【課題】表示領域周辺にリーク電流の小さい、ｐｏｌｙ−Ｓｉによるボトムゲート型ＴＦＴを用いて駆動回路を形成する。
【解決手段】ゲート電極１０３を融点の高いＭｏによって形成し、その上にゲート絶縁膜１０４を形成する。ゲート絶縁膜１０４上にｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７によるチャネル層を形成し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７をａ−Ｓｉ層１０８で覆う。ａ−Ｓｉ層１０８上にｎ＋Ｓｉ層１０９を形成し、その上にＳＤ電極（１１０、１１１、１１２）を形成する。ゲート電極１０３に負の電圧（逆バイアス）が印加された場合、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７には正孔が誘起されるが、この正孔はａ−Ｓｉ層１０８を通過することができないので、ドレイン電流は流れない。したがって、リーク電流の小さな、ｐｏｌｙ−Ｓｉを用いたボトムゲート型ＴＦＴを実現できる。 （もっと読む）

【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜を能動層として用いる半導体装置の製造方法であって、低圧化学気相堆積法で堆積温度が４３０℃未満且つ堆積速度が０．５ｎｍ／ｍｉｎ以上の状態で、高次シランを含む原料気体を用いて非晶質半導体膜を堆積する工程と、前記非晶質半導体膜を固相にて結晶化させ結晶性半導体膜を形成する工程と、前記結晶性半導体膜の一部を溶融させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】要求される特性を満たした半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴としている。これにより、周辺回路領域と画素領域とに適した単結晶半導体層を用いた半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に高エネルギーを有する少なくとも一種類の粒子により該高エネルギーを供給することにより加熱し、加熱した半導体層表面に研磨処理を行う。高エネルギーの供給による加熱処理により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】下部ゲート電極に影響を受けることなく半導体膜を結晶化できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の作製方法は、基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に絶縁膜１０７を形成し、絶縁膜１０７上に下部ゲート絶縁膜１０３を形成し、下部ゲート絶縁膜１０３上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜を結晶化することにより下部ゲート絶縁膜１０３上に結晶質半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜上に上部ゲート絶縁膜１０５を形成し、上部ゲート絶縁膜１０５上に上部ゲート電極１０６ａ，１０６ｂを形成し、前記剥離層を絶縁膜１０７から剥離し、絶縁膜１０７を加工することにより下部ゲート絶縁膜１０３を露出させ、前記露出した下部ゲート絶縁膜１０３に接する下部ゲート電極１１５ａ、１１５ｂを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜を多結晶化させる際に半導体膜がその下層のパターンから受ける影響が半導体膜の電気的性能に及ぶのを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１１上に、電流経路予定部分に対応してパターン１３を形成するパターン形成ステップと、パターン形成ステップで形成したパターン１３を覆うように基板１１上に半導体膜１５を形成する半導体膜形成ステップと、半導体膜形成ステップで形成した半導体膜１５の少なくとも電流経路予定部分に対し、その電流経路方向に垂直な方向にレーザー光Ｌを走査して半導体膜１５を多結晶化させる多結晶化ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】水素イオン注入法により、ベース基板がガラス基板のような耐熱性の低い基板でなり、表面の平坦性が高く、１００ｎｍ以下の薄い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】接合層を介して半導体基板とベース基板を貼り付ける。加熱処理を行い、半導体基板を分割することで、半導体基板から分離された半導体層が固定されたベース基板を得ることができる。この半導体層にレーザ光を照射し、溶融させることで、半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつその結晶性を回復させる。レーザ光の照射の後、半導体層をエッチングなどにより薄くする。以上の工程を経ることで、ベース基板上に厚さ１００ｎｍ以下の単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】不純物による半導体層の汚染を防ぎ、支持基板と半導体層との接合強度を高めることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に第１のハロゲンを含む酸化膜を形成し、第２のハロゲンのイオンを照射することによって半導体基板中に分離層を形成すると共に第２のハロゲンを半導体基板に含ませ、水素を含む絶縁膜を挟んで半導体基板と支持基板とを重ね合わせた状態で加熱処理を行って、分離層で半導体基板の一部を分離させることにより、支持基板上に第２のハロゲンを含む半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】耐熱温度が低い基板を用いた場合でも結晶半導体層を備えた半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の一部に溝を形成し、凸部を有する半導体基板を形成し、当該凸部を覆うように接合層を形成する。また、接合層を形成する前において、凸部となる半導体基板に加速されたイオンを照射して、脆弱層を形成する。接合層及び支持基板を接合させた後、半導体基板を分離する熱処理を行うことで支持基板上に半導体層を設ける。当該半導体層を選択的にエッチングして、半導体素子を形成し半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶化プロセスにおいて均質な核を発生させることにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成する。
【解決手段】半導体膜５の下地層又はキャップ層として光触媒層４を形成する。光触媒層４に吸収される波長をもつ励起光８を光触媒層４に照射しながら、半導体膜５にレーザ光１を照射して、半導体膜５を溶融及び固化させることにより結晶化させる。この方法により、光触媒層４の超親水作用によって半導体融液の濡れ性が改善する。このため、半導体膜５の融点近傍で、半導体膜５と光触媒層４の界面に結晶核を発生させることができ、これにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】銅めっきをアンテナに用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止し、また、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、アンテナと集積回路の接続不良に伴う半導体装置の不良を防止する装置を提供する。
【解決手段】半導体装置によると、同一の基板１０２上に集積回路１００とアンテナ１０１とが一体形成された半導体装置において、銅めっき層１０８をアンテナ１０１の導体に用いた場合に、アンテナ１０１の下地層１０７に所定の金属の窒化膜を用いているので銅の回路素子への拡散を防ぎ、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を低減できる。また、アンテナの下地層の金属の窒化物の一つにニッケルの窒化物を用いることで、アンテナと集積回路の接続不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能で駆動電圧の低い半導体素子を有する低消費電力な半導体装置を、複雑な工程を経ることなく作製することを目的とする。
【解決手段】半導体層の局所的に薄膜化された領域を、加熱処理により周辺の半導体層を溶融し、その溶融した半導体材料を流動させることによって形成する。薄膜化領域に開口を有する島状の半導体層を形成し、開口周辺の半導体層端部をレーザ光により局所的に加熱することによって溶融し、溶融した半導体材料を開口に流動させ開口を充填する。流動した半導体材料によって開口は埋められ、固化することによって膜厚の薄い半導体層領域となる。従って半導体層は局所的に薄膜化領域を有する連続した半導体層となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネル領域に用いた場合にそのキャリア移動度を高め、且つ、特性ばらつきを小さくする多結晶半導体薄膜の製造方法、多結晶半導体薄膜、半導体装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】多結晶半導体薄膜の製造方法は、特定のエネルギー密度の結晶化エネルギーを特定方向に走査しながら付与することにより、所定領域の非晶質珪素膜の膜面に平行に｛１０１｝面が優先配向し、結晶化エネルギーの走査方向に｛１００｝面が優先配向し、結晶化エネルギーの走査方向に対して直交する方向に｛１０１｝面が優先配向した結晶面を有する多結晶珪素の結晶核を形成する結晶核形成工程と、優先配向した結晶面に対応する領域以外の領域に非晶質珪素膜を形成する結晶核制御工程と、非晶質珪素膜に珪素膜の結晶化を助長する触媒物質を導入して膜面と略平行な方向に結晶成長させる結晶粒成長工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 レーザーアニール時に生じるレーザービームのコヒーレント性に起因する走査方向に対して斜めの縞状の照射痕を低減できるレーザーアニール装置及びその方法の提供。
【解決手段】２方向以上の直線偏光成分を含むレーザービームを生成するレーザー発振器１と、レーザービームの光路内に設けられ、レーザービームを所望のライン状ビームに成形するビーム成形手段と、成形されたレーザービームの被照射位置にてレーザーアニールの対象物を支持する載置台を備えた処理室とを有するレーザーアニール装置において、前記レーザービームの光路内に、波長板４を、この波長板４の遅延軸に対する垂線と、レーザービームの偏光方向のうちの長軸方向とが所定の角度をなすように配置したレーザーアニール装置、及びその方法。 （もっと読む）

【課題】 強度分布の均一なレーザービームを用いてレーザーアニールを行う。
【解決手段】レーザー発振器１１、レーザービームを２以上に分割させるビームホモジナイザ１３、分割されたレーザービームを一つに重ね合わせる集光手段、及び重ね合わされたレーザービームが照射される基板を載置する載置台を備えたレーザーアニール装置１であって、集光手段と載置台との間に２以上のスリット板１６、１７が配置され、それぞれのスリット板の開口部１６１、１７１の長手方向の長さは、レーザービームの長手方向の長さより短く、載置台に近づくにつれて順次短くなるように構成されているレーザーアニール装置。 （もっと読む）

【課題】レーザ光照装置において、装置サイズを大型化することなく、より大きな光強度を有し光強度のムラが低減されたレーザ光をスポット状に集光させる。
【解決手段】マルチ横モード半導体レーザ２２３から射出されたレーザ光Ｌａ〜Ｌｄのうちの２つのレーザ光Ｌａ、Ｌｄおよび他のレーザ光Ｌｂ、Ｌｄそれぞれを偏光合波して同一光路へ伝播させ、偏光合波されたレーザ光Ｌａｃと他のレーザ光Ｌｂｄを、全てのレーザ光の光軸が所定面Ｈｐにおいて互に交わるように角度合波させるとともに、レーザ光Ｌａｃ、Ｌｂｄの各光軸について対称な位置を伝播する２つの波面成分の所定面Ｈｐ上での干渉性を干渉性低減手段１２８Ａ，１２８Ｂで低減させて、集光光学系２３０により各レーザ光Ｌａ〜Ｌｄを所定面Ｈｐ上へスポット状に集光させる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子を基板から剥離し、可撓性を有する半導体装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】既存の大型ガラス基板の製造装置を用いて、ガラス基板上にモリブデン膜及びその表面に酸化モリブデン膜を形成し、酸化モリブデン膜上に非金属無機膜及び有機化合物膜を積層し、有機化合物膜上に比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子を形成した後、その素子をガラス基板から剥離する。 （もっと読む）

【課題】Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとを同一基板上に形成する場合に、プロセスを増加させることなく、ＴＦＴや各種回路に要求される特性を確保することが可能な半導体装置の構成及びその作製方法を提案する。
【解決手段】半導体層３３は、チャネル形成領域３３ａとソース領域又はドレイン領域として機能するｎ型を示す不純物領域３３ｂ、３３ｃとに加えて、チャネル形成領域３３ａの下方、ここではチャネル形成領域３３ａの絶縁層３２と接する側の表面付近にボロンが添加された不純物領域３３ｄを有している。また、半導体層３４は、チャネル形成領域３４ａとソース領域又はドレイン領域として機能するｐ型を示す不純物領域３４ｂ、３４ｃとに加えて、チャネル形成領域３４ａの下方、ここではチャネル形成領域３４ａの絶縁層３２と接する側の表面付近にボロンが添加された不純物領域３４ｄを有している。 （もっと読む）

【課題】チャネル長の長いトランジスタの高速駆動を実現するとともに、チャネル長の短いトランジスタにおける特性の変動を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置（１００）は、第１多結晶領域（Ｐ１）を有する第１半導体層（１１２）と、第１ゲート電極（１１４）とを含む第１トランジスタ（１１０）と、第２多結晶領域（Ｐ２）を有する第２半導体層（１２２）と、第２ゲート電極（１２４）とを含む第２トランジスタ（１２０）とを備える。第２チャネル領域（Ｃ２）のチャネル長は第１チャネル領域（Ｃ１）のチャネル長よりも短く、第２多結晶領域（Ｐ２）の平均結晶粒径は第１多結晶領域（Ｐ１）の平均結晶粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】低消費電力かつ高信頼性を付与された半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上にソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を含む半導体層と、半導体層側面を覆う第１の側壁絶縁層と、半導体層及び第１の側壁絶縁層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層と、ゲート電極層側面を覆う第２の側壁絶縁層とを有し、ゲート絶縁層は半導体層のチャネル形成領域を覆っており、ソース領域及びドレイン領域は表面にシリサイドが設けられている。 （もっと読む）