【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル１４２に現像液を供給する現像液供給装置１９０は、現像液貯槽２０１と、現像液ノズル１４２との間に設けられた中間貯槽２０３と、現像液に直流電圧を印加する電極２０４と、電極２０４に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット２０５と、中間貯槽２０３へ洗浄液を供給する洗浄液供給管２１０と、中間貯槽２０３から洗浄液を排出する廃液管２２０と、を有している。電極２０４は、中間貯槽２０３に設けられている。 （もっと読む）

【課題】過硫酸含有硫酸溶液を用いた電子材料の洗浄を廃液を伴うことを短時間かつ効果的に行うことを可能にする。
【解決手段】７０質量％以上の硫酸溶液を電解する電解部１１と、電解部１１で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽２１と、オゾンを生成するオゾン生成部（オゾン発生器２８）と、オゾン生成部で生成されたオゾンを洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部（オゾン供給管２６、バブリングノズル２７）を備える電子材料洗浄装置１を用いて、電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に電子材料１００を浸漬して洗浄を行うとともに、洗浄中に洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することでオゾンの分解を促し、優れた酸化力を得る。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のフォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去する洗浄工程を簡略化し、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】ＳＰＭ洗浄、ＡＰＭ洗浄およびＨＰＭ洗浄を行わず、過硫酸生成装置を用いて生成された過硫酸を含む硫酸溶液を用いて半導体ウエハの表面を洗浄し、フォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去した後に、半導体ウエハを純水洗浄し、乾燥させる。これにより、過酸化水素水の補充を必要とするＳＰＭ洗浄を行う場合に比べて高いレジスト除去性能を維持し、また、少ない工程で洗浄を完了することができる。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ半導体の第１の表面に第１の酸化膜を形成する工程（ステップＳ４）と、第１の酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）と、ＳｉＣ半導体において第１の酸化膜が除去されることにより露出した第２の表面に、ＳｉＣ半導体装置を構成する第２の酸化膜を形成する工程（ステップＳ６）とを備える。第１の酸化膜を除去する工程（ステップＳ４）と、第２の酸化膜を形成する工程（ステップＳ６）との間において、ＳｉＣ半導体は大気が遮断された雰囲気内に配置される。 （もっと読む）

【課題】性能を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含むＳｉＣ半導体を準備する（ステップＳ１〜Ｓ３）。ＳｉＣ半導体の第１の表面を洗浄することにより、第２の表面を形成する（ステップＳ４）。第２の表面上にＳｉ元素を含む膜を形成する（ステップＳ５）。Ｓｉ元素を含む膜を酸化することにより、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】異種金属が露出した基板表面の洗浄において卑金属の溶解を防止する。。
【解決手段】基板保持台２６に保持された基板２４表面の周縁部の上方にノズル２１を配置し、カーボン電極２３Ａを通じて電圧発生装置２９により電圧を印加された薬液２１３をノズル２１から基板２４表面の周縁部に供給する。次に、薬液２１３をノズル２１から供給しながら、基板２４表面の中央部の上方にノズル２１を移動させた後、薬液２１３をノズル２１から基板２４表面の中央部に供給する。 （もっと読む）

【課題】電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。
【解決手段】電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段１とウエット洗浄手段２と枚葉式洗浄装置３とを備える。薬液洗浄手段１は、機能性薬液貯留槽６と、この機能性薬液貯留槽６に濃硫酸電解ライン７を介して接続した電解反応装置８とを有する。この機能性薬液貯留槽６は、機能性薬液供給ライン１０を介して枚葉式洗浄装置３に機能性薬液Ｗ１を供給可能となっている。ウエット洗浄手段２は、純水の供給ライン２１と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン２２と、これら純水供給ライン２１及び窒素ガス供給ライン２２がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル２３とを備える。二流体ノズル２３の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴Ｗ２を噴射可能となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理時間の短縮を図ることができる洗浄方法、洗浄システム、及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】希釈硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、高濃度の無機酸溶液と、前記酸化性溶液と、を洗浄対象物の表面に、個別に、順次または略同時に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、半導体装置の洗浄工程において半導体装置の半導体層の腐食防止を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層と、前記半導体層に接続した電極部と、前記電極部に接続した、前記半導体層および前記電極部の構成材料よりイオン化傾向の大きい金属からなる犠牲金属層と、を備える。本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハに、半導体層と前記半導体層に接続した電極部を有する半導体装置と、前記半導体層と電気的に接続した電気接触領域と、を形成する形成工程と、洗浄液の電位に対して負の電位を導き得る導電体を、前記電気接触領域に接続する接続工程と、前記半導体ウェハを前記洗浄液に浸漬した状態で、前記電気接触領域に前記負の電位を印加しながら、洗浄する洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の加工面の傷や加工時に生じる不純物などを効果的に除去する洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により作製したＳｉＣ成形体を所望の形状に加工した後、酸洗浄し、次いで、（１）該ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を陽極として２．０Ｖ以上の正電位を印加して表面に二酸化ケイ素の膜を形成する電解研磨処理、（２）引き続き、フッ化水素酸系の酸により二酸化ケイ素膜の溶解除去処理、を施した後、純水で洗浄し、乾燥することを特徴とするＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】濃硫酸を電気分解して得られる酸化性物質を安定して生成することができる洗浄システム及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に設けられた隔膜と、陽極と隔膜との間に設けられた陽極室と、陰極と隔膜との間に設けられた陰極室とを有し、濃硫酸溶液を電気分解して陽極室に酸化性物質を生成させる硫酸電解部と、陽極室に、濃硫酸溶液を供給する濃硫酸供給部と、酸化性物質を含む酸化性溶液を用いて洗浄対象物の洗浄処理を行う洗浄処理部とを備えている。 （もっと読む）