【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の単結晶半導体基板を複数用意する。各単結晶半導体基板に、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域を形成し、各単結晶半導体基板の表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層が形成された複数の単結晶基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶化に続いて、所定の位置に残すことができ、その後の処理工程を妨げない手段によって種結晶を横成長させる方法並びに該方法を用いた構造体を提供する。
【解決手段】第１の半導体結晶をエッチングして種結晶領域を形成し、その上に、種結晶領域を露出させる開口部が設けられた絶縁体層、および第２の半導体膜を形成してレーザアニールし、種結晶から横成長を行う。その後、種結晶領域の上の第２の半導体膜を除去し、残っている第２の半導体膜中のトランジスタ活性領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ条件の変動あるいは装置異常による不良が連続して発生するのを防いで、レーザアニール工程での不良を防止し、高歩留まりに表示装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】局所的なレーザアニールにより帯状結晶シリコン領域を形成しつつ、並行してレーザを照射した領域の結晶状態および適正な帯状結晶領域の寸法を評価する。評価結果が基準を充たしていない場合にはレーザ条件を適正化するように制御装置に通信を送って、レーザ条件を適正化した後、次の領域をアニールする。あるいは、必要に応じて装置を緊急停止する。アニールと検査を継続して基板内の所望の領域のアニールが完了すると、基板を搬出する。 （もっと読む）

【課題】従来のＬＰＳ膜よりも平均結晶粒径が大きく、且つ、従来の固相結晶化膜（例えば、ＣＧＳシリコン膜）よりも平均結晶粒径が小さい結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、第１および第２主面を有する透明な基板を用意する工程と、基板の第１主面上に所定のパターンの遮光層を形成する工程と、遮光層の少なくとも一部を覆う半導体膜であって、遮光層と重ならない第１領域と、遮光層と重なる第２領域とを有する非晶質状態の半導体膜を形成する工程と、第２主面側から半導体膜に光を照射し第１領域の半導体膜だけを選択的に結晶化することによって第１結晶領域を形成する工程と、その後に、第２領域の半導体膜を固相結晶化することによって第２結晶領域を形成する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する発光装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の高周波数化に伴って生産性を向上させることが可能な多結晶半導体薄膜の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶半導体薄膜の製造装置１０１は、レーザ光を生成するレーザ生成部２と、受けた光を半導体薄膜上の第１の領域へ誘導する第１の誘導部５Ａと、受けた光を第１の領域と少なくとも一部が異なる半導体薄膜上の第２の領域へ誘導する第２の誘導部５Ｂと、レーザ生成部２から受けたレーザ光を第１の誘導部５Ａへ出力するか第２の誘導部５Ｂへ出力するかを切り替える切り替え部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールでラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に光吸収層１０２を形成する工程と、光吸収層を所定の形状にパターニングする工程と、パターニングされた光吸収層を絶縁膜１０３で覆う工程と、絶縁膜上に半導体薄膜１０４を形成する工程と、パルス発振されたレーザ光を照射し半導体薄膜を結晶化するレーザアニール工程とを行う。絶縁膜１０３の厚さを１５０ｎｍ以下とすることにより、レーザアニール工程において、光吸収層１０２のパターンより内側に位置する半導体薄膜１０４の内部領域１０６においては、光吸収層からの熱伝導により半導体薄膜が融解するようにレーザ光でパルス加熱する加熱過程と、内部領域が融解した後、外部領域１０７との境界から内側に向かってラテラル成長が進行し、多結晶粒Ｌが生成する冷却過程が行われる。 （もっと読む）

【課題】同一の非晶質半導体膜を結晶化して形成されたＴＦＴおよびＴＦＤの半導体層の結晶状態を別個に制御して最適化する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上に支持され、チャネル領域１１４、ソース領域およびドレイン領域１１２ａを含む半導体層１０７ｔと、チャネル領域１１４の導電性を制御するゲート電極１０９と、半導体層１０７ｔとゲート電極１０９との間に設けられたゲート絶縁膜１０８とを有する薄膜トランジスタ１２４と、基板１０１の上に支持され、少なくともｎ型領域１１３ａとｐ型領域１１７ａとを含む半導体層１０７ｄを有する薄膜ダイオード１２５とを備える。薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔおよび薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、同一の非晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔのチャネル領域１１４よりも高い結晶性を有している。 （もっと読む）

【課題】高性能で安価な半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。また、劈開単結晶半導体層に不活性雰囲気中においてレーザー光の照射を行い、非単結晶半導体層には、少なくとも一度、大気雰囲気中においてレーザー光の照射を行うとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】高性能で安価な半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。また、劈開単結晶半導体層に不活性雰囲気中においてレーザー光の照射を行い、非単結晶半導体層には、少なくとも一度、大気雰囲気中においてレーザー光の照射を行うとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】成膜時間を増大することなく、粒径の揃った結晶粒を形成する。
【解決手段】本発明の多結晶半導体膜形成方法は、非晶質半導体膜を、この非晶質半導体膜が溶融しない条件で面方向に均一に加熱して、非晶質半導体膜内に結晶核を発生させる第１熱処理工程と、第１熱処理工程を実施した非晶質半導体膜に、非晶質半導体膜中の結晶核が溶融せず且つ非晶質半導体が溶融する条件でレーザ光を照射し、非晶質半導体を溶融及び凝固させることにより結晶化させる第２熱処理工程と、を備える。本発明の多結晶半導体膜形成装置１０は、上記の第１熱処理工程を実施する第１熱処理装置２０と、上記の第２熱処理工程を実施する第２熱処理装置３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】水素イオン注入法により、ベース基板がガラス基板のような耐熱性の低い基板でなり、表面の平坦性が高く、１００ｎｍ以下の薄い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】接合層を介して半導体基板とベース基板を貼り付ける。加熱処理を行い、半導体基板を分割することで、半導体基板から分離された半導体層が固定されたベース基板を得ることができる。この半導体層にレーザ光を照射し、溶融させることで、半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつその結晶性を回復させる。レーザ光の照射の後、半導体層をエッチングなどにより薄くする。以上の工程を経ることで、ベース基板上に厚さ１００ｎｍ以下の単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】製品の生産に使用可能な量産性の優れた方法でかつ安価なコストにより、半導体薄膜の結晶粒径の拡大を可能とすることを目的とする。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に導電性薄膜１０３を形成し、導電性薄膜１０３をパターニングしてから半導体薄膜１０４を形成し、レーザ光を照射して半導体薄膜１０４を溶融し固化して再結晶化する半導体薄膜の製造方法において、導電性薄膜１０３は面方向に突端部を有するようにパターニングされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く、かつ、領域間で特性のばらつきが少ない結晶性半導体膜の製造方法、及び、その製造方法に好適に用いられるレーザー装置を提供する。
【解決手段】レーザー光の照射及び移動を交互に繰り返して非晶質半導体膜を溶融し、結晶化して形成される結晶性半導体膜の製造方法であって、上記レーザー光は、直前の照射によって形成された結晶性半導体膜の隆起部を含む領域に、該隆起部の下に位置する結晶性半導体膜を一部残す強度で照射される結晶性半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶化プロセスにおいて均質な核を発生させることにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成する。
【解決手段】半導体膜５の下地層又はキャップ層として光触媒層４を形成する。光触媒層４に吸収される波長をもつ励起光８を光触媒層４に照射しながら、半導体膜５にレーザ光１を照射して、半導体膜５を溶融及び固化させることにより結晶化させる。この方法により、光触媒層４の超親水作用によって半導体融液の濡れ性が改善する。このため、半導体膜５の融点近傍で、半導体膜５と光触媒層４の界面に結晶核を発生させることができ、これにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】直線偏光のレーザ光を出射するレーザ発振器を用いても、多数の方向に結晶成長させて等方的な結晶粒を得る。
【解決手段】直線偏光で出射されたパルスレーザ光１の偏光方向をパルス毎に変更して、異なる３方向以上の偏光方向をもつパルスレーザ光１を、単位領域あたりの照射回数が３回以上となるように半導体膜２に照射する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の電気的な特性を向上させるための、半導体装置の半製品およびその結晶化方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置の半製品の非晶質半導体層を結晶化方法は、結晶化用レーザ光として温度勾配を有する照射強度分布のレーザ光を絶縁層および窒素含有層を通して前記非晶質の半導体層へ照射するレーザ光照射工程と、前記窒素含有層は入射する前記レーザ光の少なくとも一部を吸収して蓄熱する工程と、前記非晶質の半導体層の前記温度勾配を有する照射強度分布のレーザ光により照射された領域は溶融する溶融工程と、溶融後の冷却時に蓄熱工程での蓄熱が熱源として作用し冷却速度を緩和する工程と、前記レーザ光照射工程を２回以上行う工程とを具備してなる。 （もっと読む）

【課題】レーザ処理装置における被処理体へのレーザ照射部のガス雰囲気を良好に形成する。
【解決手段】被処理体（非晶質半導体薄膜２）にレーザ光６を照射して前記被処理体の処理を行うレーザ処理装置に備えられ、照射雰囲気を形成するガスを前記被処理体の前記レーザ光照射部分近傍に噴射するガス噴射手段であって、該噴射手段は、前記ガスの導入部（ガス供給管１２）と、前記ガスが前記被処理体に向けて噴射されるガス噴射口１５と、前記ガス導入部から前記ガス噴射口に至るガス流路１３を有しており、該ガス流路に、ガスの流れ方向に対面してガス流を乱すことでガスの流れ方向と交差する方向におけるガス流を均す均流面が設けられている。被処理体のレーザ光照射部付近に均等な照射雰囲気を形成でき、レーザ光の照射による処理を均等かつ良質に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板として安価な汎用ガラスを用いることを可能とする低温処理プロセスを確立する半導体膜の結晶化方法および半導体膜を有する基板を提供する。
【解決手段】基板上の半導体膜にレーザー光を照射して半導体膜を結晶化する半導体膜の結晶化方法において、前記半導体膜は、化学気相成長法により前記基板上に５００℃以下の温度で成膜され、かつ、５原子％以下の水素を含む。 （もっと読む）