【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の単結晶半導体基板を複数用意する。各単結晶半導体基板に、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域を形成し、各単結晶半導体基板の表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層が形成された複数の単結晶基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、効率のよい半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、不純物元素を含有するような大面積基板を用いる場合において、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置の大面積化及び作製効率の向上を可能とするために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、ＳＯＩ基板を作製する。具体的には、複数の半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。ここで、トレイには単結晶半導体基板を保持するための凹部が設けられている。また、作製した半導体素子の特性に影響を与える不純物元素に対してバリア層として機能する絶縁層を設けることにより、半導体素子の特性の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の複数の単結晶半導体基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域し、また、複数の単結晶半導体基板表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をトレイに配置して、ベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜トランジスタを用いた表示デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の表示デバイスは、画素駆動用トランジスタと、該画素駆動用トランジスタの動作を制御する周辺回路部用トランジスタとを有し、前記周辺回路部用トランジスタは、絶縁性基板と、該絶縁性基板表面上に形成された第１の絶縁バッファ層と、該第１の絶縁バッファ層の表面上に形成された第１のシリコン層と、該第１のシリコン層の表面上に形成された第２の絶縁バッファ層と、該第２の絶縁バッファ層の表面上に形成された第２のシリコン層を備え、該第２のシリコン層が前記周辺回路部用トランジスタの活性層であり、前記画素駆動用トランジスタは、前記第１の絶縁バッファ層表面上に形成された、前記第１のシリコン層と同一層の第３のシリコン層を備え、該第３のシリコン層が、前記画素駆動用トランジスタの活性層である。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な高信頼性のアクティブマトリクス方式の表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に成膜したＳｉ窒化膜１０２、Ｓｉ酸化膜１０３の上に非晶質Ｓｉ膜１０４を成膜する。非晶質Ｓｉ膜１０４は脱水素処理される（図１の（ａ)）。この非晶質Ｓｉ膜１０４に炭酸ガスレーザーによるアニールと同時にＵＶ光を照射することで結晶化率が９０％以上、表面の凹凸差が１０ｎｍ以下の結晶化Ｓｉ膜が得られる（図１の（ｃ)）。この結晶化Ｓｉ膜を用いて表示装置のための薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成する。炭酸ガスレーザーのみでのアニールでは結晶化率が９０％以上の結晶化Ｓｉ膜を得るためには３５０℃以上の基板加熱が必要である（図１の（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】結晶化に続いて、所定の位置に残すことができ、その後の処理工程を妨げない手段によって種結晶を横成長させる方法並びに該方法を用いた構造体を提供する。
【解決手段】第１の半導体結晶をエッチングして種結晶領域を形成し、その上に、種結晶領域を露出させる開口部が設けられた絶縁体層、および第２の半導体膜を形成してレーザアニールし、種結晶から横成長を行う。その後、種結晶領域の上の第２の半導体膜を除去し、残っている第２の半導体膜中のトランジスタ活性領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンドの発生を抑制することを課題とする。
【解決手段】半導体膜を形成し、前記半導体膜に、一導電性を有する不純物元素を添加して、前記半導体膜中に、不純物領域、及び、チャネル形成領域を形成し、前記島状半導体上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、前記半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極を覆って、フッ素を含む絶縁膜を形成し、前記半導体膜、前記フッ素を含む絶縁膜を加熱し、前記フッ素を含む絶縁膜を加熱した後に、前記フッ素を含む絶縁膜上に、前記不純物領域に電気的に接続される配線を形成する半導体装置の作製方法に関するものである。前記フッ素を含む絶縁膜は、フッ素を含む酸化珪素膜、フッ素と窒素を含む酸化珪素膜、フッ素を含む窒化珪素膜のいずれか１つである。 （もっと読む）

【課題】レーザ条件の変動あるいは装置異常による不良が連続して発生するのを防いで、レーザアニール工程での不良を防止し、高歩留まりに表示装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】局所的なレーザアニールにより帯状結晶シリコン領域を形成しつつ、並行してレーザを照射した領域の結晶状態および適正な帯状結晶領域の寸法を評価する。評価結果が基準を充たしていない場合にはレーザ条件を適正化するように制御装置に通信を送って、レーザ条件を適正化した後、次の領域をアニールする。あるいは、必要に応じて装置を緊急停止する。アニールと検査を継続して基板内の所望の領域のアニールが完了すると、基板を搬出する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、結晶質半導体薄膜に対する評価を高精度かつ簡易に行うことが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３が形成された透明基板２０（Ｓｉ薄膜基板２）を搭載する可動ステージ１１の裏側から、ｐ−Ｓｉ膜２３へ向けてＬＥＤ１２によって、照射光Ｌoutを照射する。また、可動ステージ１１およびｐ−Ｓｉ膜２３を透過した透過光を、対物レンズ１３を介してＣＣＤカメラ１４によって受光することにより、ｐ−Ｓｉ膜２３の透過画像（透過画像データＤ１）を取得する。そして画像処理用コンピュータ１５において、透過画像データＤ１に基づいてｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 （もっと読む）

【課題】光透過性を有する基材の厚み寸法のバラつきに伴い結晶性評価精度が悪化するのを抑制することができる半導体薄膜の結晶性の評価方法を提供する。
【解決手段】シリコン半導体薄膜の所定の照射領域にキャリア励起光を照射する励起レーザ１と、赤外光を放射する半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０に対し強度変調された電流を供給することにより、当該半導体レーザ１０に波長の異なる複数種の赤外光を照射させることが可能な高周波パルス電源１８と、シリコン半導体薄膜５ａ又は基材５ｂにおいて反射された反射光であって、前記複数種の赤外光のうちの少なくとも２種の赤外光を含む反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器１３と、前記検出信号に基づいて前記シリコン半導体薄膜５ａの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】従来のＬＰＳ膜よりも平均結晶粒径が大きく、且つ、従来の固相結晶化膜（例えば、ＣＧＳシリコン膜）よりも平均結晶粒径が小さい結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、第１および第２主面を有する透明な基板を用意する工程と、基板の第１主面上に所定のパターンの遮光層を形成する工程と、遮光層の少なくとも一部を覆う半導体膜であって、遮光層と重ならない第１領域と、遮光層と重なる第２領域とを有する非晶質状態の半導体膜を形成する工程と、第２主面側から半導体膜に光を照射し第１領域の半導体膜だけを選択的に結晶化することによって第１結晶領域を形成する工程と、その後に、第２領域の半導体膜を固相結晶化することによって第２結晶領域を形成する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体薄膜の結晶性の評価を迅速かつ正確に行うことができるシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置を提供すること。
【解決手段】励起光レーザ３と、赤外光レーザ４と、赤外光の波長よりも小さな直径の小孔６ａを有し、当該小孔６ａの一方の開口に照射された赤外光を、当該孔６ａの他方の開口から滲み出る近接場光Ｌ１としてシリコン半導体薄膜２ｂに照射することが可能な金属膜６と、赤外光レーザ４から放射された赤外光のうち孔６ａの他方の開口の手前側で反射された反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器２３と、前記検出信号に基づいて薄膜２ｂの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置２６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】しきい値制御された、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜にしきい値制御のための不純物元素をイオン注入法により添加し、その後、レーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。そして、微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】レーザービームの形状や強度を正確に測定することができる測定装置を備えたレーザーアニール装置及びレーザーアニール方法を提供すること。
【解決手段】レーザー発振器３１と、レーザービームの光路内に配置され、ビームを分割してその高調波成分を除去する複屈折結晶３４と、ビームを所定の形状に成形するビーム成形手段４と、成形されたビームの被照射位置にてアニールの対象物を支持するＸ−Ｙステージ５２を備えた処理室とを有するレーザーアニール装置であって、成形されたビームの強度及び形状を検出する２以上の検出手段１を備え、検出器がビームのエネルギーを減衰させる減衰手段１４を備えているレーザービーム測定装置が、ステージ５２の周縁部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する発光装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の高周波数化に伴って生産性を向上させることが可能な多結晶半導体薄膜の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶半導体薄膜の製造装置１０１は、レーザ光を生成するレーザ生成部２と、受けた光を半導体薄膜上の第１の領域へ誘導する第１の誘導部５Ａと、受けた光を第１の領域と少なくとも一部が異なる半導体薄膜上の第２の領域へ誘導する第２の誘導部５Ｂと、レーザ生成部２から受けたレーザ光を第１の誘導部５Ａへ出力するか第２の誘導部５Ｂへ出力するかを切り替える切り替え部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜素子の製造方法において、直接描画技術を用いて、樹脂基板を損傷させることなく良質な無機膜を備えた薄膜素子を製造することができるようにするとともに、材料選択性を広くする。
【解決手段】薄膜素子１は、基板１０を用意する工程（Ａ）と、基板１０上に熱バッファ層５０を形成する工程（Ｂ）と、熱バッファ層５０を備えた基板１０上に非単結晶膜からなる被アニール膜３０ａをパターン状に形成する工程（Ｄ）と、被アニール膜３０ａを短波長光Ｌを用いてアニールして無機膜３０を形成する工程（Ｅ）とを実施して製造される。工程（Ｂ）と工程（Ｄ）との間には、少なくとも熱バッファ層５０を備えた基板１０上の被アニール膜３０ａが形成されない非パターン部分１０ｒに、短波長光Ｌが基板１０に到達する割合を低減させて、短波長光Ｌによる基板１０の損傷を防止する光カット層２０を形成する工程（Ｃ）を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製時に発生する金属汚染の影響を抑える。
【解決手段】半導体基板に水素イオンを照射し損傷領域を形成した後、ベース基板と半導体基板を接合させる。加熱処理を行って、半導体基板を劈開させＳＯＩ基板を作製する。ＳＯＩ基板の半導体層上に、Ａｒなど第１８族元素を含んだ半導体でなるゲッタリングサイト層を形成する。加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト層にゲッタリングさせる。エッチングにより、ゲッタリングサイト層を除去することで、半導体層の薄膜化を行う。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に形成された非単結晶膜からなる被アニール膜を短波長光を照射して得られる無機膜を備えた薄膜素子の製造方法において、基板に損傷を与えうる強度の短波長光を透過させうる被アニール膜を、樹脂基板を損傷させることなくアニールして良質な無機膜とする。
【解決手段】薄膜素子１は、樹脂材料を主成分とする基板１０を用意する工程（Ａ）と、基板１０上に熱バッファ層５０を形成する工程（Ｂ）と、熱バッファ層５０上に、短波長光Ｌが基板１０に到達する割合を低減させて短波長光Ｌによる基板１０の損傷を防止する光カット層２０を形成する工程（Ｃ）と、光カット層２０上に、基板１０に損傷を与えうる強度の短波長光Ｌを透過させる非単結晶膜からなる被アニール膜３０ａを形成する工程（Ｄ）と、被アニール膜３０ａ短波長光Ｌを照射することにより、被アニール膜３０ａをアニールして無機膜３０を形成する工程（Ｅ）とを実施して製造される。 （もっと読む）

【課題】結晶化を行なった時点において好適なレーザ照射条件を満たしているかどうかを確認できる結晶成長装置およびレーザ照射モニター方法を提供する。
【解決手段】第１レーザ発振器１０１は、メインレーザであって、出射されるレーザ光が半導体薄膜１１４に吸収されて半導体薄膜１１４を溶融させる。第２レーザ発振器１０６は、アシストレーザであって、出射されるレーザ光が絶縁体の基板１１３、下地の絶縁膜、または溶融した半導体薄膜１１４に吸収されて、これらを過熱する。光ビームが照射される半導体薄膜１１４上における光ビームの形状は、一例として概ね矩形状となる。コントローラ１１５は、第１レーザ発振器１０１および第２レーザ発振器１０６だけでなく、ステージ１１２の駆動をも制御する。 （もっと読む）