【課題】 ＣＭＰ洗浄液の添加剤が、研磨粒子及び被研磨膜の研磨屑と複合体を形成し、それが研磨パッドに蓄積することにより生じるパッド着色物を簡単に除去するＣＭＰ用洗浄液、これを使用する洗浄方法及びこれを使用する工程を含んで作製した製品を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＰ用研磨液を使用して酸化ケイ素を有する被研磨面を研磨した際に、研磨部材を洗浄するためのＣＭＰ用洗浄液であって、強酸を含むＣＭＰ用洗浄液。ＣＭＰ用洗浄液に含まれる強酸は、硫酸、シュウ酸、フッ酸、硝酸及び次亜塩素酸から選ばれる少なくとも１種類の化合物であることが好ましい。また、ＣＭＰ用洗浄液は、さらに洗浄補助剤Ａとしてヒドロキシカルボン酸を含み、さらに洗浄補助剤Ｂとして、メタンスルホン酸を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）有機酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）ポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも１種の高分子凝集剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】エレクトロニクス材料、金属、ガラス、サファイア、樹脂等の洗浄工程で要求される製品表面の高清浄度を実現することができる、水溶性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アニオン性ポリマー0.01〜20質量％、（Ｂ）キレート剤：0.01〜30質量％、（Ｃ）水：40〜99.9質量％を含む水溶性洗浄剤組成物であって、前記アニオン性ポリマー（Ａ）は、（Ａ−１）炭素数２〜８のエチレン系不飽和モノマーの少なくとも１種と、（Ａ−２）スルホ基（ＳＯ_３Ｈ）を含むエチレン系不飽和モノマー及びカルボキシル基（ＣＯＯＨ）を含むエチレン系不飽和モノマーからなる群から選ばれる少なくとも１種のアニオン性不飽和モノマーとの共重合体である、水溶性洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】タングステンに対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜等の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基と、下記一般式（１）で表される防食剤とを含有する。


（式中、Ｒ_１は炭素数１〜１７のアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ_２は炭素数１〜１３のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体集積回路、プリント配線基板、液晶等の製造工程における銅、アルミニウム及びこれらからなる合金等の腐食性金属の酸化等による腐食防止を特徴とするインドール化合物を用いた防食剤及び当該化合物と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物の提供を課題とする。
【解決手段】
本願発明者らは、上記課題を達成するために研究を重ねた結果、インドール化合物から、銅等の腐食しやすい金属に対し、高い防食効果を発揮しつつ、廃液からの回収も可能な防食剤、及び同化合物と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物を見出した。 （もっと読む）

【課題】低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】式（１）で表されるアニオン性界面活性剤を含有する電子材料用洗浄剤で、０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験による起泡力が５０ｍｍ以下で、泡の安定度が５ｍｍ以下である電子材料用洗浄剤。


［Ｒ¹及びＲ²は炭素数１〜６のアルキル基で、Ｒ¹とＲ²の炭素数の合計は２〜７；Ｒ³は炭素数１〜３のアルキレン基；Ｒ⁴は炭素数２〜４のアルキレン基；Ｘ^-は−ＣＯＯ^-、−ＯＣＨ₂ＣＯＯ^-、−ＯＳＯ₃^-、−ＳＯ₃^-又は−ＯＰＯ₂（ＯＲ⁵）^-であって、Ｒ⁵は水素原子又はＲ¹（Ｃ＝Ｏ）_a−Ｎ（Ｒ²）−Ｒ³−（ＯＲ⁴）^b−で表される基；Ｍ⁺はカチオン；ａは０又は１；ｂは平均値であって０〜１０を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、高度に架橋されたレジストおよびエッチング残渣を取り除くための、半水溶性組成物およびその使用方法を提供する。
【解決手段】本発明の組成物は、アミノベンゼンスルホン酸、水混和性有機溶剤および水を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染、パーティクル汚染を、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、（Ａ）有機酸と、（Ｂ）スルホン基またはフォスホン基を置換基として有するポリアミノカルボン酸とを含有する洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アルカリ水溶液で金属不純物の付着がない、さらに洗浄能力を持つ水溶液組成物を提供する。
【解決手段】基板の洗浄またはエッチングに用いられる水溶液組成物であって、一般式（１）


で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、前記水溶液組成物により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に吸着した金属不純物を洗浄する。 （もっと読む）

ＩＣ（集積回路）、液晶ディスプレイおよびフラットパネルディスプレイの製造において使用される半導体ウエハからのイオン性残留物、粒状残留物および水分を含むがこれらに限定されない一般的な混入物または残留物を除去する方法である。該方法は、所定のエステルまたは特定の共溶媒と組合された所定のエステルを使用することを含む。洗浄方法は、種々の洗浄プロセスまたはプロセスステップにおいて利用でき、そして経済的および性能的な利点を与える。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子デバイス基板上のフォトレジストの再加工のために該基板上の多重層フォトレジスト層を除去する組成物。
【解決手段】該組成物は（ｉ）少なくとも三つの別個の溶媒、（ｉｉ）少なくとも一つの有機スルホン酸、及び（ｉｉｉ）少なくとも一つの腐食防止剤を含む。本発明はまた該組成物を使用する方法にも関係する。該組成物及び方法は３分未満の接触時間で且つ６５℃未満の温度でそのような多重層フォトレジストを除去することに成功し、これにより枚葉式ウェハーツールにおける高い処理能力をもたらした。 （もっと読む）

超小型電子デバイスを洗浄するための非水性剥離洗浄組成物であって、この組成物は、剥離溶媒としての少なくとも１つの有機硫黄含有極性化合物、少なくとも１つの水酸化物強塩基の水を含まない供給源、および有害な副反応を阻害する少なくとも１つのヒドロキシピリジン安定化剤を含む。この組成物には、例えば、共溶媒、サーファクタントまたは界面活性剤、金属錯化剤または金属キレート剤、および腐食防止剤などの他の任意の成分もまた含まれてもよい。 （もっと読む）

配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

本発明は一般的には、基板を洗浄するためのシステムに関する。より特定的には、本発明は、シリコンウエハを含む半導体基板から、高密度二酸化炭素マトリクスに含まれる反応性逆ミセルまたはマイクロマルジョンのシステムを用いて、残留物を化学的に除去するための方法に関する。反応性ミセル系中の様々な反応性化学薬品を使用して、エッチング残留物および金属残留物を、商業的なウエハ製造および処理に対し十分なレベルまで洗浄し、除去してもよい。

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