【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の画像を検出して多結晶シリコン薄膜の表面の状態を観察し、多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】多結晶シリコン薄膜の検査装置を、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板１００に光を照射する光照射手段８００と、光照射手段８００により基板１００に照射された光のうち多結晶シリコン薄膜を透過した光または多結晶シリコン薄膜で正反射した光の近傍の多結晶シリコン薄膜からの散乱光の像を撮像する撮像手段８２０と、この撮像手段８２０で撮像して得た散乱光の画像を処理して多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査する画像処理手段７４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。石英管４、真鍮ブロック５、蓋６には冷媒流路が設けられ、冷媒としての水が流れることによって各部材が冷却される。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。蓋６の下面にマニホールド８、１０やガス供給穴９、１１となる溝が形成されており、２つの部材の表面に沿って染み出してくる構成である。 （もっと読む）

【課題】非晶質上に低コストで高性能な半導体装置を形成する技術を提供する。
【解決手段】ＧｅがＳｉ濃度よりも高濃度に含まれた疑似Ｇｅ領域（２）を含有し、該領域のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも高濃度であり、リボン形状をした結晶粒（１）は、互いに平行で且つ直線状に配置している疑似Ｇｅ領域（２）に挟まれる構造を有し、結晶粒（１）内においてＧｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であり、且つ結晶粒（１）内のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも低濃度であり、さらに各々の結晶粒（１）は相互に同一の方位を有する結晶粒から成っていることを特徴とする非晶質上の半導体薄膜からなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させると共に、電気的特性を改善することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に成膜された非晶質シリコン膜２０に、ガラス基板１１の裏面側からレーザ光を照射することによって、縦成長モードで多結晶シリコン膜３０を形成する。多結晶シリコン膜３０は、溶融した半導体の表面に高い密度で形成された種結晶からガラス基板１１側に向かって固化することにより形成される。これにより、多結晶シリコン膜３０の表面付近には、微結晶シリコン領域を多く含む不完全結晶層３２が形成される。そこで、不完全結晶層３２をエッチングにより除去して、多結晶シリコン膜３３を形成し、多結晶シリコン膜３３を活性層とするＴＦＴを製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の成長方向を多結晶化すべき位置に応じて任意に調整することができ、その位置において、結晶粒の成長方向が一定の方向に揃った低温ポリシリコン膜を得る。
【解決手段】マスク３には、一方向に延びるレーザ光の遮光領域３１と透過領域３２とが、前記一方向に垂直の方向に隣接するように設けられている。このマスク３を介してマイクロレンズ５によりレーザ光をチャネル領域形成予定領域７に照射する。透過領域３２を透過したレーザ光が、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜に照射されてこの部分をアニールして多結晶化する。次に、マスク３を取り外して、予定領域７の全体にレーザ光を照射すると、既に多結晶化している領域は融点が上昇していて溶融せず、アモルファスのままの領域が溶融凝固して多結晶化する。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有
用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を
形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製
する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、
プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／
ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の状態を光学的に観察して、多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】本発明では、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板に光を照射し、光が照射された多結晶シリコン薄膜の表面から発生する１次回折光の像を撮像し、撮像して得た１次回折光の像の画像を処理して多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査し、画像を処理して検査した１次回折光の像を検査した結果の情報と共に画面上に表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布されたシリコン粉末に対して短時間かつ容易に不純物を導入して、ヘテロ接合を有した多結晶シリコン膜を形成する技術を提供すること。
【解決手段】基板上にリン又は砒素の不純物を含むシリコン粉末を塗布した後、シリコン粉末の表面に、プラズマ処理を施すことで前記シリコン粉末の表面を溶融させて、再結晶化することでＮ型の多結晶シリコン膜を形成し、ノンドープのアモルファスシリコンとホウ素を含むアモルファスシリコンとを形成する工程を含み、ヘテロ接合を有した多結晶型太陽電池パネルを製造する方法を提供することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】基板中に形成されたトレンチ中に、単結晶のゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウムを形成する改良された方法を提供する。
【解決手段】誘電体分離３（例えばＳＴＩ）を有する基板１を準備する工程と、基板材料１（例えばＳｉ）のトレンチエッチング４を行う工程と、トレンチ４内への充填層５（例えばＧｅ）の選択成長を行う工程と、略溶融温度での充填層６の加熱により、充填層５（例えばＧｅ）の再結晶化７により達成される。 （もっと読む）

【課題】様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】強磁性材料からなるシートを支持体とし、前記強磁性材料からなるシートに接する接着材と、該接着材に接する絶縁膜上に素子とを備える。上記構成において、前記素子は、薄膜トランジスタ、有機化合物を含む層を有する発光素子、液晶を有する素子、メモリー素子、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子、またはシリコン抵抗素子であってもよい。また、上記各構成において、前記強磁性材料からなるシートは、軟質磁性粉体と合成樹脂とを混合して形成され、着磁されたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）と半導体基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】溝部が設けられた半導体基板に、イオンを照射して半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して半導体基板とベース基板を貼り合わせると共に、半導体基板の溝部とベース基板とにより囲まれた空間を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域において半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の厚みを適当な範囲に制御することによって、大きいドレイン電流を有するとともに、所望の電気的特性を備える半導体装置の製造方法、を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有し、第１の層７ｍと第２の層７ｎとを有する半導体膜７を形成する工程を備える。半導体膜７を形成する工程時、第１の層７ｍに含まれる水素の割合は、第２の層７ｎに含まれる水素の割合よりも小さい。半導体装置の製造方法は、半導体膜７を熱処理することによって、半導体膜７に含まれる水素を低減する工程と、ゲート絶縁膜１７およびゲート電極２１を形成する工程と、半導体膜７にソース領域９およびドレイン領域１３を形成する工程と、半導体膜７を水素雰囲気中で熱処理することによって、半導体膜７に含まれる水素を０．５原子％以上１０原子％以下に設定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】イオン注入を行わずに低コストで製造できる構造形態を備えた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１０上（又は第１下地膜１１乃至第２下地膜１２上）に設けられたポリシリコン半導体膜１３と、ポリシリコン半導体膜１３上に離間して設けられたソース電極１５ｓ及びドレイン電極１５ｄと、ポリシリコン半導体膜１３上にゲート絶縁膜１４を介して設けられたゲート電極１５ｇとを少なくとも有する。ポリシリコン半導体膜１３は、面内方向にソース電極接続領域１３ｓ、チャネル領域１３ｃ及びドレイン電極接続領域１３ｄを有し、チャネル領域１３ｃにはドーパントが含まれておらず、ソース電極接続領域１３ｓ及びドレイン電極接続領域１３ｄは基板１０側からソース電極側及びドレイン電極側に向かってドーパント一定濃度層２１とドーパント減少傾斜層２２’とを有する。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリコンに結晶化差が発生することが抑制されるレーザマスク、及びこれを利用した逐次的横方向結晶化方法を提供する。
【解決手段】レーザマスクは、光透過部、及び光透過部を介在して相互離隔する光遮断部を含むマスク基板と、光遮断部に対応してマスク基板に位置し、凹凸形状を有する凹凸部とを含む。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板に光センサ、光電変換素子、太陽電池素子を有する半導体装置を作成する。
【解決手段】第１の基板上１０１に金属膜１０２、絶縁膜１０３及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜１００及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第１の半導体素子を形成した後、前記第１の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第２の基板１１５を接着したのち、前記第１の粘着材１１６を除去して前記支持体を剥離し、前記第１の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第２の半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、絶縁表面上に所定の間隔を隔てて互いに平行に配列された複数の短冊状の半導体膜と、前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面を覆うゲート電極を有する半導体装置である。半導体膜の上部及び側部をチャネル形成領域とすることで、電流駆動能力を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜への不純物の拡散を抑えつつ、歩留まりの低下を抑えることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化させることで、酸化膜が形成された半導体基板を形成する。そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。そして、窒素原子を含む絶縁膜とガラス基板を接合させた後、半導体基板を分離することで、ガラス基板上に窒素原子を含む絶縁膜、酸化膜、薄膜の半導体膜が順に積層されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）