【課題】半導体基板の主面に形成した溝部表面へのイオン注入量やイオン注入深さのバラつきを抑え、イオンが注入されたドーパンド領域を活性化して、厚み、イオンドープ量、活性化状態がほぼ均一なドーパンド層を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面に溝部を形成し、該溝部を形成した半導体基板の主面側にイオンを注入した後、イオンが注入されたドーパンド領域にレーザを照射してアニール処理を行う半導体装置の製造方法であって、前記ドーパンド領域にイオンを注入する前に、前記溝部の側面にレーザを照射して、該溝部の側面の表面段差を平滑化する。 （もっと読む）

【課題】
エリプソメトリの技法を用いて結晶状態を迅速に判定することを可能にする。
【解決手段】
表面に多結晶シリコン薄膜が形成された試料を一方向に連続的に移動させながら試料に照明光を照射し、照明光が照射された試料からの反射光をｓ偏光成分とｐ偏光成分とに分離し、分離したｓ偏光の一部を偏光状態を変化させてｐ偏光を生成し、偏光状態を変化させて生成したｐ偏光と反射光から分離したｐ偏光の一部とを合成して合成光を作成し、作成した合成光を検出して第一の信号を得、反射光から分離したｐ偏光のうち一部を除いた残りのｐ偏光を検出して第二の信号を得、第一の信号と第二の信号とを処理して得た情報に基づいて試料の表面に形成された多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を判定するようにした。 （もっと読む）

【課題】非晶質Ｓｉをレーザアニールして得られる多結晶Ｓｉの粒径を検査する方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた非晶質Ｓｉの所定の膜厚毎に、レーザ密度とレーザアニール後の多結晶Ｓｉの平均輝度との関係を示す校正マップを準備するステップＳ１１と、レーザアニールして得られた多結晶Ｓｉ層の所定の領域毎に、平均輝度を測定するステップＳ１２と、多結晶Ｓｉ層の所定の領域毎の膜厚データを取得するステップＳ１３と、所定の領域毎の平均輝度と膜厚データとを当該膜厚データに対応する所定の膜厚の校正マップと比較して、当該領域毎の平均輝度を校正するステップＳ１４と、所定の領域毎の校正後の平均輝度を被検査対象の全領域に渡って求めて、輝度マップを作成するステップＳ１５と、輝度マップにおいて領域毎の校正後の平均輝度が所定範囲に入るか否かを判定して最適粒径範囲を決定するステップＳ１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム（伸張又は非伸張）の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の状態を光学的に観察して、多結晶シリコン薄膜の結
晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】多結晶シリコン薄膜検査装置の基板検査部を、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板に光を照射する照明手段と、照明手段により光が照射された基板から第１の方向に発生した第１の１次回折光の光学像を撮像する第１の撮像手段と、照明手段により光が照射された基板から第２の方向に発生した第２の１次回折光の光学像を撮像する第２の撮像手段と、第１の撮像手段で第１の１次回折光の光学像を撮像して得た信号と第２の撮像手段で第２の１次回折光の光学像を撮像して得た信号とを処理して基板上に形成された多結晶シリコン膜の結晶の状態を判定する信号処理・判定手段とを備えて構成した。 （もっと読む）

【課題】容易に、結晶化の溶融状態、結晶粒径及び粒径バラツキを所望の状態にしたシリコン膜を形成することができるレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射方法は、マルチモードのレーザ光を発振させる発振ステップ（Ｓ１０２）と、レーザ光を光ファイバーで伝送する伝送ステップ（Ｓ１０４）と、光ファイバーから出射したレーザ光を重畳し細長い形状に整形する整形ステップ（Ｓ１０６）と、整形されたレーザ光を短軸方向に走査しながらアモルファスシリコン膜に照射することで、ポリシリコン膜に結晶化する照射ステップ（Ｓ１０８）とを含み、照射ステップ（Ｓ１０８）では、走査速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と照射パワー密度Ｐ（ＫＷ／ｃｍ²）との関係をＫ＝Ｐ／√Ｖとし、Ｋ＞４の条件を満足する走査速度と照射パワー密度とで照射することで、レーザ照射領域に所定の溶融状態での結晶を形成させる。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を低熱負荷で均一に改質することのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１００の光学系は、一対の透明基板１０Ａ、１０Ｂと、透明基板１０Ａ、１０Ｂのそれぞれに設けられた透明電極１１Ａ、１１Ｂと、透明電極１１Ａ、１１Ｂに挟まれた液晶材１２と、透明基板１０Ａ、１０Ｂ、透明電極１１Ａ、１１Ｂおよび液晶材１２を挟む一対の偏光板１３Ａ、１３Ｂとを備えたライトバルブアレイ４を有している。透明電極１１Ｂは、ライトバルブアレイ領域１４内でマトリクス状に細分化され、それぞれの透明電極１１Ｂには、駆動回路１５の選択スイッチを介して独立に電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が低減されて結晶性が良好な半導体膜の形成方法及びその成方法を用いて製造された半導体装置並びにディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に非晶質シリコン膜１２を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２の表面に、結晶化を促進する触媒物質であるニッケルを含むニッケル薄膜１３を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２を熱処理して、非晶質シリコン膜１２を結晶性シリコン膜１２に結晶化する工程と、結晶性シリコン膜１２に、隣接する各結晶粒の結晶方位角度差が、概略１０°以下あるいは５８°〜６２°を保持する最も高い値になるようなエネルギー密度を有するエキシマレーザーを照射して、結晶性シリコン膜１２の結晶性をさらに向上させて多結晶半導体膜とする工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン膜をレーザアニールして、低温ポリシリコン膜を形成する際に、ＹＡＧレーザのような低コストのレーザ光源装置を使用しても、アモルファスシリコン膜に対して、十分なエネルギを与えて効率的に相転移させることができるレーザアニール方法及び装置を提供する。
【解決手段】ＹＡＧレーザ光源１１からの基本波を、波長変換器１２，１３で第２高調波及び第３高調波に変換し、第３高調波のレーザ光を被照射体１８に照射すると共に、基本波は、約３ｍの第３の光学系２１及び約６ｍの第４の光学系２２を経由させ、約１０ｎｓ及び約２０ｎｓ遅延させて、被照射体１８に照射する。これにより、第３高調波で溶融したアモルファスシリコン膜の溶融部は基本波がＰ波とＳ波とに分割されて照射されるので、アモルファスシリコン膜には吸収されないＹＡＧ基本波が溶融Ｓｉに吸収されてその加熱に有効に使用される。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザの照射によってシリコン薄膜を結晶化させる際に、均一な結晶化を達成する。
【解決手段】パルスレーザを出力するレーザ発振器と、前記パルスレーザを非晶質半導体に導く光学系と、前記パルスレーザを前記非晶質半導体に対し走査して照射するべく前記非晶質半導体を相対的に移動させる移動装置とを備え、前記レーザ発振器は、出力されるパルスレーザが時間的強度変化において１パルスに複数のピーク群を有し、該ピーク群のうち、最大高さを有する第１のピーク群と、その後に現れる第２のピーク群とが、ピーク強度値で（第２のピーク群）／（第１のピーク群）≦０．３５の関係を満たす製造装置とし、前記パルスレーザを非晶質半導体に照射して均一な特性を有する結晶質半導体を得る。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールに際し、レーザ出力の変動に拘わらず結晶化の均一性を確保する。
【解決手段】パルスレーザ光を非単結晶半導体膜であるシリコン膜に照射して前記非単結晶半導体膜を結晶化する半導体膜のレーザアニール装置において、第１ピークに最大ピーク高さを有するパルスレーザ光を出力するレーザ発振器１と、パルスレーザ光を非単結晶半導体膜に導く光学系４と、非単結晶半導体膜に照射されるパルスレーザ光のパルス波形における最大ピーク高さを測定する最大ピーク高さ測定部と、最大ピーク高さ測定部の測定結果を受けて、レーザ発振器１の発振条件の変化により変化するパルス波形において最大ピーク高さが所定の高さとなるように、レーザ発振器１から出力されるパルスレーザ光のレーザパルスエネルギーまたは可変減衰器２の減衰率を制御する制御部８を備える。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を半導体膜に照射する半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】発振器からレーザー光を発振させ、シリンドリカル凹レンズ及び第一のシリ
ンドリカル凸レンズを通過させることにより、レーザー光の断面の第一の方向に伸長させ
、第一のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向におけるエネルギー密度の分
布を均一にし、第二のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向と直交する第二
の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、且つ第二の方向に伸長させ、第二のシ
リンドリカル凸レンズを通過させることにより、第一の方向に収束させ、第二のシリンド
リカル凸レンズを通過したレーザー光を、半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の方向とチャネル領域の方向とが直交しているトランジスタの性能を向上させるとともに、各トランジスタの特性のバラツキを少なくする。
【解決手段】本発明の結晶性半導体膜の形成方法は、基板１１上にアモルファスシリコン膜（非晶質半導体膜）１２を形成する工程と、第１のレーザ光２０ａおよび基板１１のうちの少なくとも一方を移動させながら、アモルファスシリコン膜１２に対して第１のレーザ光２０ａを照射し、その移動方向に沿って半導体膜の結晶を成長させてアモルファスシリコン膜１２から多結晶シリコン膜（結晶性半導体膜）１３を得る工程と、多結晶シリコン膜１３に対して、第１のレーザ光２０ａよりもエネルギー量の小さい第２のレーザ光３０ａを照射して、半導体膜の厚さ方向に対して結晶を成長させて、再結晶化後の多結晶シリコン膜（結晶性半導体膜）１４を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成でき、さらに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置に対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射する工程を具え、前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体膜を簡便に得ることができる微結晶半導体膜の結晶化方法と、これを応用した薄膜トランジスタ、半導体装置、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に形成され、ソース領域となる第１非晶質領域４１、ドレイン領域となる第２非晶質領域４２、及び第１非晶質領域４１と第２非晶質領域４２との間に配置されたチャネル領域となる結晶性領域４３を有する半導体膜４と、半導体膜４上に結晶性領域４３と直接接触することなく形成され、ソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されたソース電極８１及びドレイン電極８２と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体に注入された不純物を活性化するとともに該活性化によって表面性状を一様なものにして撮像素子などとして使用する際に、良好な特性を得る。
【解決手段】半導体にレーザを照射して半導体に注入された不純物を活性化する半導体基板の製造方法において、前記不純物が活性化される第１のエネルギー密度によって前記半導体に第１のレーザを照射した後、前記第１のエネルギー密度よりも低い第２のエネルギー密度によって前記半導体の前記第１のレーザ照射面上に第２のレーザを照射するので、第１のレーザ照射でレーザアニールすることによって充分な活性化を安定して行い、さらに第２のレーザ照射でレーザアニールすることで、第１のレーザ照射で生じた不規則な表面荒れを一様な荒れにする。 （もっと読む）

【課題】多孔質ゲート絶縁層を設けることにより基板に発生する熱応力を低減し、基板の割れを防止することが可能な半導体デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極およびゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極並びに電極間を接続する半導体層を有し、ゲート絶縁層を挟んでゲート電極と反対側にソース電極、ドレイン電極とが配置された半導体素子において、多孔質ゲート絶縁層を設けることにより基板に発生する熱応力を低減し、基板の割れを防止する。 （もっと読む）

非周期パルス逐次的横方向結晶化のための開示されたシステムおよび方法は、薄膜を処理することに関する。（選択方向に薄膜を進行させながら）薄膜を処理する方法は、第１のレーザパルスおよび第２のレーザパルスにより薄膜の第１の領域を照射し、第３のレーザパルスおよび第４のレーザパルスにより薄膜の第２の領域を照射することを含み、第１のレーザパルスと第２のレーザパルスとの間の時間間隔は、第１のレーザパルスと第３のレーザパルスとの間の半分の時間間隔よりも短い。いくつかの実施形態において、各パルスは、形成されたビームを提供し、冷却の際横方向から結晶化する溶融区域を形成するために、その厚さの全体にわたって、薄膜を溶融させるのに十分な流束量を有する。いくつかの実施形態において、第１の領域および第２の領域は互いに隣接している。いくつかの実施形態において、第１の領域および第２の領域は、離間して配置される。 （もっと読む）