【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性が良好で、かつ、電気的特性のばらつきを抑制した結晶質半導体膜および前記結晶質半導体膜を容易に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、多結晶半導体膜（１２０）を用意する工程と、多結晶半導体膜（１２０）の少なくとも一部の領域に所定の元素（１３０）を注入することにより、多結晶半導体膜（１２０）の結晶化率よりも低い結晶化率を有する非晶質化領域を多結晶半導体膜（１２０）の少なくとも一部の領域に形成する工程であって、所定のエネルギービーム（１５０）に対する非晶質化領域の吸収率が所定の方向に沿って連続的に変化するように所定の元素（１３０）を注入する、工程と、非晶質化領域に所定のエネルギービーム（１５０）を照射することにより、非晶質化領域を結晶化する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜の形成に要する工程を削減することを可能とする製造技術を提供すること。
【解決手段】 液体プロセスを利用したシリコン膜の製造方法であって、基板(10)上にシリコン原子を含む液体材料(12)を塗布する第１工程と、上記第１工程において塗布された上記液体材料に対して局所的にレーザ光を照射することにより、当該レーザ光が照射された部分にシリコン膜(14)を形成する第２工程と、上記第２工程において上記レーザ光が照射されなかった部分の上記液体材料を除去する第３工程と、を含む、シリコン膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 表示装置において、各単位画素に対応する単位領域内に、耐熱性の低い材料や拡散特性のある材料によって構成される部材が予め形成された場合にも、各画素を構成する駆動素子の特性の均一化や生産性の向上を、レーザーアニールの効率を犠牲にすることなく可能とする。
【解決手段】 互いに隣り合う第１及び第２の単位領域内を、前記基板の主面に直交する仮想面について、少なくとも一部対称な配置形状として形成する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射窓の付着物を抑制することで、照射密度の均一化を図り、これによって被処理基板上に均一な膜を形成できる電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 減圧状態に維持された光照射室２内の被処理基板５にエネルギー光８を照射することにより熱処理を施す電気光学装置の製造装置１であって、光照射室２に設けられた光導入用の窓部３と、被処理基板５との間には、当該被処理基板５から放出する放出物質を付着させる防着板７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 レーザーアニールの熱によっても、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタが、そのプラスチック基板から剥離し難くさせる薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】 プラスチック基板１１を熱処理又は真空処理する工程と、熱処理又は真空処理されたプラスチック基板１１上にアモルファスシリコン薄膜２１ａを形成する工程と、アモルファスシリコン薄膜２１ａをレーザーアニール２２してポリシリコン薄膜２１ｐを形成する工程と、ポリシリコン薄膜２１ｐの所定領域に不純物イオンを添加した後にレーザーアニール２５することによって熱活性化して不純物拡散領域１３ｓ，１３ｄを形成する工程とを有する。熱処理としては、９０℃以上２００℃以下の範囲内で１０分以上の条件で行われることが好ましく、真空処理としては、１×１０^−３Ｐａ以上１×１０^−５Ｐａ以下の範囲内で６０分以上の条件で行われることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 レーザーアニールによる熱によっても、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタが、そのプラスチック基板から剥離し難い構造からなる薄膜トランジスタ搭載パネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 プラスチック基板上に形成されたアモルファスシリコンをレーザーアニールしてポリシリコン薄膜を形成し、そのポリシリコン薄膜の所定領域に不純物イオンを添加した後にレーザーアニールによって熱活性化してなる薄膜トランジスタ搭載パネルであって、プラスチック基板とポリシリコン薄膜との間に、レーザーアニール時にプラスチック基板側に伝わる熱を緩衝する熱緩衝膜を形成する。その熱緩衝膜の厚さをＴ（μｍ）、熱緩衝膜の材料の比熱をＣ（Ｊ／（ｇ・Ｋ））、熱緩衝膜の材料の比重をρ（ｇ／ｃｍ^３）、熱緩衝膜の材料の熱伝導率をκ（Ｗ／（ｍ・Ｋ））としたとき、Ｔ≧１．０２×κ／（Ｃ×ρ）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】 高い駆動能力を持つ多結晶半導体ＴＦＴと、低いリーク電流、高耐圧の特性を持つＴＦＴを同時に同一絶縁体基板上に形成する。
【解決手段】 アンダーコート用絶縁層ＵＣＬを形成した絶縁体基板ＧＬＳ上の前駆半導体膜ＰＣＦに対し、高性能な回路を構成するＴＦＴが配置される領域のみに第一のエネルギービームＬＳＲを照射して結晶粒を横方向成長させながら多結晶化する。更に第二の高速熱処理をパネル全面に行い、先のエネルギービームで多結晶化した領域ＰＳＩでは結晶粒内の欠陥を低減させ、高いオン電流、低いしきい値、低ばらつき、急峻な立ち上がり特性を持つ高性能回路用ＴＦＴ用の高品質多結晶半導体薄膜を得る。同時に第二の高速熱処理により上記以外の領域の前駆半導体層を多結晶化して、オン電流は低いが、高抵抗のためにリーク電流は低く、耐圧が高い特性を持つ画素回路ＴＦＴ用の低品質多結晶半導体薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 ＣＷレーザ光により結晶化した半導体膜を有するガラス基板の切断時に生じるクラックを防止する。
【解決手段】 基板ＧＬＳ上の半導体装置となる領域は基板切断位置ＣＵＴにより分離されている。各領域には、画素領域ＰＸＤと画素を駆動するゲート線駆動回路領域ＧＣＲおよび信号線駆動回路領域ＤＣＲ、さらに接続端子が形成される端子領域ＥＬＤが設けられている。画素領域ＰＸＤとゲート線駆動回路領域ＧＣＲにはＣＷレーザを照射していない多結晶Ｓｉ膜を用いたＴＦＴが形成されている。信号線駆動回路領域ＤＣＲの一部には、ＣＷレーザ光を照射した領域ＣＷＤが形成されており、横方向成長した結晶からなる多結晶Ｓｉ膜を用いたＴＦＴが形成されている。基板切断位置ＣＵＴには、ＣＷレーザが照射されない領域ＵＣＷが設けられており、ＣＷレーザ光を基板切断位置ＣＵＴ付近を除き照射する。領域ＣＷＤの基板表面の引張り応力に比べ、基板切断位置ＣＵＴ付近の基板表面の引張り応力は小となっており、基板切断によるクラックが抑制される。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム（伸張又は非伸張）の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。別の態様では、膜と成形ラインビームとの相互作用中に、膜でエネルギ密度を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】照射面においてエネルギー分布が均一なビームスポットを形成する光学素子および光照射装置の提供を課題とする。また、エネルギー分布が均一なビームスポットを用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】複数の反射体を側壁として、多角形状の入射口および射出口を有する光学素子を構築し、前記光学素子にビームを導入することで、照射面におけるビームスポットのエネルギー分布を均一にする。また、前記反射体同士を移動可能とすることで、所望のサイズまたは形状のビームスポットを得ることができる。さらに、前記光学素子を用いた光照射装置を用いることで、半導体装置の作製における不良も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の照射により安定して効率よく結晶粒の位置とその大きさを制御した大粒径結晶を有する多結晶半導体膜を形成し、さらにその多結晶半導体膜を薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作可能な薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】 固体レーザの基本波の照射により多結晶半導体膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であって、絶縁表面を有する基板上に下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に島状に基本波の吸収が可能な光吸収層を形成し、基本波の照射により前記島状の光吸収層を選択的に加熱することによって、半導体膜を所定の方向に結晶成長させて多結晶半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気的な特性を向上させた多結晶シリコン薄膜の製造方法及びこれを有する薄膜トランジスタの製造方法が開示されている。
【解決手段】多結晶シリコン薄膜の製造方法は、基板の第１端部に形成された非晶質シリコン薄膜の一部にレーザービームを照射して、非晶質シリコン薄膜の一部を完全液化する段階と、レーザービームによって完全液化した非晶質シリコン薄膜内でシリコングレインを成長させて結晶化する段階と、シリコングレインの大きさを増加させ、第１多結晶シリコン薄膜を形成するためにレーザービームを第１端部から第１端部と対向する基板の第２端部に所定間隔に移動させ、反復的に照射する段階を含む。このように、レーザービームを基板の第１端部から第２端部に所定間隔に移動させ、反復的に照射することによって、電気的な特性が向上された多結晶シリコン薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

多結晶質膜は、（ａ）薄膜が堆積されている基板を提供する段階であって、前記薄膜は、レーザー誘導融解させることができる、基板を提供する段階と、（ｂ）膜を、照射領域内でその厚さ全体に亘って融解させることができるだけフルエンスを有する連続レーザーパルスを生成する段階であって、各パルスは、所定の長さと幅を有する直線ビームを形成し、前記幅は、レーザーパルスによって照射される薄膜の部分で固体の核が形成されるのを防止するに十分である、連続レーザーパルスを生成する段階と、（ｃ）膜の第１領域を第１レーザーパルスで照射して第１融解帯域を形成する段階であって、前記第１融解帯域は、その長さに沿って幅が変動していることを示していて、最大幅（Ｗ_ｍａｘ）と最小幅（Ｗ_ｍｉｎ）を画定し、第１融解帯域は、冷却すると結晶化して１つ又は複数の横方向に成長する結晶体を形成する、膜の第１領域を第１レーザーパルスで照射する段階と、（ｄ）膜を、横方向成長の方向に、Ｗ_ｍａｘの約半分より長く、Ｗ_ｍｉｎより短い距離だけ横方向に動かす段階と、（ｅ）膜の第２領域を第２レーザーパルスで照射し、第１融解帯域の形状と実質的に同じ形状を有する第２融解帯域を形成する段階であって、前記第２融解帯域は、冷却すると結晶化し、第１領域内の１つ又は複数の結晶体の延長部である１つ又は複数の横方向に成長する結晶体を形成する、膜の第２領域を第２レーザーパルスで照射段階と、によって準備される。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射の重なり部が人間の目によって認識されないようにできる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁体上に形成された非晶質半導体膜に、照射面が矩形のパルス状発振のレーザ光を照射面の長手方向に交差する方向にスキャンしながら照射し第１の多結晶半導体膜を形成する第１スキャン工程と、第１の多結晶半導体膜に照射面の一部を重畳し、かつ第１の多結晶半導体膜に隣接する非晶質半導体膜にレーザ光を前記照射面の長手方向に交差する方向にスキャンしながら照射し第２の多結晶半導体膜形成する第２スキャン工程を有する半導体装置の製造方法であって、レーザ光の波長範囲が３９０ｎｍから６４０ｎｍであり、前記非晶質半導体膜の膜厚が６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

レーザーを生成するレーザー生成装置、前記レーザー生成装置で生成されたレーザービームを制御する第１及び第２光系、前記光系を通過したレーザービームの照射によって多結晶シリコン層に結晶化する非晶質シリコン層が蒸着されたパネルを装着可能なステージを備えることを特徴とするシリコン結晶化システムであり、前記第１光学ユニットは、レーザービームを横辺と横辺より長い縦辺を有するように作り、前記第２光学ユニットは、レーザービームを横辺と横辺より短い縦辺を有するように作ることができ、前記第１及び第２光学ユニットから発するレーザービームは長方形断面を有する。
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【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜に注入する。その後溶融結晶化を行う。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の照射ごとの結晶粒の長さのばらつきを抑制して、長い結晶粒を効率的に得ることができる半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも二種類のレーザ光を照射して前駆体半導体薄膜基板に含まれる固体状態の前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、前駆体半導体薄膜基板に照射される基準レーザ光の反射光のエネルギ密度変化に基づいて、少なくとも二種類のレーザ光のうち少なくとも一種類のレーザ光の、エネルギ密度、照射タイミングおよび照射時間からなる群のうち少なくとも一つを制御する工程を含む半導体薄膜の製造方法と半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

第１の態様において、本発明は、基板と、基板上に直接堆積させた多孔質シリカ（ＳｉＯ_２）の障壁層と、障壁層上に直接堆積する多結晶シリコンの薄膜とを備えるシリコン薄膜トランジスタを提供する。本発明は、そのようなトランジスタを製造する方法、そのようなトランジスタを含むディスプレイスクリーン、およびそのようなディスプレイスクリーンを製造する方法も提供する。
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