【課題】埋設導通層を備えた低オン抵抗値の横方向高電圧電界効果トランジスタ（ＨＶＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板に形成されたＮ型ウエル内にＰ型埋設層領域を設け、これをＮ型ウエル領域に形成された第１のＰ型ドレイン拡散領域によってドレイン電極に接続すると共に、ＰＭＯＳゲート領域の一端で表面から下方に延びる第２のＰ型ドレイン拡散領域にも接続し、ソース電極に接続されるＰ型ソース拡散領域でゲート領域の他端を定める。 （もっと読む）

半導体（２０）の周囲に下方のフィールド・プレート（３２）及び任意選択の横のフィールド・プレート（３４）を有する半導体装置が形成され、この場合、たとえば、パワーＦＥＴ又は他のトランジスタ或いはダイオード・タイプなどの装置が形成される。半導体装置は、絶縁側壁を有するトレンチを形成し、つながっているトレンチの底部にキャビティ（２６）をエッチングし、次いで、トレンチを導体（３０）で充填することによって製造される。
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電界効果電子デバイス（１００，６００）（例えばＶＤＭＯＳ等のＦＥＴ）は、誘電体層（１０４，６０８）に隣接して配置されたフィールドプレート（１０５，６０７）を有しており、当該フィールドプレートは、半導体層（１０３，６０２）に隣接して配置されている。この場合、デバイスのドリフト領域は半導体層中にある。ドーピングレベルはドリフト領域に亘って略非線形的に変化し、デバイスは略一定の低減された表面電界を示す。電界効果デバイスの製造方法は、デバイスの半導体層のドリフト領域に非線形で不均一なドーピング密度を与えることを含んでいる。この場合、半導体層及び誘電体層の両方が一定でない厚さを有している。誘電体層は、ｌｏｗ−ｋ誘電材料によって形成され得る。
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電源制御装置システム（２５）は、電源制御装置システム（２５）のスタートアップ動作を制御するために２つの別個の電流を使用する。２つの電流は、電源制御装置システム（２５）の動作を抑止するために接地に分流され、２つの電流のうちの１つは電力消散を最小限にするためにディセーブルにされる。２つの独立した制御電流は、２つの別個の制御信号（２３、２４）に応答して、マルチ出力電流高電圧装置（１２）によって生成される。
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縦方向、横方向に交互に配置されたソース領域（２２）、ソースボディ領域（２６）、ドリフト領域（２０）、ドレインボディ領域（２８）、およびドレイン領域（２４）をそれぞれ有するセル（１８）を、減表面電界を達成するための構造とともに有する、電界効果トランジスタである。実施形態における構造は、ソースまたはドレイン領域（２２、２４）近傍にゲート領域（３１）を定義する縦方向に離間された絶縁ゲートトレンチ（３５）と、ドリフト領域（２０）近傍に縦方向に延在する電位プレート領域（３３）と、を含むことができる。代替的に、別個の電位プレート領域（３３）または縦方向に延在する半絶縁フィールドプレート（５０）をドリフト領域（２０）近傍に設けてもよい。このトランジスタは、双方向切り替えに適している。
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半導体装置、例えば、ｐｎ接合（１０１）を有するダイオード（２００）がこのｐｎ接合の近傍に、そして、これを跨ぐこともある絶縁材料の電界形成領域（２０１）を有する。電界形成領域（２０１）は好ましくは高誘電率を有し、容量性電圧結合領域（２０４，２０５）を介してｐｎ接合に印加されるのとほぼ同じ電圧に結合される。ｐｎ接合（１０１）間に逆電圧が印加され且つ装置が非道通時に、電界形成領域（２０１）が存在しない場合に存在しうるｐｎ接合空乏領域の限界を超えて延びる電界形成領域の一部分に容量性電界が存在し、電界形成領域内の電界が拡張された電界を誘起し、この拡張された電界は対応して拡張されたｐｎ接合空乏領域（２０８，２０９）までとされ、装置の逆絶縁破壊電圧を増加させる。
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