【課題】薄膜フィルム試料を処理するシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。
【解決手段】フィルム試料１７０の一区画の特定部分の第１部分を融解させるべく照射ビームパルスの第１パルスの第１小ビームで照射して、この第１部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第１部分どうしの間に第１未照射部分が残る。特定部分の第１小ビームによる照射の後に、この特定部分を、この特定部分の第２部分を融解させるべく照射ビームパルスの第２パルスの第２小ビームで再び照射して、この第２部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第２部分どうしの間に第２未照射部分が残る。再凝固して結晶化した第１部分及び前記第２部分は、フィルム試料の領域内で互いに間に入り合う。これに加えて、第１部分が第１画素に対応し、第２部分が第２画素に対応する。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する酸化物半導体膜を作製する。
【解決手段】酸化物半導体の膜を形成するに際し、基板を第１の温度以上第２の温度未満に加熱しつつ、基板の、典型的な長さが１ｎｍ乃至１μｍの部分だけ、第２の温度以上の温度に加熱する。ここで、第１の温度とは、何らかの刺激があれば結晶化する温度であり、第２の温度とは、刺激がなくとも自発的に結晶化する温度である。また、典型的な長さとは、その部分の面積を円周率で除したものの平方根である。 （もっと読む）

【課題】基板の材質に関係なく半導体回路部分への高熱処理が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板２上にシリコーン樹脂で密度が０．７ｇ／ｃｍ3以下の多孔質構造体層４を設ける。ここでシリコーン樹脂は９５質量％以上がシルセスキオキサンまたはシロキサンからなり、シルセスキオキサンはメチルシルセスキオキサンまたはフェニルシルセスキオキサンであることが好ましい。この多孔質構造体層上に半導体素子層３を設け、この半導体素子層側からのみ間欠的に光または電子線により加熱する。 （もっと読む）

【課題】非晶質の絶縁層上に任意の位置に単結晶半導体層を成長させることにより高性能半導体素子の積層化あるいは３次元化を可能にし，高機能な半導体集積システムを実現する。
【解決手段】絶縁層上に非晶質半導体薄膜を堆積し，第1のイオン注入のチャネリングと熱処理により多結晶化させ，しかる後に，前記第１のイオン注入とは異なる方向から第２のイオン注入のチャネリングと熱処理による結晶化を行い、２つの結晶方位を規制した単結晶の半導体薄膜を成長する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを用いずに製造可能で、所望の形状に直接描画できるパターン化結晶質半導体薄膜を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主成分とする非晶質薄膜を成膜し、前記非晶質薄膜の一部を結晶化することにより半導体化し、前記一部が結晶化した薄膜の非晶質部分をエッチングによって除去することにより得られるパターン化結晶質半導体薄膜。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、電磁エネルギーの複数のパルスを使用する薄膜の固相再結晶化の方法を提供する。一実施形態では、アモルファス層が、再結晶化すると下の結晶性のシード領域またはシード層と同じグレイン構造および結晶配向を有するように堆積されている、結晶性のシード領域またはシード層へ複数のエネルギーのパルスを供給することによって、基板表面全体または基板の表面の選択された領域をアニールするために本発明の方法を使用することができる。
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【課題】低温プロセスへの適合が可能でありながらも、半導体特性を損なわすに高精度に不純物の濃度コントロールが可能なドーピング方法を提供する。
【解決手段】アンチモンと共に、水素、窒素、酸素、炭素のみで構成されたアンチモン化合物を含有する材料溶液（アンチモン溶液Ｌ）を基板７の表面を覆う半導体層５に付着させて溶液層Ｌ１を形成する。アンチモン溶液Ｌを乾燥させることにより基板７上にアンチモン化合物層９を形成する。熱処理を行うことによりアンチモン化合物層９中のアンチモンを半導体層５に拡散させて不純物領域５ａを形成する。熱処理は、アンチモン化合物層９へのエネルギービームｈの照射によって行う。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、低コストで省資源である方法を採用し、実用性に富み、任意の場所、任意の形状に金属又は半導体を二次元的又は三次元的に形成できる半導体素子及びその製造装置を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造１Ａを持つ層構造３０Ａを準備し、還元反応構造１Ａに対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ還元反応構造１Ａに対して２次元的又は３次元的に走査することが可能な熱源を用い、この熱源によって酸化還元反応が起こる温度以上に還元反応構造１Ａの一部を走査しつつ選択的に加熱して、炭素材料により金属酸化物材料又は半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、所望の形状の金属領域又は半導体領域（金属層又は半導体層３Ａ）を形成することによって製造されることを特徴とする半導体素子４０Ａとすることにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】非晶質の絶縁層上に任意の位置に単結晶半導体層を成長させることにより高性能半導体素子の積層化あるいは３次元化を可能にし、高機能な半導体集積システムを実現する。
【解決手段】絶縁層上に非晶質半導体薄膜を堆積し、その一部に単結晶半導体層を接触させ、熱処理によって単結晶半導体層の結晶性を反映させ非晶質半導体薄膜を単結晶化する半導体薄膜の結晶化方法。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウム（Ｇｅ）半導体を自己組織的に実現するＧｅ半導体製造方法。
【解決手段】 シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）からなるＳｉＧｅ薄膜を融液成長により固化させ、結晶化されたＳｉＧｅ薄膜中に自己組織的に出現したＧｅ偏析に起因するＧｅ高濃度構造を形成する。さらに酸化濃縮技術を利用してＧｅ濃度を高めることを特徴としたＧｅ半導体製造方法。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を薄膜化させた場合においても良好な光閉じこめ効果を有する凹凸構造を形成し、光吸収損失の低減および信頼性の高い薄膜太陽電池およびその製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明における薄膜太陽電池２０の製造方法は、（a）透明絶縁基板１を準備する工程と、（b）透明絶縁基板１の表面に凹凸構造を形成する工程と、（c）透明絶縁基板１上に透明電極層４を形成する工程と、（d）透明電極層４上に光電変換層１２を形成する工程と、（e）光電変換層１２上に裏面電極層８を形成する工程と、を備え、工程（b）は、（f）透明絶縁基板１上に非晶質膜２を形成する工程と、（g）非晶質膜２にレーザ照射を行い、結晶化された結晶質膜３を形成する工程と、（h）結晶質膜３にエッチングを行い、結晶質膜３を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる半導体集積回路の破損を低減することを課題の一とする。また、薄型化された半導体集積回路の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】半導体集積回路が有する半導体素子には単結晶半導体基板より分離された単結晶半導体層を用いる。さらに半導体集積回路が設けられた薄く成形された基板は樹脂層で覆われている。分断工程は、支持基板に半導体素子層を分断するための溝を形成し、溝の形成された支持基板上に樹脂層を設ける。その後、樹脂層及び支持基板を溝において切断して分断し、複数の半導体集積回路に分割する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きい多結晶半導体膜を従来方法に比べてより一層高い歩留まりで形成できる多結晶半導体膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガラス板等からなる基板１０上にアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をパターニングして、先端が凸の島状又は帯状のメインパターンＰ１と、メインパターンＰ１間の隙間を埋めるサブパターンＰ２とを形成する。そして、基板１０上に連続波レーザを照射しながら、レーザ照射域をメインパターンの先端から後端に向う方向に走査して多結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ平坦化層を介して積層しており、複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は平坦化層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低温下で結晶性の良好な単結晶および多結晶を提供することを目的とする。また、本発明は、固相成長法を用い、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に高エネルギーを有する少なくとも一種類の粒子により該高エネルギーを供給することにより加熱し、加熱した半導体層表面に研磨処理を行う。高エネルギーの供給による加熱処理により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とすることなく、低温プロセスで絶縁膜の結晶欠陥を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に半導体層１３、ゲート絶縁膜１４およびゲート電極１５をこの順に積層してトップゲート型の薄膜トランジスタを製造する。この際、塗布法により、ゲート絶縁膜１４を形成したのち、エネルギービームＥを照射する。これにより、半導体層１３がエネルギービームＥを吸収し、ゲート絶縁膜１４が加熱される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は格別の工程の増加を伴うことなく、トランジスタの性能を飛躍的に改良するとともに小型化・高集積化した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】 基板上に形成された絶縁膜の側壁又は基板段差部の側壁を覆う絶縁膜に接して形成された半導体結晶化薄膜をチャネルの一部とすることを特徴とする薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】複数の照射光学系を用いて生産性を高めると共にレーザビームの強度ばらつきの影響を抑えることができる半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０を、三つの単一領域１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃおよび境界領域１２ＡＢ，１２ＢＣとに分ける。単一領域１１Ａに，１１Ｂ，１１Ｃにはそれぞれ異なる照射光学系によりレーザビームを照射する。境界領域１２ＡＢには、単一領域１１Ａ，１１Ｂの両方の照射光学系によりレーザビームを照射する。境界領域１２ＢＣには、単一領域１１Ｂ，１１Ｃの両方の照射光学系によりレーザビームを照射する。走査時間を短縮しつつ、レーザビームの強度ばらつきによる結晶粒径の差を緩和する。境界領域１２ＡＢ，１２ＢＣでは、一方の照射光学系によりレーザビームを照射する平行線パターンと、他方の照射光学系によりレーザビームを照射する平行線パターンとを混合した配置にする。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の酸化を防ぎ、良好な多結晶シリコン膜を得ることができると共に、絶縁性基板上に低コストで多結晶シリコン膜を形成することが可能な多結晶シリコン膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に非晶質シリコン膜を非酸化性雰囲気下で形成する非晶質シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜を非酸化性雰囲気下で多結晶化させる多結晶シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜形成工程から多結晶シリコン膜形成工程に被処理基板を移行するときの工程であって、非晶質シリコン膜を形成した後に非晶質シリコン膜形成工程の非酸化性雰囲気を大気雰囲気又は所定の酸素分圧を有する雰囲気に変化させ、その後、被処理基板２を多結晶シリコン膜形成工程に移行して、多結晶シリコン膜形成工程内の雰囲気を非酸化性雰囲気に変化させる雰囲気制御工程とを有する。 （もっと読む）