【課題】特定の方向にラテラルに成長させた多結晶半導体膜を用いて、しきい値電圧の異なる複数の薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】特定の方向にラテラルに成長させた第１の結晶質半導体層１４を用いて形成された第１の薄膜トランジスタと、特定の方向にラテラルに成長させた第２の結晶質半導体層１８を用いて形成された第２の薄膜トランジスタとを備え、第１の結晶質半導体層１４の結晶成長方向１０と、第１の薄膜トランジスタのチャネル方向１５とのなす角度が±１０°以下であり、第２の結晶質半導体層１８の結晶成長方向１０と、第２の薄膜トランジスタのチャネル方向１９とのなす角度が８０°以上１００°以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】画素部や駆動回路の要求に合わせてＴＦＴの構造を最適化しようとす
ると製造工程が複雑となってしまう。また、触媒元素を添加して結晶質半導体膜
を形成した場合、触媒元素の濃度を十分に低減しないでＴＦＴを形成するとオフ
電流が突発的に上がってしまう等の問題がある。
【解決手段】第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極の外側に設け
られた第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有し、第２のｎチャネル型ＴＦ
Ｔの半導体層はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ゲート電極の
外側に設けられた第３の不純物領域を有し、ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲ
ート電極と一部が重なるように設けられた第４の不純物領域、ゲート電極の外側
に設けられた第５の不純物領域を有する半導体装置であり、触媒元素を用いて形
成された結晶質シリコン膜からバリア層を介して希ガス元素を含む半導体膜に触
媒元素を移動させる。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームで完全溶融させて、厚さが５０ｎｍ以下の大粒径結晶でなる半導体膜を形成する。
【解決手段】半導体膜の表面に断面が三角形の凸部を形成する。凸部の形状は錐体または三角柱である。半導体膜の凸部に入射したレーザビームは大きく屈折され、凸部と空気との界面で全反射されながら、基板に向かって進む。また、凸部からレーザビームを半導体膜に入射させているため、絶縁膜と半導体の界面に入射したレーザビームが全反射する確率が高くなる。このように、凸部からレーザビームを半導体膜に入射させることで、レーザビームが半導体膜中を伝搬している時間が長くなり、半導体膜の吸収率を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥が小さくかつ表面粗さの特性が良好なチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンネル膜を有する半導体装置の製造方法は、チャンネルシリコン膜を形成するために、まず単結晶シリコン基板１００上に、上部表面から延長して突出した部位を含む第１単結晶シリコン膜１１０を形成する。第１単結晶シリコン膜１１０の上部表面に犠牲膜１１２を形成する。第１単結晶シリコン膜１１０の前記突出した部位及び犠牲膜１１２の一部が除去されるように第１単結晶シリコン膜１１０及び犠牲膜１１２を１次研磨して第２単結晶シリコン膜及び犠牲膜パターンを形成する。前記犠牲膜パターンを除去し、前記第２単結晶シリコン膜を研磨してチャンネルシリコン膜を形成する。前記工程によると、単結晶シリコン膜の研磨厚さを減少させることができ、チャンネルシリコン膜は表面粗さの特性が良好であり、厚さが平坦となる。 （もっと読む）

【課題】ＤＯＥのデフォーカスの影響を抑制したレーザ照射装置およびレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置２０は、第１レーザ照射部材と第２レーザ照射部材とを備える。第２レーザ照射部部は２つの照射光学系を有する。２つの照射光学系の各々は回折光学素子としてのＤＯＥ１０、１１を含む。２つの照射光学系のそれぞれに含まれるＤＯＥ１０、１１は、互いに同じ光学特性を有する。２つの照射光学系のそれぞれから照射される第２レーザ光Ｌ１、Ｌ２は、互いに同じ強度を有する。第２レーザ光Ｌ１、Ｌ２が基板１２の表面に対して斜め方向から入射するとともに、基板１２の表面に対する入射角度θが同じであって互いに反対方向から当該表面に入射し、第２レーザ光Ｌ１、Ｌ２の照射領域が一致するように、２つの照射光学系は配置されている。 （もっと読む）

【課題】厚さが４０ｎｍ以下の半導体膜をレーザビームで完全溶融させて、大粒径結晶とする。
【解決手段】絶縁表面上に島状の半導体膜１２を形成する。半導体膜１２に隣接して、ミラーとして機能する構造体１３を形成する。構造体１３は金属膜で形成される。半導体膜の上方からレーザビーム１４を照射する。構造体１３で反射されたレーザビーム１４は、側面１２ａから半導体膜１２に入射する。スネルの法則に従って、入射したレーザビーム１４は、半導体膜１２と空気の界面、および半導体膜１２と絶縁膜１１との界面で全反射されながら、半導体膜１２中を伝搬する。その結果、半導体膜１２が完全溶融し、大粒径結晶が形成される。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高い複合処理を行う。
【解決手段】 一方向に長いフィルム状基板を、フィルム状基板の長さ方向に搬送する搬送装置と、フィルム状基板上に、成膜を行う成膜装置と、成膜装置で成膜が行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜のアニールを行う第１のレーザ処理装置と、第１のレーザ処理装置でアニールが行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜の一部を除去する第２のレーザ処理装置とを有する複合処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＬＡＸ−ＴＦＴの特性向上とＥＬＡ結晶化のスループットの向上を実現する。
【解決手段】同一基板１０１上に擬似単結晶半導体１１３を用いた薄膜トランジスタと粒状の多結晶半導体１１２を用いた薄膜トランジスタの形成における結晶化前の非晶質半導体膜の膜厚を、擬似単結晶半導体部分２０５＞多結晶半導体部分２０６とした。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射による経時的に均一な加工が可能なレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置１０は、レーザ光源１１と、レーザ光源１１からのレーザ光を照射して加工する被加工物２０をセットするための被加工物セット部１２と、レーザ光源１１から被加工物セット部１２までのレーザ光路に介設された光学素子１４１，１４２，１５，１６，１７と、レーザ光源１１と光学素子１４１，１４２，１５，１６，１７との間のレーザ光路に開閉可能に介設された第１シャッター１３１と、光学素子１４１，１４２，１５，１６，１７と被加工物セット部１２との間のレーザ光路に開閉可能に介設された第２シャッター１３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 注入する不純物の種類または濃度が異なる３種類の半導体層を作り分けるために必要なレジストの形成に用いる露光マスクの数を１つにする。
【解決手段】 基板の上に、第１の領域および第２の領域は覆われ、第３の領域は開口した第１のレジストを、第１の領域における厚さが第２の領域における厚さよりも厚くなるように形成する第１の工程と、第１のレジストをマスクにして、第３の領域にある半導体膜のみに不純物を注入する第２の工程と、第１のレジストを薄くして、第１の領域は覆われ、第２の領域および第３の領域は開口した第２のレジストを形成する第３の工程と、第２のレジストをマスクにして、第２の領域および第３の領域にある各半導体膜に同時に不純物を注入する第４の工程と、第１の領域および第２の領域ならびに第３の領域にある各半導体膜に同時に不純物を注入する第５の工程とを有する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表示装置を含む絶縁基板上に、ＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタを同時に集積してなる画素制御回路を形成する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に設けられ所定の方向に結晶化された半導体薄膜（１０５）に形成された半導体薄膜を用いて形成された複数の半導体素子を有する電子装置または表示装置であって、複数の半導体素子は、ＭＯＳトランジスタ（３００）と、少なくともラテラルバイポーラ薄膜トランジスタ（１００）またはＭＯＳ−バイポーラハイブリッド薄膜トランジスタ（２００）のいずれかを含む電子装置または表示装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は格別の工程の増加を伴うことなく、トランジスタの性能を飛躍的に改良するとともに小型化・高集積化した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】 基板上に形成された絶縁膜の側壁又は基板段差部の側壁を覆う絶縁膜に接して形成された半導体結晶化薄膜をチャネルの一部とすることを特徴とする薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成されたシリコン膜の膜厚ムラに起因するアニール用レーザエネルギ密度の過不足を抑制して均質な帯状結晶とする。
【解決手段】ステージ２１に載置した基板２０上の非晶質シリコン膜の膜厚を予め測定して制御装置２９のメモリ３０に格納しておき、基板２０の各パネル部分の膜厚に対して適正なエネルギ密度でレーザ照射されるように、レーザ光学系を構成する透過率連続可変フィルタ６の透過率、あるいは連続発振レーザ光３のＯＮ／ＯＦＦを行うモジュレータ７に印加する電圧を調整する。 （もっと読む）

【課題】画素間の表示バラツキを小さく抑えることが可能なアクティブマトリックス方式の表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス方式の表示装置１であって、チャネル領域を構成する半導体薄膜の結晶状態が異なる複数の薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を用いて画素回路ａが構成されている。薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のうち、画素電極に直接接続された駆動トランジスタＴｒ１と比較して、これを制御するスイッチングトランジスタＴｒ２におけるチャネル領域の結晶度が低いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】視認性の優れた高画質な表示機能を有する信頼性の高い表示装置を提供することを目的とする。またそのような表示装置を工程、装置を複雑化することなく、高い信頼性を付与して作製することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子と電気的に接続し、発光素子を駆動させる薄膜トランジスタとして、ｐチャネル型薄膜トランジスタを用いる場合、そのｐチャネル型薄膜トランジスタのカットオフ電流を駆動回路のｐチャネル型薄膜トランジスタより低くする。具体的には表示装置の構成する薄膜トランジスタの半導体層に対して選択的にチャネルドープを行う。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上にＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタを同時に集積できる素子構造および製法を提供する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に形成された半導体薄膜（１０５）に形成されたエミッタ（１０２）、ベース（１０３）、およびコレクタ（１０４）を有するラテラルバイポーラトランジスタ（１００）において、半導体薄膜（１０５）が所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるラテラルバイポーラトランジスタ。また、絶縁基板上に形成された半導体薄膜に形成されたＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ（２００）において、半導体薄膜（２０５）は所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】表面にアルミニウム系電極膜を含むＭＯＳゲート構造の形成後に、通常の浅い拡散層用のドーパントであるＰ、Ａｓを使用しながら、高価な高エネルギーイオン注入装置を用いることなく、裏面に深いｎ型拡散層を形成させて特性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板の表面側にアルミニウム系金属電極が被覆されたＭＯＳゲート構造を形成し、裏面側を研磨した後、裏面に前記ｎ型半導体基板より高不純物濃度のｎ型フィールドストップ層とｐ型コレクタ層をこの順に形成する半導体装置の製造方法において、前記フィールドストップ層が、リンまたは砒素をドーパントとするドープドアモルファスシリコン層を堆積する工程と、該ドープドアモルファスシリコン層を熱処理する工程とにより形成されるｎ型半導体シリコン層を繰り返し積層して形成される半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等のガラス基板上にレーザービームを用いて擬似単結晶膜を形成する際の、半導体膜に生ずる凝集の発生を防止する。
【解決手段】一方向に結晶が長く成長したシリコン膜を用いたＴＦＴは機械研磨がされていないガラス基板を用いる。機械研磨が必要な場合でも、ＴＦＴを形成する面には機械研磨を施さない。このような構成により、レーザービーム４１により、擬似単結晶６２を形成するさい、凝集によるスポット状欠陥６３、ライン状の凝集６４によるライン状の欠陥を防止できる。 （もっと読む）

【課題】増幅回路内の寄生抵抗を、補正抵抗を設置することで調整し、増幅回路を安定に動作させる。
【解決手段】カレントミラー回路において、カレントミラー回路内の寄生抵抗に対して、寄生抵抗を補正する補正抵抗が設置されている半導体装置であり、カレントミラー回路は、少なくとも２つの薄膜トランジスタを有するものである。薄膜トランジスタのそれぞれは、チャネル形成領域、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極を有しており、補正抵抗は、ゲート電極、ソース電極、もしくはドレイン電極のいずれか１つの寄生抵抗を補正するものである。また補正抵抗はそれぞれ、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極、もしくはソース領域またはドレイン領域と同じ材料を含む導電層を有するものである。 （もっと読む）