第１の態様において、本発明は、基板と、基板上に直接堆積させた多孔質シリカ（ＳｉＯ_２）の障壁層と、障壁層上に直接堆積する多結晶シリコンの薄膜とを備えるシリコン薄膜トランジスタを提供する。本発明は、そのようなトランジスタを製造する方法、そのようなトランジスタを含むディスプレイスクリーン、およびそのようなディスプレイスクリーンを製造する方法も提供する。
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【課題】平坦性の向上により、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減する。
【解決手段】基板上に非晶質構造の半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上に結晶化を促進する金属元素を添加する工程と、加熱処理を行って、前記半導体膜を結晶構造の半導体膜とする工程と、前記結晶構造の半導体膜に第１のレーザー光を照射する工程と、前記結晶構造の半導体膜に第２のレーザー光を照射する工程とを有する。レーザー光を照射する工程を２回設けることにより、結晶構造の半導体膜の平坦化を向上させることができる。その結果、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供する。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜にソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域を有し、チャネル領域上部にゲート絶縁膜およびゲート電極を有する薄膜トランジスタであって、ドレイン領域又はソース領域のチャネル領域側端部は結晶成長の終了位置８付近に位置するように設けられている。 （もっと読む）

基板上に低温で堆積された薄膜半導体を再結晶化する高スループットシステム及び方法が提供される。薄膜半導体ワークピースは、レーザビームを照射され、前記レーザビームに露光された表面の目標領域は融解し、再結晶化する。前記レーザビームは、パターン化マスクを使用して１つ又はそれ以上のビームレットに成形される。前記マスクパターンは、前記ビームレットによって目標とされる領域が半導体再結晶化に通じる寸法及び方向を有するように前記レーザビーム放射をパターン化するのに適した寸法及び方向を有する。前記ワークピースは、前記レーザビームに対して線形経路に沿って機械的に平行移動され、前記ワークピースの表面全体を高速で処理する。レーザの位置感知トリガは、電動ステージにおいて平行移動されているときに前記ワークピースの表面における正確な位置において半導体材料を融解及び再結晶化するようなレーザビームパルスを発生するのに使用されることができる。
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【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 良質のｐｏｌｙ−Ｓｉの製造及びそれを利用する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成されたａ−Ｓｉ膜３に中性イオンを注入した後、熱処理による多結晶化を行うｐｏｌｙ−Ｓｉ（多結晶シリコン）、多結晶シリコン層を含んだ半導体素子、及び多結晶シリコン活性層上に形成されたゲート絶縁層上に形成されるゲートを備えたＴＦＴの製造方法であって、熱処理時に高エネルギーであるａ−Ｓｉを多結晶化でき、一方では、熱に弱いプラスチック等にも良質のｐｏｌｙ−Ｓｉを形成でき、シリコン及びガラスのように熱に強い基板、またはプラスチックのように熱に弱い基板に良質の多結晶を形成できる。 （もっと読む）

【課題】消去電圧などの動作電圧について低電圧化が可能であり、低コスト化が可能である半導体不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電荷蓄積層を有するメモリトランジスタが接続された半導体不揮発性記憶装置の製造方法であって、ガラスあるいはプラスチックからなる絶縁性基板上にチャネル形成領域を有する半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上層に電荷蓄積層を形成する工程と、前記電荷蓄積層の上方にコントロールゲートを形成する工程と、前記チャネル形成領域に接続するソース・ドレイン領域を形成する工程とを有し、前記メモリトランジスタとなる薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

本発明に係る半導体装置の製造方法および半導体検査装置により、図２のフローに示すように、レーザ処理工程１３で、ＳＰＣ工程１２処理後の基板の中から抜き取られたモニタ基板に、異なるレーザパワーで、異なる場所にレーザ処理を行い、基板全領域に多結晶シリコン膜を形成した後、最適パワー検査抽出工程１４でモニタ基板上に形成された膜質の異なる多結晶シリコン膜を検査装置で測定し、レーザパワーの最適値が求められ、レーザ処理工程１３で後続のＳＰＣ工程処理後の基板表面に、最適なレーザパワーに設定されたレーザが照射され、基板全領域で高品質な多結晶シリコン膜が製造される。
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高エネルギー、高繰り返しレートの被加工物加熱方法及び装置であって、約４０００Ｈｚにおいて又はそれ以上で動作し且つ約３５１ｎｍの中心波長においてレーザ出力光パルスビームを生成するパルス化ＸｅＦレーザと、レーザ出力光パルスビームの短軸において２０μｍ以下にレーザ出力光パルスビームを縮小し且つ長軸の被加工物カバリング範囲をビームの長軸において形成するようにレーザ出力光パルスビームを拡大する光学系と、を有することが可能である、方法及び装置であり、その光学系はレーザと被加工物との中間に視野絞りを有し、その被加工物は加熱される層を有し、光学系は、強度レベルが高過ぎるビームレベルにおいてビームプロファイルをブロックすることなく、視野絞りが被加工物において十分に急峻なビームプロファイルを維持することを可能にするように十分に急峻な側壁を有する強度プロファイルを維持するに十分な拡大を伴って視野絞りにおいてレーザ出力光パルスビームをフォーカシングする、方法及び装置について開示している。その装置は又、被加工物に供給されるレーザ出力光パルスビームにおいて高平均パワーと短軸光学アセンブリにおいてラインボウ補正機構とを有することが可能である。ラインボウ補正機構は、複数の弱いクロスシリンダを有することが可能である。そのシステムは反射屈折投影システムを有することが可能である。レーザ回折及び発散のために線幅は幾何学的制限より小さい。そのシステムは、被加工物において異なる焦点面を有するそれぞれの隣接ピーク各々の個別の中心波長により全体の焦点深度を改善するように名目のＸｅＦスペクトルの隣接ピークを投影することが可能である。そのシステムは、ラインボウであって、視野絞り面においてラインボウを補正する視野絞り光学アセンブリと視野絞り面においてラインボウを補正する被加工物投影光学アセンブリとにおいて補正機構である、ラインボウを有することが可能である。
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被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置であって、パルスドーズ制御に対してパルスを用いて光パワー及び高繰り返しレートでレーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステムを構成する主発信パワー増幅器ＭＯＰＡ又はパワー発信器パワー増幅器と、レーザ出力光パルスビームから伸長され
た細いパルス化作用ビームを発生させる光学系とを、有するガス放電レーザ結晶化装置について開示している。その装置において、レーザシステムはＰＯＰＡレーザシステムとして構成され、第１レーザＰＯユニットから第２レーザＰＡユニットに第１出力レーザ光パルスビームを方向付けるように動作されるリレー光学系と、第１レーザ出力光パルスビームの拡大として第２レーザ出力光パルスビームを発生するように、パルス又は−３ｎｓｅｃ内で第１及び第２レーザユニットにおいてガス放電の発生のタイミングを合わせるタイミング及び制御モジュールとを更に有することが可能である。そのシステムは、発信器レーザユニットにおいて発散制御部を有することが可能である。発散性御部は不安定発振制御部を有することが可能である。そのシステムは、レーザと被加工物との中間にビームポインティング制御機構及びビーム位置制御機構を更に有することが可能である。ビームパラメータ計測法は、ビームポインティング制御機構に対するアクティブフィードバック制御部とビーム位置制御機構に対するアクティブフィードバック制御部とを与えることが可能である。
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