【課題】
本発明は、大粒径の結晶粒を有する結晶性半導体膜を、位置を制御して形成することにより、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】
下地絶縁膜２３１と半導体膜２３２が形成された基板２３０の表面側から第１のレーザビーム２４１を照射し、基板２３０の裏面側に設置された反射層２２２で反射された第２のレーザビーム２４２を裏面側から照射することにより、半導体膜の所定の位置に結晶核２４５を形成し、横方向に結晶成長させることで大粒径の結晶粒を有する結晶性半導体膜を得るものである。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の均一性を向上させた位相シフタ、位相シフタの製造方法および結晶化装置を提供すること。
【解決手段】入射光を位相変調する位相シフタ（１）は、ガラス基板のような透光性基板（２）と、この透光性基板（２）のレーザ光の入射面に入射光を位相変調する例えば凹凸パターンの位相変調部（３）を設け、この位相変調部（３）の光強度分布が減少する周辺部の光を遮光する遮光部（４）を位相シフタ（１）の前記レーザ光の入射面または出射面に設け、入射レーザ光の照射面内周辺部の光を遮光するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】大粒径のシリコン結晶を簡便でエネルギー効率よく形成することができる工程を備えた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された非晶質シリコン膜の上に、成膜することによりその非晶質シリコン膜よりも対レーザー反射率が小さくなる低反射率膜をパターン状に形成する低反射率膜形成工程と、低反射率膜が形成された側からレーザーを照射して非晶質シリコン膜を結晶化する結晶化工程と、結晶化した多結晶シリコン膜の所定領域に所定のイオン種を注入して不純物拡散領域を形成する工程とを有する方法によって、薄膜トランジスタを製造する。低反射率膜の屈折率をｎ１とし、非晶質シリコン膜の屈折率をｎ２としたとき、レーザー波長において、ｎ１＜ｎ２の関係を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法において、半導体膜に対するレーザーアニールの効果を高める。
【解決手段】 本発明に係る結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法は、水分子を含んだガスを非単結晶半導体膜に吹き付けつつ、前記非単結晶半導体膜に対してレーザービームを照射することにより、前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする。これにより、結晶性、均質性が大幅に向上した結晶性半導体膜を用いて、薄膜トランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ＲＦ出力により発生したＸｅイオンをＳｉターゲットに衝突させ、当該ＳｉターゲットからＳｉパーティクルを発生させ、当該Ｓｉパーティクルを所定の基板上に堆積させる方法において、工程圧力を０．６７Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）以下、前記ＲＦ出力を２００Ｗ以上にするシリコン薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 大粒径に結晶化でき、良好な電気的特性を実現する結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、被結晶化基板、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る非単結晶半導体膜にレーザ光を照射して結晶化する結晶化方法は、前記レーザ光が、複数の断面逆三角形状ピークパターンを有する光強度分布のレーザ光のレーザ光であり、前記非単結晶半導体膜は、フッ素含有非単結晶半導体膜であることを特徴とする。さらに前記フッ素含有非単結晶半導体膜の膜中フッ素濃度は、好ましくは、１０^１８ｃｍ^−３乃至１０^２０ｃｍ^−３である。前記フッ素含有非単結晶半導体膜上には、好ましくはキャップ膜が形成されている。この方法により結晶化された膜は、大粒径の結晶粒を有し、良好な電気的特性を実現するものである。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の向上。
【解決手段】基板上に非晶質シリコーン薄膜を形成する段階と、非晶質シリコーン薄膜の一部に低いエネルギー密度を有したレーザビームを照射して非晶質シリコーン薄膜を部分溶融させる段階と、部分溶融された非晶質シリコーン薄膜を結晶化させて一方向の結晶配列を有する多結晶シリコーングレインを形成する段階と、多結晶シリコーングレインから高いエネルギー密度を有したレーザビームを反復的に所定間隔移動させながら照射して非晶質シリコーン薄膜を完全溶融させる段階と、完全溶融された非晶質シリコーン薄膜を一方向の結晶配列と対応するように結晶化させて多結晶シリコーングレインを成長させる段階を含む。 （もっと読む）

１つの態様の下では、薄膜を処理するための方法は、第１のレーザ・ビーム・パルスから第１の組の成形ビームレットを生成し、第１の組のビームレットの各々のビームレットは、ｙ方向を定める長さと、ｘ方向を定める幅と、照射された膜領域内で膜をその厚さ全体を通して実質的に溶融させるのに十分なフルエンスとを有し、さらにギャップによって第１の組のビームレットの隣接するビームレットからｘ方向に離間されるステップと、第１の組の成形ビームレットで膜の第１の領域を照射して第１の組の溶融ゾーンを形成し、第１の組の溶融ゾーンは冷却されると横方向に結晶化して、ｘ方向に対して実質的に平行な結晶粒を含み、各々の成形ビームレットの長さ及び幅と実質的に同じ長さ及び幅を有し、成形ビームレットを分離するギャップと実質的に同じギャップによって隣接する結晶化領域から分離される第１の組の結晶化領域を形成するステップと、第２のレーザ・ビーム・パルスから第２の組の成形ビームレットを生成し、第２の組のビームレットの各ビームレットは、第１の組のビームレットの各ビームレットの長さ、幅、フルエンス、及び間隔と実質的に同じ長さ、幅、フルエンス、及び間隔を有するステップと、第２の組の成形ビームレットで膜の第２の領域を照射するように膜を連続的に走査して、第１の組の結晶化領域からｘ方向に変位した第２の組の溶融ゾーンを形成し、第２の組の溶融ゾーンのうちの少なくとも１つの溶融ゾーンは、第１の組の結晶化領域の少なくとも１つの結晶化領域に部分的に重なり、冷却されると結晶化して、その少なくとも１つの結晶化領域内で結晶の伸長を形成するステップと、を含む。
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【課題】ソース領域及びドレイン領域における不純物の活性化を効率良く行うことができる、生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成する工程、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、前記半導体膜の所定領域に選択的に不純物を注入し、ソース領域及びドレイン領域を形成する工程、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜の上に光吸収層を形成する工程、前記光吸収層上に保護絶縁層を形成する工程、及び前記保護絶縁層を通して前記光吸収層に光を照射し、それにより加熱された前記光吸収層からの熱により前記ソース領域及びドレイン領域中の不純物を活性化する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

１つの態様のもとで、膜を処理する方法は、基板上に配置されレーザ誘起融解が可能な膜内で結晶化させるべき複数の相隔たる領域を画定することと、照射される領域内で膜をその厚さにわたって融解させるのに十分なフルエンスを有し、各々のパルスが長さ及び幅を有するライン・ビームを形成する、一連のレーザ・パルスを生成することと、一連のレーザ・パルスにより選択された速度で膜を１回目の走査において連続的に走査して、各パルスが対応する相隔たる領域の第１の部分を照射し融解させ、第１の部分が冷却により一つ又はそれ以上の横方向に成長した結晶を形成するようにすることと、一連のレーザ・パルスにより選択された速度で膜を２回目に連続的に走査して、各パルスが対応する相隔たる領域の第２の部分を照射し融解させて、各々の相隔たる領域内の第１及び第２部分が部分的に重なり、第２の部分は冷却により、第１の部分の１つ又はそれ以上の横方向に成長した結晶に対して延びた、１つ又はそれ以上の横方向に成長した結晶を形成するようにすることと、を含む。
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【課題】フラッシュランプによる光照射工程を実行しても、アライメントマークにより位置合わせして結晶化工程および回路形成工程を行うことができる結晶化方法、薄膜トランジスタ及び表示装置を提供すること。
【解決手段】表面が絶縁材料からなる基板１１、１２に半導体薄膜１３を形成し、半導体薄膜１３の上にキャッピング層１４を形成した被処理体１０に対して、第１のレーザ光Ｌ１の照射により所定のＴＦＴを形成する位置近傍にアライメントマーク１５を形成し、このアライメントマーク１５を検出し、予め定められた結晶化位置に第２のエキシマレーザ光Ｌ２を照射し、大粒径化された結晶化領域２２を形成し、アライメントマーク１５を含む周辺領域上のキャッピング層１４を除去したのちにフラッシュランプ光を照射して大粒径化された結晶領域に偏在する微結晶部分を再結晶化する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】 良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する。
【解決手段】 下記一般式Ｉ及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物（一般式Ｉ及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい）を含有し、１〜１００ｍＰａ・ｓの粘度を有する金属アルコキシド溶液を用いて半導体デバイスを作製する。
Ｚｎ（ＯＲ¹）₂ ・・・［Ｉ］
Ｍ（ＯＲ²）₃ ・・・［II］
（式中、Ｍはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Ｚｎ／Ｍが０．２〜１０の範囲である。Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜２０の置換、又は無置換のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性が良好で、かつ、電気的特性のばらつきを抑制した結晶質半導体膜および前記結晶質半導体膜を容易に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、多結晶半導体膜（１２０）を用意する工程と、多結晶半導体膜（１２０）の少なくとも一部の領域に所定の元素（１３０）を注入することにより、多結晶半導体膜（１２０）の結晶化率よりも低い結晶化率を有する非晶質化領域を多結晶半導体膜（１２０）の少なくとも一部の領域に形成する工程であって、所定のエネルギービーム（１５０）に対する非晶質化領域の吸収率が所定の方向に沿って連続的に変化するように所定の元素（１３０）を注入する、工程と、非晶質化領域に所定のエネルギービーム（１５０）を照射することにより、非晶質化領域を結晶化する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜の形成に要する工程を削減することを可能とする製造技術を提供すること。
【解決手段】 液体プロセスを利用したシリコン膜の製造方法であって、基板(10)上にシリコン原子を含む液体材料(12)を塗布する第１工程と、上記第１工程において塗布された上記液体材料に対して局所的にレーザ光を照射することにより、当該レーザ光が照射された部分にシリコン膜(14)を形成する第２工程と、上記第２工程において上記レーザ光が照射されなかった部分の上記液体材料を除去する第３工程と、を含む、シリコン膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）