【課題】基板に生じるクラックの発生を防止した薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成方法は、基板を準備する基板準備工程と、基板上に第１薄膜を形成する第１薄膜形成工程と、第１薄膜に対して光線を相対走査して照射することにより、第１薄膜を結晶化する結晶化工程と、結晶化工程において第１薄膜に生じる熱の基板への伝導量を低下させる緩和層を、結晶化工程の前に、基板の端部領域及び基板を切断する際に切断線が通る領域の少なくとも一方を含む領域に形成する緩和層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域３０８と、前記島状の半導体領域３０８の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜３１０と、前記ゲート絶縁膜３１０を介して前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板とシリコン層との間に電極形成用金属膜が設けられてなるボトムゲート型のシリコン複合体を、短時間で、クラックや反りの発生を小さく抑制しながら、アモルファスシリコンを結晶化させてシリコン層を結晶シリコンよりなるものに変質させることができるアモルファスシリコンの結晶化方法の提供。
【解決手段】 アモルファスシリコンの結晶化方法は、基板上にアモルファスシリコンによるシリコン層が形成され、当該基板とシリコン層との間に電極形成用金属膜が形成されてなるシリコン複合体を雰囲気加熱してシリコン層を結晶化度が３０〜７５％である結晶シリコンからなるものに変質させる予備加熱工程と、予備加熱工程を経たシリコン複合体のシリコン層に対してフラッシュランプからの光を照射して当該シリコン層を結晶化度が８０％以上である結晶シリコンからなるものに変質させる光照射加熱工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】特別な装置或いは部材を新たに設けることなく、再アニールによる基板のクラック発生を防止するレーザーアニール装置を提供する。
【解決手段】レーザーアニール装置は、基板を載置するステージと、レーザー光を発振するレーザーヘッドと、発振されたレーザー光を基板の半導体層の上面に対して概ね垂直な主光軸に沿って集光させるｆθレンズとを備え、ステージには載置された基板の半導体層の平均膜厚に対して所定量だけ異なる膜厚を有して半導体層の端部に所定の幅を有して延在する領域に相当する部分に所定の断面形状を有する凹部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを防止可能な構造を備えたことにより長期的な強度および特性の確保が可能な薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３上に成膜されたゲート絶縁膜７と、ゲート絶縁膜７上にパターン形成された半導体薄膜９とを備えた薄膜トランジスタ基板１において、ゲート絶縁膜７における半導体薄膜９の外側となる位置には、溝パターン１０１が設けられている。ゲート絶縁膜７は、窒化シリコン膜７ａとその上部の酸化シリコン膜７ｂとの積層構造からなり、溝パターン１０１は、窒化シリコン膜７ａに形成されている。基板３はガラス材料からなる。 （もっと読む）

【課題】より微細な気泡によって気泡層を形成することが可能で、これによりＴＡＴおよび歩留まりの向上を図ることが可能な薄膜半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１の全面において深さを一定に制御してイオンＩを注入するイオン注入工程と、半導体基板１の加熱により半導体基板１に注入したイオンを気化させて気泡層７を形成する気泡層形成工程と、半導体基板１に絶縁性基板１１を張り合わせる張り合わせ工程と、気泡層７を劈開面１５として半導体基板１を劈開し、絶縁性基板１１側に半導体基板１を劈開させた半導体薄膜１ａを設ける劈開工程とを行う。特に気泡層形成工程においては、半導体基板１を１０００℃〜１２００℃の温度で１０μ秒〜１００ｍ秒間加熱する。このような加熱は、例えば光ビームｈνのようなエネルギービームの照射によって行う。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化すると共に、表層部にらせん転位が存在することを抑制することができるＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなり、主表面および当該主表面の反対面である裏面を備え、らせん転位１を表層部２ａに含む欠陥含有基板２を用意する工程と、欠陥含有基板２のうち主表面に外力を印加することにより表層部２ａの結晶性を低下させる第１外力印加工程と、外力印加工程の後、欠陥含有基板２を熱処理することにより表層部２ａの結晶性を回復させる第１熱処理工程と、を含む製造方法とする。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板の１つの領域において、少なくとも１つのプロセス性能パラメータが決定される１つのプロセスステップまたは一連のプロセスステップに、半導体基板を暴露するステップと、レーザ照射パラメータを有するレーザをその領域に照射するステップとを含む半導体デバイスを製造する方法であって、照射パラメータは少なくとも１つのプロセス性能パラメータに基づいて決定されることを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

【課題】工程の生産性を向上させることができる多結晶シリコン形成装置を開示する。
【解決手段】本発明に係る装置は、基板上に形成した非晶質シリコンを熱処理して多結晶シリコンを形成する装置であって、非晶質シリコンを予熱する予熱部２００と、予熱部２００で予熱された非晶質シリコンを結晶化熱処理する熱処理部３００とを備えていることを特徴とする。予熱部２００での基板の予熱は、基板が基板ホルダから離間した状態で行われ、熱処理部３００での基板の熱処理は、基板が基板ホルダ上に載置した状態で行われる。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、絶縁表面上に所定の間隔を隔てて互いに平行に配列された複数の短冊状の半導体膜と、前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面を覆うゲート電極を有する半導体装置である。半導体膜の上部及び側部をチャネル形成領域とすることで、電流駆動能力を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜への不純物の拡散を抑えつつ、歩留まりの低下を抑えることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化させることで、酸化膜が形成された半導体基板を形成する。そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。そして、窒素原子を含む絶縁膜とガラス基板を接合させた後、半導体基板を分離することで、ガラス基板上に窒素原子を含む絶縁膜、酸化膜、薄膜の半導体膜が順に積層されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】平坦性を確保しつつ、結晶性の高い半導体膜を有する、ＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】分離により絶縁膜上に単結晶の半導体膜を形成した後、該半導体膜の表面に存在する自然酸化膜を除去し、半導体膜に対して第１のレーザ光の照射を行う。第１のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を７以上、より好ましくは１０以上１００以下とする。そして、第１のレーザ光の照射を行った後、半導体膜に対して第２のレーザ光の照射を行う。第２のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を０より大きく２以下とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上の非晶質シリコン層のレーザアニール時に基板面に生じる脹れ発生を防止する。
【解決手段】ガラス基板５０を予熱し、その基板上に非結晶シリコン先駆層を一次温度で堆積させ、熱処理チャンバ５２，５４，５６，５８内において基板を一次温度よりも十分に高い二次温度でアニーリングして先駆層内における水素濃度を実質的に減少させることによってガラス基板５０上に薄膜層を形成できる。予熱するステップと、アニーリングするステップは同じ熱処理チャンバ５２，５４，５６，５８の内部で実施することができる。次いで、先駆層はレーザアニーリングによって多結晶シリコン層に変換する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】特定方向の基板反りを抑制できる半導体装置基板の製造方法を実現する。
【解決手段】ガラス基板１１の裏面に、ストライプ形状にパターニングされた応力制御層５１を形成する。応力制御層５１の形成後に、ガラス基板１１のおもて面にＣＬＣ技術を用いて多結晶シリコン膜を形成する。応力制御層５１のストライプの長手方向は、ＣＬＣ技術において使用される連続波レーザの走査方向と垂直な方向に一致させる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタを形成する領域のみ、アモルファスシリコン薄膜を結晶化させることができるレーザー結晶化法を提供する。
【解決手段】 基板１上に成膜したアモルファスシリコン薄膜２にレーザー光を照射して結晶化する結晶化法であって、アモルファスシリコン薄膜２の所望の局所領域に吸収剤層３を印刷する吸収剤印刷工程と、吸収剤層３への吸収があってアモルファスシリコン薄膜２への吸収が無い波長を有する半導体レーザー光Ｌを、前記局所領域を含むアモルファスシリコン薄膜４に向けて照射し、吸収剤層３を加熱することにより、アモルファスシリコン薄膜２の前記局所領域を結晶化させるレーザーアニール工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体膜が分離された後の分離ボンド基板を、ＳＯＩ基板作製に用いることが可能な再生ボンド基板に再生する際に、分離ボンド基板の研磨工程を削減する方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ＳＯＩ基板の作製工程と分離ボンド基板の再生処理工程からなるサイクルにおいて、エッジロールオフなどで基板周辺部の厚さが中央部より薄いボンド基板を用いてＳＯＩ基板を作製し、再生処理工程において低い研磨レートのＣＭＰ法による研磨で分離ボンド基板を、基板周辺部に凸部が形成された再生ボンド基板に再生する。凸部の高さは基板の中央部より低いので、再生ボンド基板を再びボンド基板として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストでかつ処理時間を短縮しつつ充分な固相成長を得られる基板用熱処理装置を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン膜Ａを形成したガラス基板15を湾曲させた状態で保持可能な基板保持手段16を設ける。基板保持手段16により湾曲させた状態で保持したガラス基板15を加熱する熱処理手段17を設ける。ガラス基板15の湾曲によりアモルファスシリコン膜Ａに膜応力を発生させ、膜応力を駆動力として固相成長を促進させて、低コストでかつ処理時間を短縮しつつ充分な固相成長を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】遮光層を有する構成でも、遮光層を有していない構成に対して液晶装置の製造工数や製造コストの上昇を抑えることができる半導体膜の形成方法および液晶装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体膜４０の形成方法は、基板１１上に、断面形状が台形状の遮光層２１ａを局所的に形成する遮光層形成工程と、遮光層２１ａを覆って、遮光層２１ａに重なる段差部２２ａを備えた絶縁層２２を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層２２上に、段差部２２ａを覆う非晶質の半導体膜４０を形成する半導体膜形成工程と、半導体膜４０をアニールして結晶化させる結晶化工程と、を備え、遮光層形成工程では、遮光層２１ａにおける上底側の角部Ｃ１，Ｃ２が直角または鈍角をなして角張るように形成し、絶縁層形成工程では、絶縁層２２の段差部２２ａにおける表面が角部Ｃ１，Ｃ２の形状に沿った形状となるように形成することを特徴とする。 （もっと読む）