【課題】 レーザービームの重なりによる悪影響を除去し、回路全体の特性を向上させる。
【解決手段】 基板上の回路をアナログ回路を中心とした回路領域と、アナログ的な要素の薄い回路領域とに分ける。さらに、レーザー光の照射領域をアナログ回路を中心とした回路領域よりも大きくし、レーザー光を移動させずにアナログ回路を中心とした回路領域の全体にレーザー光を照射する。その結果、アナログ回路を中心とした回路領域においては、レーザービームの重なりが実質的に存在せず、特性のそろった素子を形成できる。 （もっと読む）

【課題】下部半導体層の結晶化を防止できる薄膜トランジスタの転写方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板41を化学エッチングするときの活性層へのダメージを防止する下部半導体層42を、フッ酸に対するエッチング選択比が大きなアモルファスシリコンで構成する。下部半導体層42と上部半導体層６との間にエキシマレーザビームを反射する反射層４を積層させる。エキシマレーザビームの照射による下部半導体層42の多結晶化を防止できる。下部半導体層42の多結晶化によるエッチングストッパ層としての機能の劣化を防止できる。転写歩留まりを大幅に向上できる。 （もっと読む）

【課題】製造工程および製造時間を増加させることなく、平坦化された半導体膜を製造する。
【解決手段】本発明による半導体膜の製造方法は、非晶質半導体膜を用意する工程と、非晶質半導体膜の少なくとも一部に結晶化レーザビームを照射することにより、結晶質半導体膜を得る結晶化工程と、結晶化工程に連続して、結晶質半導体膜に平坦化レーザビームを照射することにより、結晶質半導体膜の表面を平坦化する平坦化工程とを包含する。平坦化工程は、結晶質半導体膜のうち複数の第１単位領域に第１平坦化レーザビームを照射する第１平坦化工程と、結晶質半導体膜のうちそれぞれが第１単位領域とは少なくとも一部異なる複数の第２単位領域に第２平坦化レーザビームを照射する第２平坦化工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶粒を大きくでき、かつ、その特性向上を図ることができる半導体結晶薄膜の製造方法、およびそれに用いる製造装置、フォトマスクを提供する。
【解決手段】半導体薄膜上にスリットビーム群を形成するようにレーザビームを照射する第１のレーザと、前記スリットビーム群を含む照射領域にレーザビームを照射する第２のレーザとを用いて、半導体薄膜を結晶化させて半導体結晶薄膜を形成する工程と、前記第１のレーザを用いて、前記第２のレーザの照射領域を含む矩形状のレーザビームを照射することによって、半導体結晶薄膜に生じたリッジの高さを低減する工程とを含む半導体結晶薄膜の製造方法、およびそれに用いる装置、フォトマスク。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性の経時変化が小さくかつキャリア移動度が高速でありながらも、トランジスタ特性が高精度に制御された薄膜半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】レーザ光Ｌｈの照射によって多結晶化した活性領域５ａを有する半導体薄膜５と、活性領域５ａを横切るように設けられたゲート電極９とを備えた薄膜半導体装置において、ゲート電極９と重なる活性領域５ａのチャネル部Ｃには、ゲート電極９に沿って一連の結晶粒界ａが延設されている。この結晶粒界ａは、チャネル部Ｃを横切ると共に、チャネル長Ｌ方向に周期的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】任意の大面積の絶縁膜上に結晶性及び均一性の良いシリコン薄膜を形成することが可能な半導体基板の製造方法、及び、この半導体基板を用いて高性能な半導体素子を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に絶縁膜（基体３）を介して形成された非晶質若しくは多結晶のシリコン層に矩形状の紫外線ビームをパルス状にて照射することで、凹凸のある結晶化シリコン膜（シリコン薄膜５）を形成し、研磨を行うことで、当該結晶化シリコン膜の表面状態を平坦化する工程とを有し、紫外線ビーム照射位置の移動量と、紫外線ビームの幅に対する移動量の割合を適切な値に設定することで、格子状に配列した略矩形のシリコン単結晶粒子群からなる結晶化シリコン膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グリーンレーザーのような半導体レーザーを用いて半導体薄膜の結晶化を実現する方法を提案する。
【解決手段】基板上に下地層と半導体層が順に二層以上形成させることによって、上層の半導体層に照射されたレーザーエネルギーを、上層の半導体層だけでなく、下層の半導体層にも、エネルギーを与えることによって、多層構造の半導体薄膜を１度に得る。
上層の多結晶Ｓｉ膜を透過したレーザーエネルギーを下層の非結晶Ｓｉ膜が吸収することによって生じる熱によって、下層が熱浴として働くために、上層の多結晶Ｓｉ膜に対して緩やかなアニール効果が生じて、高品質の結晶化薄膜が得られると同時に、必要なレーザーエネルギーを低減できる。メンテ、コスト、容量などの点で有利なグリーンレーザーにより高品質な薄膜を実現するものである。 （もっと読む）

【課題】 チャネルの方向を一方向に揃えなくても一定の応答速度を有するＴＦＴが作製可能な針状結晶群を生成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 本発明の光照射装置は、入射光の位相を変調するための光変調素子（１）と、光変調素子と被照射面（４）との間に配置されて、被照射面上に所定の光強度分布を形成するための結像光学系（３）とを備えている。光変調素子は、単位領域内における位相変調領域の占有面積の比率が第１方向に沿って変化する第１面積率変化構造と、単位領域における位相変調領域の占有面積の比率が第１方向とは異なる第２方向に沿って変化する第２面積率変化構造とを有する。 （もっと読む）

【課題】 〈１００〉方位の結晶粒を優先的に成長させた結晶質半導体膜を製造する。
【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、非晶質半導体膜を用意する工程と、非晶質半導体膜の少なくとも一部に対してレーザビーム１００を第１方向に相対的に走査することにより、〈１００〉方位の結晶粒を含む結晶質領域を備えた半導体膜を得る第１結晶化工程と、第１結晶化工程の後、結晶質領域に対して連続発振レーザビーム２００を第１方向とは異なる第２方向に相対的に走査することにより、〈１００〉方位の結晶粒を優先的に成長させる第２結晶化工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】レーザーアニールを行うための、均質な線状レーザービームを照射するに際し、エネルギーロスの小さい光学系とし、被照射物に十分なエネルギーを与え、またレーザー光源を長寿命として使用できるレーザーアニール装置およびレーザーアニール方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザー発振器と、レーザー光を分割拡大する複眼状のフライアイレンズと、分割拡大されたレーザー光を線状に集光する第１のシリンドリカルレンズと、線状に集光されたレーザー光の線方向の均質性を向上させる第２のシリンドリカルレンズと、均質性が向上した線状レーザー光を被照射面である半導体膜上面に集光する第３のシリンドリカルレンズと、半導体膜を前記線状に集光されたパルスレーザー光の線幅方向に相対的に移動させるステージとを有し、被照射面を上下に変化させることで、被照射面と第３のシリンドリカルレンズとの距離を変化させる。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を経ることなく、非単結晶半導体膜の所定領域を選択的に高結晶化する。
【解決手段】非単結晶半導体膜２０の所定領域Ａ３より離れた第１領域Ａ１に対して、溶融帯幅を略同一幅に維持してレーザアニールを実施する工程（Ａ）と、第１領域Ａ１の工程（Ａ）終了時の溶融部分の少なくとも一部を凝固させ、さらに、該凝固部分の少なくとも一部を、溶融帯幅が工程（Ａ）の溶融帯幅より幅狭となる条件で再溶融させる工程（Ｂ）と、第１領域Ａ１と所定領域Ａ３との間に位置する第２領域Ａ２に対して、溶融帯幅が、工程（Ｂ）終了時の溶融帯幅より段階的又は連続的に幅広になる条件で、レーザアニールを実施する工程（Ｃ）と、所定領域Ａ３に対して、溶融帯幅を、工程（Ｃ）終了時の溶融帯幅と略同一幅に維持して、レーザアニールを実施する工程（Ｄ）とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化に際し、当該半導体膜表面の平坦性および結晶性の双方を良好に実現させ、高性能な結晶性半導体を形成する形成方法および形成装置、並びに当該形成方法を用いた半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、ステージ２ａと、レーザー照射手段３と、酸素供給手段４とを備えた形成装置１を用いて、雰囲気中の酸素濃度が４×１０^２ｐｐｍから１×１０^４ｐｐｍまでの範囲となるように、雰囲気中に露出した非晶質ケイ素膜１２表面に直接酸素を供給するか、非晶質ケイ素膜１２上に酸化膜１４が形成されている場合は、雰囲気中の酸素濃度を、０を超えて、１×１０^４ｐｐｍまでの範囲となるように、非晶質ケイ素膜表面に直接酸素を供給する。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を経ることなく、非単結晶半導体膜の所定領域を選択的に高結晶化する技術を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体膜２０の所定領域Ａ４より離れた第１領域Ａ１に対して、溶融帯幅を略同一幅に維持してレーザアニールを実施する工程（Ａ）と、非単結晶半導体膜２０の第１領域Ａ１の所定領域Ａ４側に隣接する第２領域Ａ２に対して、溶融帯幅が、工程（Ａ）の溶融帯幅より段階的又は連続的に幅狭になるよう、レーザアニールを実施する工程（Ｂ）と、非単結晶半導体膜２０の第２領域Ａ２と所定領域Ａ４との間に位置する第３領域Ａ３に対して、溶融帯幅が、工程（Ｂ）終了時の溶融帯幅より段階的又は連続的に幅広になるよう、レーザアニールを実施する工程（Ｃ）と、非単結晶半導体膜２０の所定領域Ａ４に対して、溶融帯幅を、工程（Ｃ）終了時の溶融帯幅と略同一幅に維持して、レーザアニールを実施する工程（Ｄ）とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの照射領域の中心部に発生する核を除去してシリコンの電気的な特性を向上させたシリコン結晶化マスクとこれを有するシリコン結晶化装置及びシリコン結晶化方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶化マスクは、入射光を透過させ、第１方向に沿って並列に配置される複数の第１スリットと、入射光を透過させ、第１方向と直交する第２方向に所定距離、離隔して第１方向に沿って並列配置され、第１スリットの間に対応する位置に配置される複数の第２スリットとを有し、第１スリットの第２方向に沿う第１中心線は、第１スリットを実質的に同一の面積を有する２部分に分け、第２スリットの第２方向に沿う第２中心線は、第２スリットを実質的に同一の面積を有する２部分に分け、複数の第２スリットは、第２スリットの第２中心線が少なくとも一つの隣接する第１スリットの第１中心線からオフセットされるように位置合わせされる。 （もっと読む）

【課題】結晶化されたシリコンの結晶粒界の数を最小化するための、垂直方向に対する特性の向上はもとより水平方向及び垂直方向に対する異方性をも改善するシリコン結晶化用のマスク、これを用いたシリコン結晶化方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】スキャン方向に対して所定の角度で傾くスリットからなる第１のスリット群と、第１のスリット群に対して所定の角度だけ傾くスリットからなる第２のスリット群と、を備えることを特徴とするシリコン結晶化用のマスク、これを用いたシリコン結晶化方法及び表示装置。 （もっと読む）

【課題】従来のレーザ照射装置で用いられているガス噴射させるための板のサイズは大きく、レーザ光が最後に通過する光学系と、板との間にあまり距離を採ることができなかったため、レーザ光が最後に通過する光学系から照射されるレーザ光の状態を確認することが困難であった。
【解決手段】レーザ照射装置は、レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、ステージ上方に板とステージの距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光を観察することができる手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高速で、かつ高精密に位置決めした基板に予め定められた光強度分布を有するレーザー光を照射して、半導体膜を溶融・結晶化させて大結晶粒径を有する半導体膜を形成することが可能な高スループットのレーザー結晶化装置及び結晶化方法を提供する。
【解決手段】レーザー結晶化装置５００は、レーザー光発生指示信号の入力に基づいてパルス・レーザー光を発生するレーザー光源と、位相シフタ２４とを具備し、被処理基板３０を保持し、レーザー光源によるパルス・レーザー光照射位置に対して所定方向に連続移動する基板保持ステージ４０と、基板保持ステージ４０の位置を計測する位置計測手段５０と、位置計測手段５０により計測された位置に基づいて前記パルス・レーザー光の発生を指示する信号発生手段６０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】動作特性及び信頼性の向上した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、前記第１の加熱処理の際に前記結晶性半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去するとともに第２の酸化膜を形成し、前記第２の酸化膜が形成された前記結晶性半導体膜に第１のレーザ光を照射し、前記第２の酸化膜上に希ガス元素を含む半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を前記希ガス元素を含む半導体膜にゲッタリングし、前記希ガス元素を含む半導体膜および前記第２の酸化膜を除去し、前記結晶性半導体膜に第２のレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法において、半導体膜に対するレーザーアニールの効果を高める。
【解決手段】 本発明に係る結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法は、レーザー照射室内を、少なくとも水分子を含有する雰囲気とし、前記レーザー照射室内において、非単結晶半導体膜に対してレーザービームを照射することにより、前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする。これにより、結晶性、均質性が大幅に向上した結晶性半導体膜を用いて、薄膜トランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、大粒径の結晶粒を有する結晶性半導体膜を、位置を制御して形成することにより、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】
下地絶縁膜２３１と半導体膜２３２が形成された基板２３０の表面側から第１のレーザビーム２４１を照射し、基板２３０の裏面側に設置された反射層２２２で反射された第２のレーザビーム２４２を裏面側から照射することにより、半導体膜の所定の位置に結晶核２４５を形成し、横方向に結晶成長させることで大粒径の結晶粒を有する結晶性半導体膜を得るものである。 （もっと読む）