【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム（伸張又は非伸張）の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム（伸張又は非伸張）の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の変位に対応して、高精度に焦点の調整およびビーム形状やサイズの調整を行うことを目的とする。
【解決手段】長軸スリット８，短軸スリット９を長軸用と短軸用に区別し、それぞれを個別に可変とすることで、基板の変位に対応して、高精度に焦点の調整およびビーム形状やサイズの調整を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させる。
【解決手段】シャッター機構（２）が照射オン指令信号を受け取ってから照射オン状態になるまでのオン遷移時間をｔ１とするとき、照射オフ状態で基板（Ｂ）をｘ方向に移動し、ｘ方向位置検出手段（１１）で検出した基板（Ｂ）のｘ方向位置に基づいて、照射エリアの照射開始端にレーザビーム（Ｌ）が到達すると推定される時刻よりもｔ１時間だけ前に照射オン指令信号を出力する。
【効果】シャッター手段によりレーザ照射のオン／オフを行うレーザアニール装置であって、往復走査によりレーザ照射を行う場合でも、往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を低熱負荷で均一に改質することのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１００の光学系は、一対の透明基板１０Ａ、１０Ｂと、透明基板１０Ａ、１０Ｂのそれぞれに設けられた透明電極１１Ａ、１１Ｂと、透明電極１１Ａ、１１Ｂに挟まれた液晶材１２と、透明基板１０Ａ、１０Ｂ、透明電極１１Ａ、１１Ｂおよび液晶材１２を挟む一対の偏光板１３Ａ、１３Ｂとを備えたライトバルブアレイ４を有している。透明電極１１Ｂは、ライトバルブアレイ領域１４内でマトリクス状に細分化され、それぞれの透明電極１１Ｂには、駆動回路１５の選択スイッチを介して独立に電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】反射率の異なる被照射物に対し、レンズの温度ひいては焦点距離を維持するための同じ反射率のミラーを備えると、レンズの焦点距離が温度変化に起因して変動する。
【解決手段】第１のミラー５に反射位置Ｉを採らせることにより、集光レンズ２を透過するレーザａを、第１，第２のミラー５，６によつて次々に反射させると共に、第１のミラー５によつて再度反射されるレーザａの強度を、被照射物４から反射されるレーザａの強度に合致させて集光レンズ２を透過させ、レーザａを被照射物４に照射するときと同様に集光レンズ２を加熱すると共に、第１，第２のミラー５，６の少なくとも一方に温度制御手段２６，２７を付属させ、第１，第２のミラー５，６の温度を制御することにより、処理用のレーザ（ａ）による処理時に被照射物４から反射されるレーザａの強度に合致させて、レーザａを第２のミラー６から反射させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に対してレーザ光の照射を均一に行うレーザ光の照射方法を提供する。
【解決手段】厚さのばらつきが存在する被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いることによって、被照射物の表面にレーザ光を集光するレンズと被照射物間との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。特に、レーザ光に対して被照射物を被照射物の表面に形成されたビームスポットの第１の方向および第２の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第１の方向および第２の方向のいずれかの方向に移動させる前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御する。 （もっと読む）

【課題】出力安定性、保守性に優れ、かつ、省スペース化、低ランニングコスト化が実現可能なレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ波長が３９０ｎｍ〜４７０ｎｍのレーザ光を発光する単一のレーザ発光素子又は複数のレーザ発光素子を配置したレーザ発光素子群と、前記レーザ発光素子又は素子群から発光されるレーザ光を線状レーザスポットに集光する集光手段と、前記集光手段により集光された線状レーザスポットの総照射パワー値が６Ｗ〜２００Ｗとなるよう前記レーザ発光素子の各々の発光量を調整するレーザ発光素子制御手段とを有するレーザ照射装置。 （もっと読む）

【課題】 基板の入射面上で最適化された光強度と分布をもつレーザ光を設計し、他の好ましくない組織領域の発生を抑制しつつ所望の結晶化組織を形成することができる結晶化方法、結晶化装置、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 レーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射して結晶化するに際し、非単結晶半導体薄膜への照射光は、単調増加および単調減少を周期的に繰り返す光強度分布を有し、非単結晶半導体薄膜を溶融させる光強度である。 （もっと読む）

【課題】レーザ処理装置における被処理体配置台の平面度を容易かつ正確に調整することを可能にする。
【解決手段】被処理体配置台の下方に複数備えられて被処理体配置台を支持し、支持位置の昇降が可能な支持部と、支持部の昇降を行う駆動部と、被処理体配置台の上面形状を測定する変位測定部と、駆動部を制御するとともに変位測定部の測定結果を取得可能な制御部と、各駆動部を動作させた際の被処理体配置台の上面形状の変位から各駆動部の動作量と被処理体配置台変位量との関係データを記憶する記憶部と、を備え、制御部は、変位測定部による測定結果を受けて被処理体配置台上面を所定の平面度に調整するために各駆動部の動作によって変位すべき被処理体配置台の変位量を求め、該変位量から記憶部に記憶された関係データを参照して各駆動部の動作量を決定し、該動作量に基づいて各駆動部を動作させる。 （もっと読む）

【課題】大型マザーガラスに対して、ムラのない均一なレーザアニール処理を行うことができるレーザアニール装置及びレーザアニール方法の提供。
【解決手段】可視光を連続発振する複数のレーザ発振器１０１と、複数のレーザ発振器に接続された複数の光ファイバー１０２であって、それぞれの光ファイバーの一端がそれぞれのレーザ発振器に接続されている光ファイバーと、複数の光ファイバーのそれぞれの他端が配置されるファイバーアレイ１０３と、ファイバーアレイ上に配置された光ファイバーの他端の射出面から射出されたレーザ光を、非晶質シリコン半導体膜が表面に堆積している基板１０５の照射面上にて線状に整形する光学系１０４と、線状ビームと基板とを相対的に走査する機構とを有してなる。このレーザアニール装置を用いて、基板上の非晶質シリコン半導体膜をレーザアニールして結晶質シリコン半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】線状の結晶斑や輝度斑の発生を防止すること。
【解決手段】複数の半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｆから任意のレーザ出力値のレーザ光を発光する複数のドライバ４３Ａ〜４３Ｆを備え、複数のレーザ光源から発光される複数のレーザ光を導光板３４を介して出射することによって線状のレーザスポット４５を形成し、該レーザスポット４５を照射対象物に照射するレーザ照射装置であって、照射対象物を搭載する移動ステージを所定速度で移動させ且つ前記複数のドライバ４３Ａ〜４３Ｆにより半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｆ毎のレーザ出力値を単位時間当たりの総和を保ちながら時間経過に伴って変化させることにより、線状レーザスポットの長手方向のレーザ出力値の変位を表すレーザプロファイルを時間的に変化させながら線状レーザスポットを照射対象物に照射するもの。 （もっと読む）

【課題】光強度分布を均一化したレーザアニール装置及びレーザアニール方法の提供。
【解決手段】レーザ光源となる複数の半導体レーザ素子１０の任意の半導体レーザ素子による発光を停止させて他の半導体レーザ素子による発光による一部停止プロファイルを複数取得し、この複数の一部停止プロファイルによる複数の光強度偏差を取得し、最小の光強度偏差を算出したときに発光した半導体レーザ素子群を選択し、該選択した半導体レーザ素子群のみを発光させることによって、光導波路１１を用いてレーザ光を案内する半導体レーザアニールにおいてもビームスポットの光強度分布を好適に均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】エネルギービームを用いた半導体膜の熱処理によって半導体素子を形成するにあたり、スループットを向上する。
【解決手段】本発明は、処理対象となる半導体膜１１を備えた基板１０を載置するステージ２０と、ステージ２０に載置された基板１０の半導体膜１１上に、複数のエネルギービームの照射点が一定間隔で並ぶようエネルギービームＢを供給する供給部３０と、供給部３０によって供給される複数のエネルギービームＢの照射点の並びと平行とならない方向に複数のエネルギービームＢと基板１０とを相対移動させ、複数のエネルギービームＢの照射点を半導体膜１１上で並列に走査し、半導体膜１１の熱処理を制御する制御部４０とを有する半導体処理装置である。 （もっと読む）

【課題】連続発振レーザー光を用いた結晶化において、集光ビーム位置の高さ変動およびレーザー発振エネルギーの変動を含むビーム集光密度のばらつきを抑制する。
【解決手段】均一エネルギー照射装置は、連続発振レーザー光を出力する連続発振レーザー光発振源と、連続発振レーザー光発振源で出力された連続発振レーザー光を基板ステージ上に載置された被処理基板の基板表面に照射するレーザー照射光学系と、基板表面において連続発振レーザー光の照射によって結晶化された領域の一部を測定領域として可視光域の照明光を照射し、この測定領域で反射される反射光の反射光強度を測定する反射光強度測定部と、連続発振レーザー光発振源とレーザー照射光学系との間の光路上において、連続発振レーザー光のビーム集光位置を調整するビーム集光位置調整部と、反射光強度測定部で測定した反射光強度を入力してビーム集光位置調整部の駆動制御を行う制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】結像レンズがレーザー光を吸収して熱膨張することによる焦点位置の位置ずれを補正する。
【解決手段】基板の高さ変化量を換算して求めた結像レンズの位置ずれ量と、レーザー光の照射積算時間に基づいて求めた結像レンズの焦点の位置ずれ量とを加算して、結像レンズの熱膨張によるビーム集光位置の変動を補正するための補正移動量を算出し、この補正移動量を用いて結像レンズ移動部を駆動して結像レンズを移動することによって焦点位置の位置ずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】定常運転時とメンテナンス時とにかかわらずレーザが発振しているか否かを常に明示して作業者が現場で直接的に安全確認をすることができる発振レーザ明示機能を有する結晶化装置及び結晶化装置における発振レーザ明示方法を提供する。
【解決手段】レーザ光路を取り囲む周囲部材の表面にレーザ光またはレーザ光からの散乱光を受けて発光する蛍光体を有する。 （もっと読む）

【課題】プロファイルを均一化するレーザアニール装置の提供。
【解決手段】複数の半導体レーザ素子１０から照射された複数のレーザ光を一端から入射し、他端より出射する光導波路１１と、該光導波路１１から出射されたレーザ光を細長形状に集光したビームスポット２２を生成する光学系と、前記ビームスポット２２を受光してビームスポットの細長方向の光強度値の分布をプロファイルとして検出するビームプロファイル検出部１６とを備え、半導体レーザ素子１０を全て発光したときの光強度値の分布を取得し、光強度が偏差を超える位置座標Ｘ_ａの半導体レーザ素子１０のみを発光したときの光強度が特定座標において偏差以上か以下かを判定し、この判定結果に従って特定位置の半導体レーザ素子の出力を増加又は低減するように制御することにより、ビームスポットの光強度分布を均一化するもの。 （もっと読む）

【課題】長さが長い線状ビームを照射する際に、線状ビームの長さにわたって被照射物にピントを合わせて処理することを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器と、前記レーザ発振器から発振したレーザビームを線状ビームに変える線状光学系と、前記線状ビームが照射される基板を設置するステージと、前記ステージは、ビームプロファイラで調べられた前記線状ビームの焦点位置に沿うように前記基板の表面形状を変形させ、かつ、支持手段を有することを特徴とするレーザ照射装置を用いたレーザ照射方法に関する。さらに、前記基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜を前記線状ビームにより結晶化あるいは活性化する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）