【課題】複数のレーザを用いて半導体膜のアニールを行うと、各々のレーザ照射領域の間隔が異なる。この工程の後に、予め基板上に形成したマーカーに合わせてリソグラフィ工程を行うと、レーザによって結晶化された部分に正しく露光されない。
【解決手段】レーザ照射工程で得られたレーザ照射領域をマーカーとし、ステッパの露光位置をこのレーザ照射領域中の大粒径領域に合わせて露光を行う。大粒径領域と結晶性不良領域では光の散乱強度が異なることを利用して、大粒径領域と結晶性不良領域を検出し、露光の位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の回路が形成されているSi層上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に多結晶もしくは非晶質Si層を積層し、これをレーザー照射及び走査により（再）結晶化して、ここに別の半導体素子の回路を形成し、これらの回路を接続する３次元半導体デバイスの製造方法に関する。レーザー（再）結晶化Ｓｉ層の結晶性を改良することにより、現在のICに適した性能を与える。
【解決手段】絶縁膜17,26をCMPにより平坦化する；多結晶又は非晶質Ｓｉ層22,32を積層し、エネルギーが照射面積当たり10J/cm²以上の固体連続波レーザーにより照射・走査行う；Ｓｉ層22,32に10¹⁴/cm²以上のドーズ量で水素イオンを添加する；その後Si層22,32が溶融しない条件加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えず、小さな面積の被剥離層だけでなく、大きな面積の被剥離層も歩留まりが良好な剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料を含む第１の層を形成する工程と、第１の層上に第２の材料を含む第２の層を形成する工程と、第２の層上に被剥離層を形成する工程と、加熱処理またはレーザー光の照射を行って、第２の層の圧縮応力を用いることにより、基板と被剥離層とを分離する工程とを含む。第１の材料は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔから選択された１つ又は複数である。第２の材料は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンである。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。また、被剥離層の形成において、熱処理温度、基板の種類等の限定を受けない剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属層を形成し、前記金属層上に酸化物層を形成し、前記酸化物層上に被剥離層を形成し、前記被剥離層を前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において物理的手段により剥離する。 （もっと読む）

第１の態様において、本発明は、基板と、基板上に直接堆積させた多孔質シリカ（ＳｉＯ_２）の障壁層と、障壁層上に直接堆積する多結晶シリコンの薄膜とを備えるシリコン薄膜トランジスタを提供する。本発明は、そのようなトランジスタを製造する方法、そのようなトランジスタを含むディスプレイスクリーン、およびそのようなディスプレイスクリーンを製造する方法も提供する。
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【課題】 チップは貼り合わせ加工すると表面に配線が露出されない。そのため、接触式の検査を行うことが難しかった。
接触式の検査は、非接触式と比べて、精度が高く、検査装置も簡便なものであるため、適用することが望まれていた。
【解決手段】 本発明は、基板上に剥離層を介して形成された半導体膜に、接続する配線を形成するため、剥離層が露出するように、または露出する直前で止めるように開口領域を形成する。その後、基板を剥離すると、配線を露出することができ、チップに対して接触式の検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】加工片をレーザによって表面処理する際に、レーザ放射を均質化する装置と方法を提供する。
【解決手段】ホモジナイザ１８でレーザ放射を均質化する装置及び方法において、レーザ１０及びホモジナイザ１８間の相対的位置及び／又は方向を測定する、又はホモジナイザ１８の効果を測定する測定機器２４と、この相対的位置及び／又は方向を測定の結果として変化させる機器２６を備え、測定信号の関数として調節してレーザ放射を均質化する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はプラスチック基板若しくはプラスチックフィルム基板のように熱的に脆弱な基板に、多結晶半導体を用いて高機能集積回路を形成したプロセッサであって、さらに無線で電力又は信号の送受信を行う無線プロセッサ、無線メモリ、及びその情報処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって島状に分離された半導体膜により、少なくともチャネル形成領域が形成されるトランジスタを有する素子形成領域、及びアンテナを有し、トランジスタは、可撓性基板上に固定されおり、素子形成領域により高機能集積回路が形成されている無線プロセッサであり、当該無線プロセッサと、半導体装置とは、アンテナを介してデータ送受信を行うことを特徴とする情報処理システムである。 （もっと読む）

【課題】 光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】 その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 装置を煩雑にせず、半導体膜の結晶ラテラル成長位置を制御することを課題とする。
【解決手段】 絶縁基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部の上に絶縁膜でなる反射膜を形成し、前記反射膜をマスクとしてレーザー光を照射することにより、露出された前記半導体膜を結晶化することを特徴とする。また、上記発明の構成において、前記反射膜は、屈折率の高い絶縁膜と屈折率の低い絶縁膜とが交互に積層された構造であることを特徴とする。具体的には、酸化珪素膜と、前記酸化珪素膜上に接して形成された窒化珪素膜と、からなることを特徴とする。より好ましくは、酸化珪素膜と、窒化珪素膜と、を何層か積層して反射膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 レンズアレイを用いて結晶化等を行う際に照射体において反射した戻り光による悪影響を回避した、レーザ発振器の安定性を高く保ち、かつ均一なレーザ処理をすることができるレーザ照射技術、並びにそれを用いる結晶化方法及び半導体装置の作製方法の提供。
【解決手段】 レーザ発振器から射出されたレーザ光をシリンドリカルレンズアレイ等のレンズアレイを通過させて複数に分割し、分割後のレーザ光を焦点を結ぶ位置でスリットの開口を通過させ、その後更に集光レンズを通過させて照射面上に照射する。
このようにして、スリットを用いることにより照射体で反射した戻り光をカットし、レーザの出力又は周波数の変動や、ロッドの破壊を防ぐものであり、その結果レーザ光の出力を安定化させ、これによって、安定して強度分布の均一なレーザ光を照射面において照射することができ、均一なアニールを行う。 （もっと読む）