Fターム[5F140BB02]の内容
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | チャネル構造 (2,673) | チャネル形状、配置 (1,483) | 基板表面に平行でないチャネル (901)
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段差部に形成されたもの (818)
Fターム[5F140BB02]に分類される特許
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変形可能なゲートをもつMOSトランジスタ
【課題】本発明の目的は、ゲートの動きをより精細に検出できる変形可能なゲートをもつMOSトランジスタを提供することである。
【解決手段】半導体基板に形成された変形可能なゲートをもつMOSトランジスタは、ソースからドレインへの第一の方向及びその第一の方向に対して垂直な第二の方向へ向かって伸びるチャネルエリアにより分けられたソース及びドレインエリアと、チャネルエリアの両側の基板の上に設けられたベアリングポイントの間で第二の方向へ向かって伸びるチャネルエリアの少なくとも上部に設けられた導電ゲートの梁とを含み、そのチャネルエリアでは、チャネルエリアの表面がくぼんでおり、前記梁がチャネルエリアに対して最大のたわみを有するとき、ゲートの梁の形と同様の形をチャネルエリアの表面が有する。
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メモリデバイス、トランジスタ、メモリセル並びにそれらの製造方法
メモリデバイスはメモリセルのアレイと周辺デバイスを含んでいる。少なくとも一部の個別メモリセルはSiCを含む炭酸化部分を含んでいる。少なくとも一部の周辺デバイスは炭酸化部分を含まない。トランジスタは第1ソース/ドレーン、第2ソース/ドレーン、第1ソース/ドレーンと第2ソース/ドレーンとの間にSiCを含む半導体基板の炭酸化部分を含んだチャンネル、及びチャンネルの両側と作動式に関係するゲートを含んでいる。 (もっと読む)
半導体装置及び半導体装置の製造方法
ソース/ドレイン領域の少なくともその幅が最も大きい部分では半導体領域の幅よりも大きく、かつソース/ドレイン領域の最上部側から基体側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜が形成されていることを特徴とする半導体装置とする。
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