【課題】第１導電型の薄膜トランジスタと第２導電型の薄膜トランジスタとの特性のばらつきが防止され、安定して動作する信頼性の高い相補型薄膜トランジスタ回路を提供する。
【解決手段】基板の絶縁性表面上に設けられた複数の起点部のそれぞれを略中心として形成された単結晶粒を用いて形成された第１導電型の薄膜トランジスタと第２導電型の薄膜トランジスタとを備え、前記第１導電型の薄膜トランジスタ及び第２導電型の薄膜トランジスタは、ドレイン電流の向きを揃えて形成されるとともに少なくとも該第１導電型の薄膜トランジスタ及び第２導電型の薄膜トランジスタのチャネル領域が同一面方位を有する前記単結晶粒内に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】室温でも大粒径に結晶化でき、省電力、結晶化の位置ずれの発生を減少させた結晶化方法、被結晶化基板、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ及び表示装置を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体膜に光強度が単調増加と単調減少する光強度分布を少なくとも一部に有するパルスレーザ光を照射して照射部を結晶化する結晶化方法であって、前記非単結晶半導体膜は、前記レーザ光の入射面上に前記レーザ光に対して膜厚方向で且つ前記非単結晶半導体膜側に光吸収係数が徐々に大きくなるような吸収特性を有するキャップ膜が設けられたものであることを特徴とする結晶化方法。 （もっと読む）

【課題】赤色から近赤外線領域の連続発振レーザビームと可視光線から紫外線領域のパルスレーザビームを組み合わせ、基板上に蒸着された非晶質状態のシリコン薄膜を多結晶状態のシリコン薄膜に変換するＴＦＴ用多結晶シリコン薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明によるレーザアニール方法は、赤色から近赤外線領域（６００〜９００ｎｍ）の連続発振レーザビームと、可視光線から紫外線領域（５５０〜１００ｎｍ）のパルスレーザビームを重畳走査し、基板上に形成された非晶質状態のシリコン薄膜を多結晶状態のシリコン薄膜に変換する。このような方法により、低温多結晶化工程の結晶化効率を向上させることができ、結晶の均一度が高く、さらに結晶の大きさを従来の方法より大きく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】被アニール半導体膜の表面に、ラテラル結晶部分、粒状結晶部分、及び非結晶部分におけるレーザ光の反射率が下記式（１）又は（２）を充足する反射制御膜を成膜し、この反射制御膜の上から、粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつラテラル結晶部分が融解しない条件で、レーザアニールを実施する。
ＲＰ≦ＲＡ≦ＲＬ・・・（１）、ＲＰ≦ＲＬ≦ＲＡ・・・（２）
（ＲＡ：非結晶部分におけるレーザ光の反射率、ＲＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の反射率、ＲＬ：ラテラル結晶部分におけるレーザ光の反射率。） （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式（１）を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射時間を非結晶部分におけるレーザ光照射時間より長くして、レーザアニールを実施する。
｜ＥＡ−ＥＰ｜＜｜ＥＡ−ＥＰｓ｜・・・（１）
（ＥＡ：非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰｓ：非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギー。） （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】非結晶半導体からなる被アニール半導体膜に対して、ラテラル結晶が成長する条件でレーザ光を照射するレーザアニールを実施してラテラル結晶を成長させ、さらに、アニール領域をずらして、ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して、レーザアニールを再度実施して、該部分をラテラル結晶化させる操作を１回以上実施する。このとき、被アニール半導体膜の粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつ被アニール半導体膜のラテラル結晶部分が融解しない条件で、レーザアニールを実施する。 （もっと読む）

【課題】溶融・再結晶化プロセスが結晶粒径に対して飽和することがなく、パルスレーザ光の照射回数に応じて所望の結晶粒径まで成長させることができるレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】矩形状ビームの短軸方向のエネルギープロファイルを、ガウシアン形状と比較して短軸方向に均一化し、エネルギー密度がビーム走査方向前方から後方に向って連続的又は段階的に増大する領域を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式（１）を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射時間を非結晶部分におけるレーザ光照射時間より長くして、レーザアニールを実施する。
｜ＥＡ−ＥＰ｜＜｜ＥＡ−ＥＰｓ｜・・・（１）
（ＥＡ：非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰｓ：非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギー。） （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を、略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式（１）を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射条件を非結晶部分におけるレーザ光照射条件とは変えて、レーザアニールを実施する。
｜ＥＡ−ＥＰ｜＜｜ＥＡ−ＥＰｓ｜・・・（１）
（ＥＡ：非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰｓ：非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギー。） （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン基板の結晶化度測定方法及び測定システムを利用して移動度及びしきい電圧のばらつきなどの電気的特性が優れている有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置の製造方法は、非晶質シリコン基板を結晶化して多結晶シリコン基板を製造する段階と、多結晶シリコン基板にレーザーを照射してラマンスペクトルグラフを得る段階と、ラマンスペクトルグラフのピーク面積から多結晶シリコン基板の結晶化度を算出する段階と、多結晶シリコン基板を使用して薄膜トランジスタを製造する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の所定領域を選択的にかつ効率的に高結晶化する。
【解決手段】レーザアニール装置１００は、単数又は複数のレーザ光発振源を備えてなり、非晶質半導体膜２０の所定領域Ａ１の近傍領域Ａｓｃに対して、第１のレーザ光Ｘを照射して該領域を結晶化させる第１のレーザ光源１２０と、第１のレーザ光源１２０のレーザ光発振源を兼ねていない単数又は複数のレーザ光発振源を備えてなり、非晶質半導体膜２０の第１のレーザ光Ｘが照射された領域Ａｓｃの少なくとも一部及び所定領域Ａ１に対して第２のレーザ光Ｙを照射し、第１のレーザ光Ｘの照射により生成された結晶ｓｃの少なくとも一部は融解させることなく、該結晶を起点として所定領域Ａ１に結晶を成長させる第２のレーザ光源１３０と、非晶質半導体膜２０に対して、第１のレーザ光Ｘ及び第２のレーザ光Ｙを同時に又は独立に相対走査する相対走査手段１５０とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成されたシリコン膜の膜厚ムラに起因するアニール用レーザエネルギ密度の過不足を抑制して均質な帯状結晶とする。
【解決手段】ステージ２１に載置した基板２０上の非晶質シリコン膜の膜厚を予め測定して制御装置２９のメモリ３０に格納しておき、基板２０の各パネル部分の膜厚に対して適正なエネルギ密度でレーザ照射されるように、レーザ光学系を構成する透過率連続可変フィルタ６の透過率、あるいは連続発振レーザ光３のＯＮ／ＯＦＦを行うモジュレータ７に印加する電圧を調整する。 （もっと読む）

【課題】画素間の表示バラツキを小さく抑えることが可能なアクティブマトリックス方式の表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス方式の表示装置１であって、チャネル領域を構成する半導体薄膜の結晶状態が異なる複数の薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を用いて画素回路ａが構成されている。薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のうち、画素電極に直接接続された駆動トランジスタＴｒ１と比較して、これを制御するスイッチングトランジスタＴｒ２におけるチャネル領域の結晶度が低いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】無線で通信可能な半導体装置を抄き込んだ用紙であり、半導体装置を内包する部分の凹凸が目立たなく、しかも厚さ１３０μｍ以下の薄い紙を実現する。
【解決手段】半導体装置１は回路部１２とアンテナ１１を具備し、回路部１２は薄膜トランジスタで構成される。回路部１２とアンテナ１１は製造時に使用した基板から分離され、可撓性基材１３と封止層１４とで挟まれ保護されている。半導体装置１は撓ませることが可能であり、半導体装置１自体の厚みは３０μｍ以下である。半導体装置１は紙２の抄紙工程で抄き込まれる。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の酸化を防ぎ、良好な多結晶シリコン膜を得ることができると共に、絶縁性基板上に低コストで多結晶シリコン膜を形成することが可能な多結晶シリコン膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に非晶質シリコン膜を非酸化性雰囲気下で形成する非晶質シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜を非酸化性雰囲気下で多結晶化させる多結晶シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜形成工程から多結晶シリコン膜形成工程に被処理基板を移行するときの工程であって、非晶質シリコン膜を形成した後に非晶質シリコン膜形成工程の非酸化性雰囲気を大気雰囲気又は所定の酸素分圧を有する雰囲気に変化させ、その後、被処理基板２を多結晶シリコン膜形成工程に移行して、多結晶シリコン膜形成工程内の雰囲気を非酸化性雰囲気に変化させる雰囲気制御工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】局所的なレーザアニールによる帯状結晶シリコン領域の形成に際し、レーザを照射した領域の結晶状態および適正な帯状結晶領域の寸法を評価して不良発生の連続を防止する、高歩留りに製造できる、平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質シリコン膜あるいは粒状多結晶シリコン膜が形成された基板の所望の領域に、線状に整形した連続発振レーザ光を走査して帯状結晶膜領域を形成した後、基板全面の暗視野画像を撮像する。設計上の駆動回路形成部分の位置座標を順次参照して、撮像した画像から帯状結晶領域とその周辺部分を抽出し、その部分の明度分布に対応した信号強度から帯状結晶領域の結晶状態および帯状結晶領域の位置座標、寸法を評価する。評価結果が基準を満たしている場合には、その旨を製造装置の制御装置に送るとともに次工程に基板を搬出する。基準を充たしていない場合にはレーザ条件を適正化する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりもアスペクト比の小さな凹部を利用して、結晶化した半導体薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）基板表面に、複数の凹部を形成する。（ｂ）前期凹部内が埋め尽くされるように、前記基板上に、アモルファスまたは多結晶状態のシリコン膜を形成する。（ｃ）前記シリコン膜の一部に、第１のレーザパルスを入射させて、該シリコン膜を加熱し、該第１のレーザパルスの熱的影響が残っている状態で、同一位置に第２のレーザパルスを入射させることにより、入射位置のシリコン膜を一時的に溶融させ、結晶化させる。 （もっと読む）

少なくとも１つの未完成表面に、レーザアニールプロセスを施すことを含むセミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造のシステム、方法および製品。ＳＯＩ構造の製造には、さらに、ドナー半導体ウェハの注入表面にイオン注入プロセスを施して、ドナー半導体ウェハに剥離層を作成し、剥離層の注入表面を、絶縁基板に接合し、剥離層を、ドナー半導体ウェハから分離して、少なくとも１つの劈開面を露出し、少なくとも１つの劈開面に、レーザアニールプロセスを施す各工程を有してなる。
（もっと読む）

【課題】レーザアニールでラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。
【解決手段】レーザアニールは、光反射・吸収層１０３のパターンより外側に位置する半導体薄膜１０５の外部領域１０８においてはその温度が半導体薄膜１０５の融点以下であり、光反射・吸収層１０３のパターンより内側に位置する半導体薄膜１０５の内部領域１０９においては該半導体薄膜１０５が融解するようにレーザ光でパルス加熱する加熱過程と、内部領域１０９が融解した後、外部領域１０８と内部領域１０９の境界から内側に向かって外部領域１０８の多結晶粒を核としてラテラル成長が進行し、内部領域１０９の少なくとも一部に一層拡大した多結晶粒Ｌが生成する冷却過程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜を大粒径の結晶化が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、非単結晶半導体膜の結晶化領域に、光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を前記非単結晶半導体膜上に設けられた第１の光吸収層を介して照射して前記結晶化領域を結晶化するレーザ照射工程、即ち結晶化工程（Ａ）と、少なくとも結晶化された前記結晶化領域の上に形成された第２の光吸収層にレーザ光もしくはフラッシュランプ光を照射することにより前記結晶化された領域を第２の光吸収層を介して再加熱する再結晶化工程、即ち加熱工程（Ｃ）とを有する。 （もっと読む）