【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊を発生させることなく、短時間で乾燥処理を行う。
【解決手段】ウエハＷを乾燥させる際に、まず、Ｎ2供給ノズル２８からＮ2を供給させた状態で表面にパターンが形成された複数枚のウエハＷを垂直姿勢で保持したリフタ８の表面に対して垂直方向にウエハＷを傾けるように、第１の傾斜手段３３は、リフタ８を制御する。次に、ウエハＷの表面に対して水平方向にリフタ８を傾けるように、第２傾斜手段４０によりリフタ８を制御する。これにより、パターン溝７２に残存した液溜り８０が溝底面７３を流れパターン側面７１から排出されるため、残存した液を効率よく排出できる。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象面内の清浄度およびその均一性を高めさらにメンテナンスも容易なＵＶオゾン洗浄装置を提供すること。
【解決手段】ＵＶ照射室（１０）内に２つのＵＶユニット（２０Ａ、２０Ｂ）を備えており、これらＵＶユニットは所定の間隔を有するように対向して設けられている。この間隔内には、洗浄対象物（３０）が基板搬送部（４０）により把持された状態で搬送される。オゾン発生の源となるエアーと不活性ガスの混合ガスは第１および第２のガス供給部（５０Ａ、５０Ｂ）から、ＵＶ照射室（１０）内に搬送された基板（３０）の表面に向けて供給される。ガス排出部（６０）は、装置（１００）の底部に設けられており、ＵＶ照射室（１０）内で発生したオゾン含有ガスは、装置上部に設けられた排気ユニット（７０Ａ、７０Ｂ）の作用により、ガス排気経路部（８０Ａ、８０Ｂ）を通ってガス排出部（６０）から外部へと排出される。 （もっと読む）

【課題】特殊な酸化剤を用いることなく微細突起の発生を抑制できる異方性ウェットエッチング方法およびＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを構成する赤外線センサＡは、シリコン基板１ａを用いて形成されており、シリコン基板１ａの一表面側において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成されている。ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 （もっと読む）

【課題】汚染物質の粒子の除去効率に優れ、洗浄による基板へのダメージも少ない洗浄方法の提供。
【解決手段】汚染物質の粒子の除去のために基板を洗浄液で洗浄する方法であって、前記洗浄液として、電気陰性度が前記汚染物質よりも大きく、分子容積が１３０Å^３以下である鎖状のハイドロフルオロカーボンおよびハイドロフルオロエーテルから選ばれる溶剤を用いることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】異種基板と貼り合わせた窒化物系化合物半導体基板の一部を異種基板から除去することにより窒化物系化合物半導体層を異種基板上に製造する方法において、窒化物系化合物半導体層におけるリーク電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板等の支持基板２０上に窒化ガリウム層３０を有する基板生産物１を製造する方法であって、窒化ガリウム基板１０の表面１０ａにイオン注入を行う工程と、表面１０ａを洗浄する工程と、表面１０ａと支持基板２０の表面２０ａとを互いに接合させる工程と、窒化ガリウム基板１０のうち表面１０ａを含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化ガリウム層３０を支持基板２０上に形成する工程とを含む。表面１０ａを洗浄する工程の際、洗浄後の表面１０ａにおけるＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，及びＳｉの密度を合計で１×１０^１８［ｃｍ^−３］以下とする。 （もっと読む）

【課題】露光装置の露光空間を構成する部材を良好に洗浄することにより、露光不良によるデバイスの欠陥を低減する露光装置及び露光装置の洗浄方法を得ることを課題とする。
【解決手段】露光装置の投影光学系の最終面とこの最終面に対向する基板ステージの表面との間の空間を形成する部材を洗浄するために、洗浄液又はリンス液を吐出する洗浄ノズルと、この洗浄ノズルに前記洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄ノズルに前記リンス液を供給するリンス液供給手段と、前記洗浄液供給手段及び前記リンス液供給手段の供給を制御する制御手段とを備え、この制御手段は、前記洗浄ノズルから洗浄液を吐出する前後に、前記リンス液を洗浄液の吐出に連続して供給するように制御することができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の曲率半径が８ｍ以上である。 （もっと読む）

半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ナトリウムなどの水溶液が用いられるが、アルカリ成分中の金属不純物が処理中に基板表面に吸着してしまうため、次工程として吸着した金属不純物を除去する工程が必要となる。また洗浄液の場合には、微粒子の除去には効果があるが、金属不純物は洗浄出来ないために酸洗浄を行う必要があり、工程が複雑となる。本発明では、アルカリ性水溶液で金属不純物の吸着がない、さらには洗浄能力を持つ基板処理用水溶液組成物を提供する。
【解決手段】
アルカリ成分と、特定のキレート剤とを組み合わせた基板処理用アルカリ性水溶液により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に付着した金属を洗浄除去する。必要に応じて、金属防食剤および界面活性剤を加えて、金属材料の腐食を抑え、あるいは基板への親和性および微粒子除去能力を高めることも可能である。 （もっと読む）

【課題】 ガラス又はシリコン基板表面の平坦性を損ねることなく、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた電子材料用洗浄剤及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】アニオン成分が一般式（１）で示されるアニオン性界面活性剤（Ａ）と、炭素数６〜１８のアルケン及び一般式（２）で示される有機溶剤からなる群から選ばれる１種以上の有機溶剤（Ｂ）と、アルカリ成分（Ｃ）とを含有してなり、前記（Ｂ）のＳＰ値が６〜１３であり、有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨが１０〜１４であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｒ¹［−（ＯＡ¹）_a−Ｑ^- ］_b （１）
Ｒ³［−（ＯＡ²）_c−ＯＨ］_d （２） （もっと読む）

【課題】超音波洗浄における被洗浄物の洗浄ムラを抑制し、洗浄槽数を削減して装置のコストを低減することができ、パーティクル除去を効果的に行うことができる超音波洗浄装置および超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、被洗浄物を浸漬して洗浄するための洗浄液を収容する洗浄槽と、該洗浄槽に超音波を伝搬するための伝搬水を収容する超音波伝搬槽と、前記超音波伝搬槽の下部に配置され振動子により超音波を前記伝搬水に重畳する振動板と、洗浄する被洗浄物を前記洗浄槽中に保持する保持治具とを具備し、前記被洗浄物が前記保持治具で保持されて前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬され、前記洗浄槽が前記超音波伝搬槽内の伝搬水に浸され、前記振動板により重畳した超音波を伝搬水を介して洗浄槽に伝搬させて前記被洗浄物を超音波洗浄する超音波洗浄装置であって、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させる伝搬槽揺動機構を具備する超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】 低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 特定の構造を有するアニオン成分と、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、炭素数０〜２５のアンモニウムカチオン、特定のアミン又はアミジン化合物にプロトンが付加したカチオンからなる群から選ばれる１種以上のカチオン成分からなるアニオン性界面活性剤（Ａ）を含有する電子材料用洗浄剤であって、（Ａ）の０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験により測定される起泡力が５０ｍｍ以下であり、泡の安定度が５ｍｍ以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性や指紋などの有機物の洗浄性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にする半導体基板用洗浄剤を提供する。
【解決手段】一般式（１）のノニオン性界面活性剤および一般式（２）のノニオン性界面活性剤から選ばれる１種以上のノニオン性界面活性剤（Ａ）、アニオン性界面活性剤（Ｂ）並びに水（Ｃ）を含有してなる半導体基板用洗浄剤。


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【課題】 実質的にアルカリ金属原子を含有せず、洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にするエレクトロニクス材料用洗浄剤を提供することにある。
【解決手段】 有機酸（Ａ）の第４級アンモニウム塩（Ｂ）を含有してなるエレクトロニクス材料用洗浄剤であって、アルカリ金属原子およびアルカリ土類金属原子の合計含有量が洗浄剤の重量に基づいて０．０１重量％以下あり、第４級アンモニウム塩（Ｂ）が、ｐＫａが１１〜４０の第３級アミン（Ｃ）と炭酸ジメチルとの反応で得られた第４級アンモニウム炭酸塩と、有機酸（Ａ）とのアニオン交換反応によって得られた第４級アンモニウム塩であることが好ましい。また、第４級アンモニウム塩（Ｂ）の重量平均分子量は１，０００〜１，０００，０００であることが好ましい。 （もっと読む）