【課題】本発明が目的とする技術的課題は、均一な表示特性を有するシリコン結晶化方法及びそれを用いた有機発光表示装置を提供することにある。
【解決手段】絶縁基板上に非晶質シリコン層を蒸着する工程と、レーザービームの透過領域と遮断領域を有するマスクを通じて前記レーザービームを照射することで前記非晶質シリコン層を溶融する工程と、前記溶融されたシリコン層が凝固して結晶化する工程とを含み、前記マスクの遮断領域と前記透過領域の境界線の少なくとも一部は階段状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを用いずに製造可能で、所望の形状に直接描画できるパターン化結晶質半導体薄膜を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主成分とする非晶質薄膜を成膜し、前記非晶質薄膜の一部を結晶化することにより半導体化し、前記一部が結晶化した薄膜の非晶質部分をエッチングによって除去することにより得られるパターン化結晶質半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】エキシマレーザーにより、α−Ｓｉ層に加えられた熱は、絶縁層を介して金属遮光層へ伝わり、冷却されることで再結晶化される。この場合、金属層のパターン形状により、α−Ｓｉ層の冷却速度は影響を受ける。そのため、多結晶シリコン層の特性は金属層のパターン形状の影響によりばらつくという課題がある。
【解決手段】形状および間隔を揃えた矩形の金属遮光層１０５の、長手方向に向けてエキシマレーザーを走査し、α−Ｓｉ層を多結晶シリコン層１１５に改質する。長手方向に向けてエキシマレーザーを走査することから、金属遮光層１０５が連続した状態でレーザーアニールが進む。そのため、金属遮光層１０５上での多結晶シリコン層１１５は均質性が高くなる。そのため、金属遮光層１０５上に形成されるＴＦＴ１０１の電気的特性が均質化し、液晶装置１００の表示均一性を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従
来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省ス
ペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚５０μｍ以下
の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを
特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり
、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたＦＰＣ上に薄膜素
子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってボンド基板とベース基板によって閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、低コストで省資源である方法を採用し、実用性に富み、任意の場所、任意の形状に金属又は半導体を二次元的又は三次元的に形成できる半導体素子及びその製造装置を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造１Ａを持つ層構造３０Ａを準備し、還元反応構造１Ａに対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ還元反応構造１Ａに対して２次元的又は３次元的に走査することが可能な熱源を用い、この熱源によって酸化還元反応が起こる温度以上に還元反応構造１Ａの一部を走査しつつ選択的に加熱して、炭素材料により金属酸化物材料又は半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、所望の形状の金属領域又は半導体領域（金属層又は半導体層３Ａ）を形成することによって製造されることを特徴とする半導体素子４０Ａとすることにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】光センサーと遮光膜を有する半導体装置において、段切れや膜剥がれに起因にする歩留まりの低下を防止することができるとともに、暗電流の増大を防止して光センサーの性能の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオード１５を構成するポリシリコン膜を形成する部分Ｂの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ１が、遮光膜２８の周縁に対応した部分Ａの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ２より薄くなるように、非晶質シリコン膜３０を薄膜化する。そして、非晶質シリコン膜３０にレーザー光を走査して、非晶質シリコン膜３０を多結晶化させてポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 格子定数が異なる複数種類の半導体素子を同一の基板上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、シリコン基板２１の一部に絶縁膜２２を形成し、シリコン基板２１と絶縁膜２２上にアモルファスＳｉＧｅ層２３を形成し、シリコン基板を熱処理し、アモルファスＳｉＧｅ層２３を絶縁膜２２上に横方向に固相若しくは液相成長させて結晶化し、シリコン基板２２と絶縁膜２２上に格子定数が後に形成される材料層の格子定数に整合されたＳｉＧｅ層２３ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。または、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタに最適な結晶面をチャネル形成領域とすることにより、性能向上を図ることを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に（２１１）面から±１０°以内の面を上面とする島状の単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の上面及び側面に接して形成し、且つ絶縁表面上に非単結晶半導体層を形成し、非単結晶半導体層にレーザー光を照射して非単結晶半導体層を溶融し、且つ、単結晶半導体層を種結晶として絶縁表面上に形成された非単結晶半導体層を結晶化して結晶性半導体層を形成し、結晶性半導体層を用いて、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】外部から局所的に圧力がかかっても破損しにくい半導体装置を提供する。また、
外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方
法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層上に、有機
化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体を設け、加熱圧着す
ることにより、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体
及び素子層が固着された半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウム（Ｇｅ）半導体を自己組織的に実現するＧｅ半導体製造方法。
【解決手段】 シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）からなるＳｉＧｅ薄膜を融液成長により固化させ、結晶化されたＳｉＧｅ薄膜中に自己組織的に出現したＧｅ偏析に起因するＧｅ高濃度構造を形成する。さらに酸化濃縮技術を利用してＧｅ濃度を高めることを特徴としたＧｅ半導体製造方法。 （もっと読む）

【課題】特定方向の基板反りを抑制できる半導体装置基板の製造方法を実現する。
【解決手段】ガラス基板１１の裏面に、ストライプ形状にパターニングされた応力制御層５１を形成する。応力制御層５１の形成後に、ガラス基板１１のおもて面にＣＬＣ技術を用いて多結晶シリコン膜を形成する。応力制御層５１のストライプの長手方向は、ＣＬＣ技術において使用される連続波レーザの走査方向と垂直な方向に一致させる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層を溶融状態にすることによって酸素の外方拡散を促進する。具体的には、ベース基板上に設けられた酸素を含有する接合層と、前記酸素を含有する接合層上に設けられた単結晶半導体層と、を有するＳＯＩ構造を形成し、前記ベース基板の温度を５００℃以上の温度であって前記ベース基板の融点よりも低い温度に加熱した状態において、前記単結晶半導体層をレーザー光の照射により部分溶融させることによって、ＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの役割に応じて能動層を構成する結晶シリコン層の結晶粒の粒径を
異ならせることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】このＥＬ装置１００（表示装置）は、金属層２１および基板１の表面上に形
成されるバッファ膜２２および２３と、金属層２１が形成されない領域上のバッファ膜２
３の表面上に形成される能動層２４を有する画素選択用トランジスタ７と、金属層２１が
形成される領域上のバッファ膜２３の表面上に形成される能動層２５を有する駆動電流制
御用トランジスタ８とを備え、駆動電流制御用トランジスタ８の能動層２５を構成する結
晶シリコン層５０（結晶シリコン領域５０ｂ）の結晶粒の平均粒径は、画素選択用トラン
ジスタ７の能動層２４を構成する結晶シリコン層５０（結晶シリコン領域５０ａ）の結晶
粒の平均粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】撓みやすい基板をベース基板として用いる場合であっても、半導体層が設けられた基板（ベース基板）を歩留まりよく作製する。
【解決手段】半導体層が設けられた基板の作製方法において、基板上に設けられた半導体層にレーザ光を照射して当該半導体層の表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。そして、前記半導体層の表面を平坦化する工程において、前記レーザ光の照射により前記半導体層が完全溶融するのに必要な最小の照射エネルギー密度を１００％としたとき、前記半導体層に照射する前記レーザ光の照射エネルギー密度を７２％以上９８％以下とし、好ましくは８５％以上９６％以下とする。 （もっと読む）

【課題】大粒径の結晶粒をち密に形成することができ、かつ低温処理の要求を満たすことができる結晶化方法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体膜のレーザ光入射面上にキャップ膜を設け、単調増加と単調減少を繰り返す断面逆三角形状ピークパターンを有する光強度分布のレーザ光を非単結晶半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の加熱に伴うスリップが発生せず、ウェーハ表面のボイド欠陥に起因したエピタキシャル膜の表面粗さの低下も解消可能なエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン製のシリコンウェーハの表面にアモルファスシリコン膜または多結晶シリコン膜を堆積後、この膜を高エネルギ光の照射で溶融、固化し、単結晶シリコンに変質させる。これにより、エピタキシャル膜の液層エピタキシャル成長を可能とし、エピ成長時の加熱に伴うスリップの発生を無くせる。しかも、仮にウェーハ表面にボイド欠陥が存在しても、溶融により、表面の平坦度が高いエピタキシャル膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射条件に起因する半導体装置の特性のばらつきを低減することを目的の一とする。又は、基板の熱収縮に起因する半導体装置の特性ばらつきを低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射した後、第１の熱処理を施してその特性を向上させ、単結晶半導体層に導電型を付与する不純物元素を添加した後、第１の熱処理の温度より低い温度で第２の熱処理を行う。 （もっと読む）