【課題】Ｓｉ薄膜の結晶性、特に結晶配向性を向上できる新規な結晶性Ｓｉ薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、実質的に酸化ケイ素からなる薄膜で挟まれている、実質的にケイ素からなるアモルファス性薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融した後に冷却して、アモルファス性薄膜を結晶性薄膜に変換する溶融冷却工程と、溶融冷却工程に先立って、アモルファス性薄膜及び／又は酸化ケイ素からなる薄膜の膜厚を、結晶性薄膜の結晶配向性が向上するように調整するケイ素膜厚調整工程とを有する結晶性ケイ素薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】微小構造体、当該微小構造体を制御する電気回路を同一基板上に形成したマイクロマシンおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】電気回路の半導体素子はゲート電極上に半導体層を有する。半導体素子の半導体層は、基板１０１上で、非晶質シリコンを加熱処理またはレーザ照射により結晶化した多結晶シリコンを含む層でなる。得られた多結晶シリコンを含む層を構造体１１９の可動電極などの構造層１０８にも用いられる。そのため、構造体１１９と構造体１０８を制御する電気回路を同一基板上に同時に形成することができる。その結果、マイクロマシンを小型化することができる。また、組み立てやパッケージが不要となり、製造コストを低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板上の半導体薄膜の結晶化において問題となる結晶の表面の凹凸の生じない結晶化装置および結晶化方法を提供する。
【解決手段】基板１上の半導体薄膜２に、基板１に平行な方向の結晶成長を生じさせる結晶化装置および方法であって、ビームは、所定の間隔を設けて同時に基板１に照射される主ビーム９と補助ビーム１０とにより構成され、主ビーム９により結晶化される際に生じる半導体表面の凹凸を補助ビームで平坦化する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの利用効率を向上させると共に、ＤＭＤにおける迷光の影響を排除し、均一なビームスポットで照射パターンを形成することのできるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置は少なくともレーザ発振器と回折光学素子と微少なミラーが二次元的に多数並べられた光学素子とを有し、該レーザ発振器から射出したレーザビームは回折光学素子によって複数のレーザビームに分割され、該レーザビームは複数のマイクロミラーにおいて偏向される。また、該前記複数に分割されたレーザビームのそれぞれは互いに等しいエネルギーを有する。 （もっと読む）

【課題】金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜中の当該金属元素の影響を抑え、優れた性能を備えた半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】結晶化を助長する金属元素を利用して得た結晶性珪素膜で構成された活性層と、前記活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、を有し、前記ゲイト絶縁膜は、ハロゲン元素を含有する絶縁膜を有する。ハロゲン元素を含有する絶縁膜によって、結晶化を助長する金属元素を固定化し、ゲイト絶縁膜の機能低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの半導体層への付着を抑制することができ、火炎の安定性向上と均熱化促進を図ることができ、さらに、ノズルヘッドの冷却を促進することができ、低温プロセスで大面積の半導体基板の熱処理を品質良く行うことが可能な半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に半導体層を形成する工程と、前記基板を、前記半導体層が下方に向くように配置する工程と、ガスバーナーの火炎を熱源として、前記半導体層を下方から熱処理する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜を得るレーザアニール装置のレーザ光のエネルギーの最適エネルギーを求めることができるようにすることを目的とする。
【解決手段】アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るレーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法において、このポリシリコン膜の表面からの暗視野経路の散乱光をカラーカメラ７を用いて撮像し、このカラーカメラ７よりのカラー映像信号より青色成分信号の信号強度特性ｂを得、この信号強度特性ｂの第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーの近傍のエネルギーをこのレーザ光の最適エネルギーとするようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】光学系の光路長を短縮したり、照射面におけるレーザ光の長さを長くすると、前記レーザ光の両端がぼける場合がある。
【解決手段】光学系の光路長を短くしたり、照射面におけるレーザ光の長さを長くすると、レーザ光のレンズに対する入射角度や入射位置によって集光位置が異なってしまう現象（像面湾曲）が生じる。そこで、本発明は、凹レンズや凹シリンドリカルレンズなどの光学素子を挿入して、集光位置を照射面に一致させて、前記照射面上に像を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射による損傷を抑制して効率的に半導体薄膜を製造することができる半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも二種類のレーザ光を照射して前駆体半導体薄膜基板に含まれる固体状態の前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、前駆体半導体薄膜基板に照射される基準レーザ光の照射部位の反射率を検知する工程と、少なくとも一種類のレーザ光の照射時間を制御する工程と、を含むことを特徴とする半導体薄膜の製造方法と半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】他の半導体装置と一体形成が可能な不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリを構成するメモリ素子、スイッチング素子，および他の周辺回路をＴＦＴでもって基板上に一体形成する。メモリ素子ＴＦＴの半導体活性層の厚さが、他のＴＦＴの半導体活性層の厚さよりも薄いので、メモリ素子ＴＦＴのチャネル領域でインパクトイオン化が起こりやすくなる。こうすることによって、メモリ素子の低電圧書込み／消去を実現することができ、劣化が起こりにくく、小型化が可能な不揮発性メモリが提供される。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの照射領域の中心部に発生する核を除去してシリコンの電気的な特性を向上させたシリコン結晶化マスクとこれを有するシリコン結晶化装置及びシリコン結晶化方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶化マスクは、入射光を透過させ、第１方向に沿って並列に配置される複数の第１スリットと、入射光を透過させ、第１方向と直交する第２方向に所定距離、離隔して第１方向に沿って並列配置され、第１スリットの間に対応する位置に配置される複数の第２スリットとを有し、第１スリットの第２方向に沿う第１中心線は、第１スリットを実質的に同一の面積を有する２部分に分け、第２スリットの第２方向に沿う第２中心線は、第２スリットを実質的に同一の面積を有する２部分に分け、複数の第２スリットは、第２スリットの第２中心線が少なくとも一つの隣接する第１スリットの第１中心線からオフセットされるように位置合わせされる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生が抑制されると共に、ガラス基板が使用できる温度で素子分離をおこない微細な素子を形成できる方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に下地膜を形成する第１工程と、下地膜上に半導体膜を形成する第２工程と、半導体膜上に該半導体膜の酸化又は窒化を防止する膜を所定のパターンに形成する第３工程と、ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より１００℃以上低い温度とし、半導体膜の所定のパターンに覆われていない領域をラジカル酸化又はラジカル窒化して素子分離をおこなう第４工程とを有し、ラジカル酸化又はラジカル窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された半導体膜上において、電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下好ましくは１．０ｅＶ以下、電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上１×１０^１３ｃｍ^−３以下であるプラズマ処理室でおこなわれる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置用基板を加熱処理する工程において、特に、半導体層を結晶化させる際の結晶化工程に用いた場合に、結晶粒界の発生が少なく、結晶化度が高い半導体層を形成することができる電気光学装置用基板の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱ユニットを備えた電気光学装置用基板の製造装置において、加熱ユニットは加熱部を含むとともに、加熱部の一端を回転中心として、加熱部と、電気光学装置用基板と、を相対的に円運動させるための回転部を備える。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、同一工程で設けられた微小構造体と半導体素子とを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１上の微小構造体となる領域に第１の犠牲層１０３、その上に構造層１０５が設けられる。また半導体素子となる領域には半導体層１０４を成膜する。構造層には金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを用いる。この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れず破壊応力が高く構造層に好適となる。またこの多結晶シリコンは半導体層１０４としても使うことが可能で、微小構造体と半導体素子を同一基板上に設けることができる。続けて構造層の上には第２の犠牲層１０８が設けられ、半導体層の上には導電層等が設けられる。最終的には第１と第２の犠牲層は除去され、構造層の下方と上方に空間を有する微小構造体とする。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光源の特性の経時的な劣化などに起因する光束の波面の歪みの影響を抑えて所望の光強度分布を安定的に形成することのできる光照射装置。
【解決手段】 レーザ光源（１）と、レーザ光源からの光に基づいて光変調素子（３）を重畳的に照明するためのホモジナイザを含む照明光学系（４）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を所定面（６）に形成する結像光学系（８）と、レーザ光源とホモジナイザとの間に配置されて入射光束の波面を補正して射出する波面補正光学素子（５）と、波面補正光学素子とホモジナイザとの間の光路から光束を取り出して該光束の波面を測定する波面測定部（９，１０）と、波面測定部の出力に基づいて波面補正光学素子を制御する制御部（１１）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜を薄膜化して半導体デバイスの特性を向上させ、且つリーク電流を低減できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多結晶半導体膜１０３ａ上に金属膜であるアルミニウム膜１２１ａを形成し、前記アルミニウム膜にプラズマ酸化処理を施すことにより、前記アルミニウム膜を酸化して酸化アルミニウム膜１０４を形成するとともに、前記多結晶半導体膜１０３ａと前記酸化アルミニウム膜との間に酸化珪素膜１００ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた結晶性半導体膜を有する半導体基板を安定的に製造することが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に結晶性半導体膜を有する半導体基板の製造方法であって、上記製造方法は、絶縁基板上の非晶質半導体膜から結晶性半導体膜を形成するに際し、少なくとも３回の結晶化工程を行う半導体基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】周辺回路用の薄膜トランジスターの結晶化シリコン薄膜の生成の照射エネルギー密度を画素用の照射エネルギー密度よりも高めるという単に照射エネルギー密度を変えるのみでは、特性の良い両者を生成することができない。
【解決手段】画素用の薄膜トランジスターの結晶化シリコン薄膜は、レーザ発振器１０１より発したレーザ１０２の走査方向のビームサイズが半値幅Ｗ１で１０μｍより大きく、かつ、画素用の照射エネルギー密度：Ｅ１として薄膜シリコン１０６に照射し、結晶化シリコン薄膜となし、周辺回路用の薄膜トランジスターの結晶化シリコン薄膜は、Ｗ２が半値幅で１０μｍ以下、かつ、照射エネルギー密度：Ｅ２を画素用の照射エネルギー密度Ｅ１よりも高めると共に、送りピッチ２μｍ／ｐ以下として薄膜シリコン１０６に照射し、結晶化シリコン薄膜となす。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとしてレーザ光を整形するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】膜と相互作用するようにレーザビームを整形して均一化するためのシステム及び方法。整形及び均一化システムは、レンズアレイと、レンズアレイからレーザ光を受け、レンズアレイ内の各レンズに関して平面内にそれぞれの細長い像を生成するように位置決めされたレンズとを含むことができる。更に、システムは、平面内に位置決めされた縁部を有するビームストップと、細長い像の１つとビームストップ縁部との間のアラインメントを変えるためにレンズアレイのレンズを回転させる可動マウントとを含むことができる。 （もっと読む）