【課題】本発明は、非晶質シリコン膜をレーザアニール処理で結晶化する場合に、非晶質シリコン膜の高さに依存しないレーザアニール処理を可能にする。
【解決手段】「被照射物の高さに対して基準値を設定」し、「被照射物の高さを測定」し、「基準データとの比較・演算」を行って被照射物の膜厚を得て、その膜厚に対応したレーザ光を駆動する「レーザ発振の電流（電圧）のデータベース作成」し、アニールを開始する「原点に戻り、被照射物の高さ測定と同時にラインアニール」行い、「アニール終了と同時に照射後の照射むら画像取得および画像処理」してアニール状態を評価し、その評価に基づいてレーザ光のエネルギー補正量の「最適条件と比較、次ラインのアニール処理の補正値を求める」ことを順に行い、以下、前記「基準データとの比較・演算」以下を所定回数繰り返し行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度を向上させるために最適なチャネル方向を有し、かつ好ましいレイアウトで形成することのできるｎ型とｐ型のＦｉｎＦＥＴを形成可能な半導体基板、それらのＦｉｎＦＥＴを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体基板は、第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域上に前記第１の半導体領域と略等しい結晶から形成され、表面に垂直な方向を軸にして所定の角度だけ前記第１の半導体領域と単位格子の結晶軸の方向がずれている第２の半導体領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】特性が均一な微結晶半導体を有する半導体装置を効率良く提供することを課題とする。また、高品質な電子機器を効率良く提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、半導体層が完全溶融する光強度のパルスレーザー光を照射することにより、微結晶半導体領域を形成する。これにより、特性が均一な微結晶半導体領域を有する半導体装置を作製することができ、また、これを用いて、高品質な電子機器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板上にオーミック電極を形成する際に、金属と炭化珪素との合金化熱処理を不要にする。
【解決手段】六方晶単結晶の炭化珪素基板１１の（０００１）面にリン（Ｐ）をイオン注入することで、その部分をアモルファス層１２にする。次に、熱処理することで、アモルファス層１２を立方晶単結晶のｎ型炭化珪素１３に再結晶化させる。次に、そのｎ型炭化珪素１３の上面にニッケル（Ｎｉ）を蒸着することで、電極１４を形成する。炭化珪素１３と電極１４との間に形成されるショットキー障壁の高さが低くなり、合金化熱処理を用いることなく、電極１４と炭化珪素１３との間にオーミックコンタクトが実現される。 （もっと読む）

【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜を能動層として用いる半導体装置の製造方法であって、低圧化学気相堆積法で堆積温度が４３０℃未満且つ堆積速度が０．５ｎｍ／ｍｉｎ以上の状態で、高次シランを含む原料気体を用いて非晶質半導体膜を堆積する工程と、前記非晶質半導体膜を固相にて結晶化させ結晶性半導体膜を形成する工程と、前記結晶性半導体膜の一部を溶融させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フローティングゲートを有する記憶素子の信頼性が低下を抑制することを解決することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に、チャンネル形成領域と高濃度不純物領域を有する島状半導体膜と、前記島状半導体膜上に、トンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に、フローティングゲートと、前記フローティングゲート上に、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に、コントロールゲートと、前記トンネル絶縁膜と前記フローティングゲートとの間に、第１の絶縁膜とを有し、前記第１の絶縁膜は、前記フローティングゲートの材料の酸化膜で形成されており、前記フローティングゲートの材料が、前記トンネル絶縁膜に拡散するのを防ぐ半導体装置に関するものである。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製時に発生する金属汚染の影響を抑える。
【解決手段】半導体基板に水素イオンを照射し損傷領域を形成した後、ベース基板と半導体基板を接合させる。加熱処理を行って、半導体基板を劈開させＳＯＩ基板を作製する。ＳＯＩ基板の半導体層上に、Ａｒなど第１８族元素を含んだ半導体でなるゲッタリングサイト層を形成する。加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト層にゲッタリングさせる。エッチングにより、ゲッタリングサイト層を除去することで、半導体層の薄膜化を行う。 （もっと読む）

本発明は、結晶表面を有する結晶ベース基板の上に結晶ゲルマニウム層を形成する方法を提供する。この方法は、ベース基板を洗浄して表面から汚染物および／または自然酸化物を除去する工程と、水素プラズマ、Ｈ_２フラックス、またはＧｅＨ_４の分解で得られる水素のような水素源および／またはＮ_２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、またはそれらの混合物のような非反応性ガス源にベース基板を露出させながら、ベース基板の表面上にアモルファスゲルマニウム層を形成する工程と、ベース基板をアニールしてアモルファスゲルマニウム層を結晶化して、結晶ゲルマニウム層を形成する工程と、を含む。また、この方法は、本発明の具体例にかかる方法を用いて光起電セルまたは光分解セルを形成する方法、またはＣＭＯＳデバイスを形成する方法、および本発明の具体例にかかる方法で形成した結晶ゲルマニウム層を含む基板を提供する。
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【課題】Ｓ値が小さくオン電流の低下が抑えられた応答性のよい半導体装置を作製する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域の膜厚がチャネル形成領域の膜厚よりも厚い半導体層を形成する。このような半導体層を用いた半導体装置の作製方法としては、基板上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に第１の絶縁層と導電層とを形成し、導電層の側面に第２の絶縁層を形成し、第１の絶縁層と導電層と第２の絶縁層の上に第２の半導体層を形成し、部分的に設けたレジストをマスクとして第２の半導体層をエッチングし、第１の半導体層と第２の半導体層とを加熱処理することにより、凹凸形状を有する半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細構造のトランジスタにおいて、ゲート電極及び半導体層へダメージを与えることなく、レーザアニールを行う。
【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体膜の、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域上に、第１の層間絶縁膜を形成し、ゲート電極上に第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を形成する。第１の層間絶縁膜は、一対の不純物領域に照射される特定波長領域の光の反射率を減少させる光学膜厚で成膜され、第２の層間絶縁膜は、ゲート電極に照射される、特定波長領域の光の反射率を増大させる光学膜厚で成膜されている。 （もっと読む）

【課題】水素イオン注入法により、ベース基板がガラス基板のような耐熱性の低い基板でなり、表面の平坦性が高く、１００ｎｍ以下の薄い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】接合層を介して半導体基板とベース基板を貼り付ける。加熱処理を行い、半導体基板を分割することで、半導体基板から分離された半導体層が固定されたベース基板を得ることができる。この半導体層にレーザ光を照射し、溶融させることで、半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつその結晶性を回復させる。レーザ光の照射の後、半導体層をエッチングなどにより薄くする。以上の工程を経ることで、ベース基板上に厚さ１００ｎｍ以下の単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】大粒径に結晶化を可能にする光吸収性キャップ膜の形成方法、半導体膜の結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の１態様による光吸収性キャップ膜の形成方法は、レーザー結晶化のための蓄熱効果を有する酸素欠損を含む光吸収性酸化シリコン膜からなる光吸収性キャップ膜の形成方法であって、二酸化シリコンターゲットを用い、酸素分圧雰囲気中で反応性スパッタリングを行って半導体膜の上方に前記酸素欠損を含む光吸収性酸化シリコン膜を形成する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を分割し、かつ当該半導体基板から分離した半導体層をガラス基板など耐熱温度が低い基板に接合させることで、ＳＯＩ基板を作製する。また、分離後の半導体基板の再生処理を行う。
【解決手段】ガラス基板などのベース基板に、単結晶半導体層を接合するために、接合層に、有機シランを原材料としてＣＶＤ法で成膜した酸化シリコン膜を用いる。ガラス基板等の耐熱温度が７００℃以下の基板であっても接合部の結合力が強固なＳＯＩ基板を形成することができる。また、半導体層が分離された単結晶半導体基板にレーザ光を照射して、当該半導体層の分離面を平坦化することで、再利用を可能とする。 （もっと読む）

本発明は、ハイブリッド基板の製造方法に関するものであり、このハイブリッド基板は、支持体基板（４０）と、連続的埋込み絶縁体層（４２）と、この層上の、第１の材料（２６）および少なくとも１種類の第２の材料（３２）からなる交互の領域を含むハイブリッド層（２６’）とを備えており、これらの２つの材料は、その性質および／またはその結晶特性において異なり、前記方法は、均質な基板（２２）上に第１および第２の材料からなる交互の領域を含むハイブリッド層（２６）を形成するステップと、このハイブリッド層、連続的絶縁体層（４２）、および支持体基板（４０）を組み立てるステップと、この組立てステップの前または後に均質な基板（４０）の少なくとも一部を除去するステップとを含む。
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【課題】制御性が良好でありながらも、より簡便な手順で低コスト化された薄膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】基板１上にゲート電極１１を覆う状態でゲート絶縁膜１３を成膜し、さらに非晶質シリコン膜（半導体薄膜）１５を成膜する。この上部にバッファ層１７を介して光吸収層１９を成膜する。光吸収層１９に対して、半導体レーザのような連続発振レーザからエネルギー線Ｌｈを照射する。これにより、光吸収層Ｌｈの表面側のみ酸化させつつ、光吸収層１９においてエネルギー線Ｌｈの熱変換によって発生させた熱と酸化の反応熱とにより非晶質シリコン膜１５を結晶化させた美結晶シリコン膜１５ａとする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の結晶性を良好にして、漏れ電流の減少とオン電圧の低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部５を有する酸化膜４上にｎ^＋エピタキシャル成長層９を形成した後で、レーザアニールして結晶欠陥を消滅させたｎ^＋エピタキシャル成長層９とし、このｎ^＋エピタキシャル成長層９にｎ^＋バッファ層（ｎ^＋エピタキシャル成長層９の一部）やｐ^＋ベース層１３およびｎ^＋＋エミッタ層１４（ソース層）を形成して半導体装置（ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなど）を製作することで、漏れ電流とオン電圧（オン抵抗）の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を用いた絶縁膜を低温プロセスで結晶化することが可能で、これによりガラス基板やプラスチック基板上に特性の向上が図られた素子を設けることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、金属酸化膜１５と非晶質シリコン膜１９との積層体を成膜形成する。積層体の上部に光吸収層２３を形成する。光吸収層２３で吸収される波長のエネルギー線Ｌｈを光吸収層２３に対して照射し、光吸収層２３で発生させた熱により非晶質シリコン膜１９と金属酸化膜１５とを同時に結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】銅めっきをアンテナに用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止し、また、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、アンテナと集積回路の接続不良に伴う半導体装置の不良を防止する装置を提供する。
【解決手段】半導体装置によると、同一の基板１０２上に集積回路１００とアンテナ１０１とが一体形成された半導体装置において、銅めっき層１０８をアンテナ１０１の導体に用いた場合に、アンテナ１０１の下地層１０７に所定の金属の窒化膜を用いているので銅の回路素子への拡散を防ぎ、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を低減できる。また、アンテナの下地層の金属の窒化物の一つにニッケルの窒化物を用いることで、アンテナと集積回路の接続不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ（半導体装置）の特性を向上させる。特に、低温プロセスに有望なＴＦＴ構成を提供する。
【解決手段】基板（１）と、基板上に形成された第１の半導体膜（３）と、第１の半導体膜上に形成された絶縁膜（１３、１６）と、絶縁膜上に形成された第２の半導体膜（２０３）と、絶縁膜に囲まれ、第１の半導体膜と第２の半導体膜とに接する電極（Ｐ２）と、を含む半導体装置の、電極（Ｐ２）の第２の半導体膜（２０３）に接する部分を金属窒化物（１７）とする。このように電極の第２の半導体膜に接する部分に金属窒化物を設けたので、第２の半導体膜中への電極を構成する材料の拡散や、電極材料と半導体膜との不所望な反応を防止することができる。よって、半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 歩留まり良く、大結晶粒アレイ半導体薄膜を作製できる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、レーザ結晶化用基板、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 基板に非単結晶半導体膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜上に結晶化用レーザ光の一部を吸収する光吸収性膜を形成する工程と、前記光吸収性膜の表面において、連続する周期的な光強度分布を形成する前記結晶化用レーザ光を照射する工程と、を有する結晶化方法であって、前記光吸収性膜の前記結晶化用レーザ光の吸収率をＡcap、前記非単結晶半導体膜の前記結晶化用レーザ光の吸収率をＡsi、前記吸収率Ａcapと前記吸収率Ａsiとで定義される光吸収比率をｒ＝Ａcap/(Ａcap＋Ａsi)としたときに、前記光吸収比率ｒを所望する結晶粒長を得る値に選択した光吸収性膜にする。 （もっと読む）