【課題】半導体基板の主面に形成した溝部表面へのイオン注入量やイオン注入深さのバラつきを抑え、イオンが注入されたドーパンド領域を活性化して、厚み、イオンドープ量、活性化状態がほぼ均一なドーパンド層を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面に溝部を形成し、該溝部を形成した半導体基板の主面側にイオンを注入した後、イオンが注入されたドーパンド領域にレーザを照射してアニール処理を行う半導体装置の製造方法であって、前記ドーパンド領域にイオンを注入する前に、前記溝部の側面にレーザを照射して、該溝部の側面の表面段差を平滑化する。 （もっと読む）

【課題】ソース領域に３Ｃ−ＳｉＣ構造のＳｉＣを用いて低い寄生抵抗を実現し、高い性能を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第１のｎ型炭化珪素層と、第１のｎ型炭化珪素層よりもｎ型不物濃度の低い第２のｎ型炭化珪素層を有する半導体基板と、第２のｎ型炭化珪素層に形成される第１のｐ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層に形成される４Ｈ−ＳｉＣ構造の第１のｎ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層に形成され、第１のｎ型不純物領域よりも深さの浅い３Ｃ−ＳｉＣ構造の第２のｎ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層、第１のｐ型不純物領域、第１のｎ型不純物領域の表面にまたがるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、第１のｎ型不純物領域上に形成され、底面部と側面部を備え、少なくとも側面部で第１のｎ型不純物領域との間に第２のｎ型不純物領域を挟む金属シリサイド層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域３０８と、前記島状の半導体領域３０８の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜３１０と、前記ゲート絶縁膜３１０を介して前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の安定した酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供すること。また、結晶性の高い酸化物半導体膜を用いることにより、移動度の向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】表面粗さの低減された絶縁膜上に接して、結晶性を有する酸化物半導体膜を形成することにより、電気的特性の安定した酸化物半導体膜を形成することができる。これにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。さらに、移動度の向上した半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能でかつばらつきの少ないナノワイヤトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜上に設けられ、第１領域と第１領域よりも幅の広い第２および第３領域とを有しこれらの第２および第３領域の少なくとも一方が第１領域に接続するように構成された第１半導体層と、第１半導体層の上面に設けられるマスクと、を形成する工程と、マスクを用いて、前記第１半導体層の第１領域の側面にイオン注入を行う第１イオン注入を行う工程と、イオン注入を行った後に、第１熱処理を行う工程と、マスクを除去した後、第１半導体層の前記第１領域の少なくとも側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の、第２および第３領域側の側面に絶縁体のゲート側壁を形成する工程と、少なくとも第１半導体層の第２および第３領域に第２イオン注入を行う工程と、とを備えている。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン膜などの半導体膜が、支持基板から剥がれることを防止するＳＯＩ基板の作製方法を提供する。また、当該方法を用いることで、ＳＯＩ基板作製における歩留まりを向上させ、生産コストを削減する。
【解決手段】半導体基板に絶縁膜を形成し、加速されたイオンを半導体基板に照射することにより、半導体基板中に脆化領域を形成し、半導体基板と支持基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において、半導体基板を分離して、支持基板上に絶縁膜を介して半導体膜を形成し、半導体膜上にマスクを形成し、半導体膜の一部及び絶縁膜の一部をエッチングすることにより、半導体膜の周端部が、絶縁膜の周端部の内側に位置するように、半導体膜及び絶縁膜を形成する、ＳＯＩ基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない半導体層を得ること、及び信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】半導体基板中に、Ｈ_２Ｏ^＋が水素イオン（Ｈ_３^＋）に対して３％以下、好ましくは０．３％以下であるイオンビームを照射することにより、前記半導体基板中に脆化領域を形成し、前記半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、前記半導体基板及び前記ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた前記半導体基板及び前記ベース基板を加熱し、前記脆化領域において分離させることにより、前記ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製に関する。 （もっと読む）

【課題】照射された水素イオンの単結晶半導体基板からの脱離を抑制する。
【解決手段】半導体基板中に炭素イオンを照射し、当該炭素イオンが照射された半導体基板中に、水素イオンを照射することにより、当該半導体基板中に脆化領域を形成し、当該半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、当該半導体基板及び当該ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた当該半導体基板及び当該ベース基板を加熱し、当該脆化領域において分離させることにより、当該ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製に関する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の均一な半導体層を有するＳＯＩ基板を得る。
【解決手段】半導体基板の第１の面を研磨して、当該第１の面を平坦化し、当該半導体基板の当該第１の面と反対側の面である第２の面にイオンを照射することにより、当該半導体基板中に脆化領域を形成し、当該半導体基板の第２の面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、当該半導体基板及び当該ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた当該半導体基板及び当該ベース基板を加熱し、当該脆化領域において分離させることにより、当該ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製に関する。当該ＳＯＩ基板の作製においては、当該半導体層の膜厚の標準偏差をσとし、３σが１．５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でニッケル含有シリサイドを形成する。
【解決手段】シリコン基板を用いた場合であって、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ゲート電極側面のサイドウォールを形成し、不純物イオンをドープしてソース領域及びドレイン領域を形成し、表面酸化膜を除去し、シリコン基板を４５０℃以上に加熱しながら、ニッケル含有膜を１０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成することにより、ソース領域、ドレイン領域、及びゲート電極上にニッケル含有シリサイドを形成することができる。その後、未反応のニッケルを除去する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体積層体に含まれるチャネル層下の化合物半導体層を不純物ドーピングでｐ型化することなく、その半導体積層体を含むＨＦＥＴのリーク電流の低減や耐電圧の向上などを可能とする。
【解決手段】半導体積層体は、基板（１１）上において順次堆積された第１、第２および第３の化合物半導体層（１３、１４、１５）を少なくとも含み、その第１化合物半導体層（１３）の少なくとも部分的層（１６）は非晶質に改質されており、第２化合物半導体層（１４）は第１化合物半導体層（１３）に比べて小さなバンドギャップを有して光吸収層として作用し得る。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防止することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素から作られた第１および第２の被支持部１１、１２の各々と、炭化珪素から作られた支持部３０とが互いに対向し、かつ第１および第２の被支持部１１、１２の間に隙間ＧＰが設けられるように、第１および第２の被支持部１１、１２、および支持部３０が配置される。支持部３０の炭化珪素を昇華および再結晶させることで、第１および第２の単結晶基板１１、１２の各々に支持部３０が接合される。この際、隙間ＧＰにつながるように支持部３０に貫通孔ＴＨが形成されることで、隙間ＧＰおよび貫通孔ＴＨを通って流体が通過し得る経路ＰＴが形成される。この経路ＰＴを塞ぐことで、炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶層を有する炭化珪素基板中にボイドが形成されることを防止することができる炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】材料基板２２の主面の第１の領域上に炭素層３１が形成される。第１の単結晶層１１の第１の裏面Ｂ１と、第２の単結晶層１２の第２の裏面Ｂ２との各々が材料基板２２の主面の第２の領域Ｒ２に面する部分を有するように、かつ第１の単結晶層１１の第１の側面Ｓ１と第２の単結晶層１２の第２の側面Ｓ２とによって挟まれた空隙ＧＰが炭素層３１上に配置されるように、第１および第２の単結晶層１１、１２が材料基板２２上に並べられる。材料基板２２と第１および第２の単結晶層１１、１２とを加熱することによって、第１および第２の裏面１１、１２の各々と接合したベース基板が形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶層を有する炭化珪素基板中にボイドが形成されることを防止することができる炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】材料基板２２の主面Ｍ２の第１の領域Ｒ１を覆う昇華防止層３１が形成される。第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２によって挟まれた空隙ＧＰが昇華防止層３１上に配置されるように、材料基板２２上に第１および第２の単結晶層１１、１２が並べられる。材料基板２２と第１および第２の単結晶層１１、１２とを加熱することによって、主面Ｍ２の第２の領域Ｒ２から昇華した炭化珪素を、第１の単結晶層１１の第１の裏面Ｂ１および第２の単結晶層１２の第２の裏面Ｂ２の各々の上に再結晶させることで、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々と接合したベース基板３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体層が効率良く平坦化されたＳＯＩ基板を提供することを課題の一とする。また、当該ＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせ、熱処理により、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成し、半導体層の表面と、該半導体層と同じ半導体材料でなる半導体ターゲットとが対向するように配置し、半導体層の表面と半導体ターゲットとに、交互に希ガスイオンを照射することで、半導体層の表面の平坦化を図るＳＯＩ基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を半導体膜に照射する半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】発振器からレーザー光を発振させ、シリンドリカル凹レンズ及び第一のシリ
ンドリカル凸レンズを通過させることにより、レーザー光の断面の第一の方向に伸長させ
、第一のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向におけるエネルギー密度の分
布を均一にし、第二のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向と直交する第二
の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、且つ第二の方向に伸長させ、第二のシ
リンドリカル凸レンズを通過させることにより、第一の方向に収束させ、第二のシリンド
リカル凸レンズを通過したレーザー光を、半導体膜に照射する。 （もっと読む）

本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および／またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および／またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化すると共に、表層部にらせん転位が存在することを抑制することができるＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなり、主表面および当該主表面の反対面である裏面を備え、らせん転位１を表層部２ａに含む欠陥含有基板２を用意する工程と、欠陥含有基板２のうち主表面に外力を印加することにより表層部２ａの結晶性を低下させる第１外力印加工程と、外力印加工程の後、欠陥含有基板２を熱処理することにより表層部２ａの結晶性を回復させる第１熱処理工程と、を含む製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】低温での固相エピタキシャル成長法を用いて、単結晶半導体層の膜厚の厚いＳＯＩ基板を提供することを課題の一とする。その際に、予めシード層となる単結晶半導体層の結晶欠陥を修復しなくとも、良好にエピタキシャル成長が進む方法を提供することを課題の一とする。また、シード層の結晶欠陥を修復する工程を別に設けなくとも、固相エピタキシャル成長によりシード層である単結晶半導体層の結晶性が回復したＳＯＩ基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁層を介して基板に設けられた第１単結晶半導体層上に、非晶質半導体層を形成する。非晶質半導体層は、成膜温度１００℃以上２７５℃以下、シラン系ガスを希釈しないで用いるＣＶＤ法により形成する。熱処理を行って、非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させて、単結晶半導体層の膜厚の厚いＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）