本発明は、半導体本体（１）内に配置された半導体部品を記述したもので、前記半導体部品は、第１の導電型である少なくとも１つのソース領域（４）及び少なくとも１つのドレイン領域（５）を有し、ソース領域とドレイン領域の間に配置された第２の導電型である少なくとも１つの本体領域（８）を有し、絶縁層（９）により半導体本体から絶縁された少なくとも１つのゲート電極（１０）を有し、前記絶縁層（９）は好ましくは焼結された一体化量子ドット含有層である。本発明は更に、量子ドット含有誘電性懸濁液が半導体本体に塗布され、次に例えば焼結によって一体化される上記の半導体部品の作製方法を記述する。
（もっと読む）

ＩＩＩ族窒化物スイッチは、凹型のゲートコンタクトを含み、ノミナリーオフの、すなわち、エンハンスメント型のデバイスを提供する。凹型のゲートコンタクトを提供することにより、ゲート電極が不活性状態である場合には、２つのＩＩＩ族窒化物材料の界面に形成された伝導チャンネルが遮断され、デバイス中の電流の流れを防止する。ゲート電極は、ショットキコンタクト又は絶縁金属コンタクトである可能性がある。２つのゲート電極が提供され、ノミナリーオフ特性の双方向スイッチを形成することが可能である。ゲート電極と共に形成された凹部は、傾斜した側壁を持つ可能性がある。デバイスの電流伝達電極に関連して、多くの形状にてゲート電極を形成することが可能である。
（もっと読む）

窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。該デバイスは、電極規定層を包含する。電極規定層は典型的にはその内部に形成されたビアを有し、該ビア内に電極が（少なくとも部分的に）形成される。したがって、ビアは、電極の寸法を（少なくとも部分的に）規定する。いくつかの場合において、電極規定層は、窒化ガリウム材料領域上に形成された不動態化層である。 （もっと読む）

【課題】 チャネル移動度の向上を利用して性能を改善した半導体デバイス構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイス構造を製造する方法であって、基板を設けるステップと、基板上に電極を設けるステップと、電極内に開口を有するくぼみを形成するステップと、くぼみ内に細粒半導体材料を配置するステップと、開口を覆ってくぼみ内に細粒半導体材料を閉じこめるステップと、上述のステップの結果として得られる構造をアニーリングするステップと、
を含む。 （もっと読む）

半導体構造体(10)は、第1格子定数を有する第1緩和半導体材料から構成された基板を含む。半導体デバイス層(34)は基板を覆い、該半導体デバイス層は第1格子定数とは異なる第2格子定数を有する第２緩和半導体材料(22)を含む。加えて、誘電体層が基板と半導体デバイス層との間に介在され、該誘電体層は第1格子定数と第2格子定数間の遷移のため、誘電体層内に配置されたプログラムされた遷移帯を含む。該プログラムされた遷移帯は複数層を含み、該複数層の隣接する層は異なる格子定数を有し、隣接する層の1つが欠陥を形成するのに必要な第1限界厚さを超える第1厚さを有し、隣接する層の別の層が第2限界厚さを超えない第2厚さを有する。複数層の各隣接する層は、遷移帯内の欠陥を促進してプログラムされた遷移帯の縁部に移行させて終端させる境界面を形成する。また、該半導体構造を製造する方法も開示される。

（もっと読む）

半導体装置は、複数の積層された層群を有する超格子を有する。また装置は、電荷キャリアが積層された層群と平行な方向に超格子を通って輸送される領域を有する。超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。さらにエネルギーバンド調整層は、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、この層は、連接する基本半導体部分の結晶格子内に閉じ込められる。従って超格子は、平行な方向において、エネルギーバンド調整層がない場合に比べて大きな電荷キャリア移動度を有する。

（もっと読む）

半導体構造体を作製する方法は、基板上に酸化物層を形成する段階と、酸化物層上に窒化ケイ素層を形成する段階と、各層をＮＯ中でアニールする段階と、各層をアンモニア中でアニールする段階とを含む。酸化物層と窒化ケイ素層とを併せた等価酸化膜厚は、最大２５オングストロームである。 （もっと読む）

半導体装置は、基板と、該基板に隣接する少なくとも一つのMOSFETとを有する。MOSFETは、超格子チャンネルを有し、該超格子チャンネルは、複数の積層された層群を有する。またMOSFETは、超格子チャンネルと水平方向に隣接するソースおよびドレイン領域と、超格子上に設置されたゲートと、を有し、超格子チャンネルを通って、積層された層群と平行な方向に電荷キャリアの輸送が生じる。超格子チャンネルの各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。エネルギーバンド調整層は、基本半導体部分に隣接する結晶格子内に取り込まれた、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、超格子チャンネルは、平行な方向において、エネルギーバンド調整層がない場合に比べて大きな電荷キャリア移動度を有する。

（もっと読む）

半導体装置は、複数の積層された層群を有する超格子を有する。超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。さらにエネルギーバンド調整層は、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、この層は、連接する基本半導体部分の結晶格子内に閉じ込められる。従って超格子は、平行な方向において、エネルギーバンド調整層がない場合に比べて大きな電荷キャリア移動度を有する。
（もっと読む）

量子井戸構造体（４）を備える多重層構造体（３）を基板（２）上に得るための半導体デバイス（１）及び方法が開示されている。量子井戸構造体（４）は、絶縁物質（６、６’）によって挟まれる半導体層（５）を有し、絶縁物質（６、６’）の物質は好ましくは、高誘電率を有する。ＦＥＴにおいて、量子井戸（４、９）はチャネルとして機能し、より高い駆動電流及びより低いオフ電流が可能になる。短チャネル効果が低減される。多重チャネルＦＥＴは、サブ35nmゲート長に対してさえも動作するのに適している。本方法において、量子井戸は、好ましくはＭＢＥを用いて、半導体物質及び高誘電率物質のエピタキシャル成長によって互いの上に交互に形成される。

（もっと読む）