厚さを有する第一のシリサイド金属のシリサイド化金属ゲートと、隣接する第二の厚さを有する第二の金属のシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを含み、第二の厚さは第一の厚さより薄く、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域は少なくともシリサイド化金属ゲートを含むゲート領域の端に位置合わせした半導体構造物を提供する。さらに、シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を製造する方法も提供する。 （もっと読む）

平坦シリコン基板上に、バッファ層と高K金属酸化物誘電体が形成される。基板の平坦度は、高K金属酸化物ゲート誘電体が柱状成長することにより低下する。基板表面は、成膜の前に、水酸基終端で飽和化される。
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