基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物
【課題】半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アルカリ水溶液で金属不純物の付着がない、さらに洗浄能力を持つ水溶液組成物を提供する。
【解決手段】基板の洗浄またはエッチングに用いられる水溶液組成物であって、一般式（１）
で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、前記水溶液組成物により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に吸着した金属不純物を洗浄する。
【解決手段】基板の洗浄またはエッチングに用いられる水溶液組成物であって、一般式（１）
で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、前記水溶液組成物により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に吸着した金属不純物を洗浄する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物に関する。さらに詳しくは、半導体製造用のシリコンウェハ製造工程、半導体デバイス製造工程およびその他の電子デバイス製造工程にて行われる、アルカリ水溶液を用いる洗浄およびエッチング工程において、アルカリ水溶液中の金属不純物が基板表面に付着するのを防止し、さらには洗浄除去するための、アルカリ性水溶液組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造用のシリコンウェハ製造工程において、シリコンの単結晶インゴットからウェハを切り出し、所定の厚さに加工する際に、均一なエッチングを目的として、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムでエッチングを行う。その際、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム中に含まれる金属不純物が大量にウェハ表面に吸着する。通常はその後、希ふっ酸などの酸による洗浄により除去するが、特に低抵抗基板ではＣｕやＮｉが内部に拡散しやすく、中でもＮｉは、水酸化ナトリウム溶液の使用温度である８０℃程度で拡散を起こすため、酸による表面洗浄では、内部に拡散した金属不純物は除去できず問題となっていた。
さらに、実際にはシリコンウェハ表面には、ＣｕやＮｉ以外にＦｅなどの遷移金属が大量に吸着しており、酸性洗浄液などで洗浄除去の必要があるため、半導体製造の工程を長く複雑化して、コストの上昇やスループットの低下などの問題を生じていた。
【０００３】
また、シリコンウェハ製造の最終工程や半導体デバイスの製造工程においては、特にパーティクルの除去を目的として、アルカリ性の洗浄液を使用している。例えば、トランジスタを作りこむ工程（Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ ｏｆ Ｌｉｎｅ）では、アンモニアと過酸化水素の混合液であるＳＣ−１洗浄液が多用されている。また、配線工程であるＣＭＰ（化学的機械的研磨）後の洗浄工程では、水酸化テトラメチルアンモニウムのような有機アルカリが用いられる。これらの洗浄液は、構成成分に金属を含まないが、この場合においても、洗浄液中に不純物として含まれる金属不純物、または前の工程から持ち込まれたわずかな金属不純物が、ウェハ表面に吸着し、電気特性に影響を及ぼす恐れがあった。
【０００４】
以上のように、アルカリ性の洗浄液は、金属不純物に対する洗浄能力を持たない、あるいは逆に基板表面に吸着させやすいために、金属不純物を洗浄できる酸性洗浄液と組み合わせるのが一般的な洗浄プロセスであった。ここで、先述のＳＣ−１洗浄液は、塩酸と過酸化水素の水溶液であるＳＣ−２洗浄液または希ふっ酸と組み合わせて用いられている。この洗浄プロセスは、半導体製造プロセスの約１／３を占めており、その全てをアルカリ性洗浄液と酸性洗浄液の２液で行っていることは、半導体製造の工程を長く複雑化して、コストの上昇やスループットの低下などの問題を生じている。
【０００５】
また、大容量記憶デバイスであるハードディスクの製造においては、従来から微粒子汚染が問題視されていたが、金属汚染はこれまで問題とされておらず、アルカリと酸による洗浄を行っていた。しかし、ガラス基板がアルカリ洗浄液中の金属不純物により汚染され、結果として粒子汚染を引き起こすことが分かり、シリコン基板と同様の問題を生じている。
【０００６】
そのため、アルカリ水溶液中での金属不純物の吸着防止のために、種々の錯化剤（キレート剤）の使用が提案されている。エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）やジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）のようなアミノカルボン酸類は、古くからキレート剤として知られており、半導体製造分野にも提案されているが（特許文献１および２）、キレート化合物が不安定で効果は十分ではない。
その他にも、アミノホスホン酸類（特許文献３）、縮合リン酸類（特許文献４）、チオシアン酸塩（特許文献５）、亜硝酸イオンおよび硝酸イオン（特許文献６）などのキレート剤が提案されている。しかしながら、これら多くのキレート剤は、ＳＣ−１洗浄液中を対象としているために、アンモニアのような比較的弱アルカリ性の溶液中では効果があるものの、水酸化ナトリウムや水酸化テトラメチルアンモニウムのような強アルカリ性水溶液中では効果が認められない。
また近年、効果があるものとして、エチレンジアミンジオルトフェニルヒドロキシ酢酸がキレート剤として提案されているが（特許文献７）、このキレート剤は、ＥＤＴＡなどの一般的なキレート剤と比べると大きな効果が認められるものの、半導体メーカーやシリコンウェハメーカーが要求する金属吸着防止のレベルにはいまだ至っていない。
【０００７】
さらに、キレート剤以外の方法としては、アルミニウムを溶解させる方法（特許文献８）、シリコンまたはシリコン化合物を溶解させる方法（特許文献９）などが提案されているが、これらはアルミニウムやシリコンなどの溶解に手間と時間がかかるために、コストの上昇やスループットの低下などの問題を生じている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−３１０８４５号公報
【特許文献２】特開２００６−１６５４０８号公報
【特許文献３】特許第３５０３３２６号公報
【特許文献４】特許第３２７４８３４号公報
【特許文献５】特開２００５−０３８９６９号公報
【特許文献６】特開２００５−２１００８５号公報
【特許文献７】特許第３１９８８７８号公報
【特許文献８】特開２００５−１５８７５９号公報
【特許文献９】公開平０９−１２９６２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、本発明は、強アルカリ性水溶液を用いる、半導体基板またはガラス基板のエッチングまたは洗浄工程において、基板表面へ金属が吸着するのを防止し、さらには洗浄除去して、半導体デバイスなどの電気特性を向上させ、かつスループットの向上に寄与できる、アルカリ性水溶液組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねる中で、ある特定の有機化合物が、上記課題を解決し、基板への金属吸着を効果的に防止することを見出し、さらに研究を進めた結果、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち本発明は、基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物であって、一般式（１）
【化１】
式中、
Ｒは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、炭素数２〜６のアルキレン基、１，２−シクロヘキシレン基、または１，２−フェニレン基であり、
環ＡおよびＢは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、ベンゼン環であり、
ここで、置換基は、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基、炭素数１〜１０のアルキニル基、炭素数１〜１０のアシル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、カルボキシル基、スルホン酸基、シアノ基、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、ハロゲンおよびニトロ基からなる群より選択される、
で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記キレート剤が、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、またはＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミンである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ成分が、水酸化テトラメチルアンモニウムである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記アルカリ成分が、水酸化ナトリウムおよび／または水酸化カリウムである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記水溶液組成物が、さらに他のキレート剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記アルカリ成分の濃度が、０．０１〜１．０ｗｔ％であり、前記キレート剤の濃度が、０．０００５〜１．０ｗｔ％である、洗浄液に用いられる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記水溶液組成物が、さらに防食剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記水溶液組成物が、さらに界面活性剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ成分の濃度が、１．０〜５０ｗｔ％であり、前記キレート剤の濃度が、０．００１〜５．０ｗｔ％である、エッチング液に用いられる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記基板がシリコンウェハであり、洗浄またはエッチング後の該シリコンウェハ表面のＮｉ濃度が、２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下となる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ性水溶液組成物を用いて、基板を洗浄またはエッチングし、該基板表面のＮｉ濃度を２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下とする、基板の洗浄またはエッチングの方法に関する。
【００１２】
本発明のアルカリ性水溶液組成物が、強アルカリ溶液でありながら、極めて効果的に、Ｎｉなどの金属不純物の基板表面への吸着を防止するメカニズムは、必ずしも明らかではない。
ここで、本発明の水溶液組成物に含まれる一般式（１）で表されるキレート剤は、分子内四座の配位子であり、Ｎｉなどの金属と下記のようなキレート構造を形成するものと考えられる。
【化２】
上記のように、本発明の一般式（１）で表されるキレート剤は、官能基Ｒの長さ、官能基Ｒの柔軟性、アゾメチン結合の配位原子Ｎおよびフェノール性水酸基の配位原子Ｏの位置関係により、Ｎｉなど特定の金属イオンと、理想的な位置関係で配位結合すると考えられる。さらに、アゾメチン結合を有するため、錯体が強固で平面性が強く、容易に二量体を形成すると考えられる。これらの理由により、強アルカリ溶液中においても、極めて安定で強固なキレート環を形成し、他のキレート剤と比較して非常に効率よく、金属不純物の基板表面への吸着を防止するものと考えられる。
したがって、本発明の一般式（１）で表されるキレート剤では、分子構造中の官能基Ｒの長さ、官能基Ｒの柔軟性、アゾメチン結合ならびにアゾメチン結合の配位原子Ｎおよびフェノール性水酸基の配位原子Ｏの位置関係が、特に重要であると考えられる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のアルカリ性水溶液組成物により、従来の一般的な半導体製造プロセスなどにおいて達成できなかった、アルカリ溶液を用いるエッチング工程において、シリコンウェハ表面へのＮｉの吸着量を、２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下のレベルに抑えることも可能となった。
また、アルカリ性洗浄液を用いる洗浄工程において、金属不純物の吸着を防止し、かつ洗浄除去することが可能になるため、酸性洗浄を省略することも可能となり、半導体製造プロセスの約１／３を占めている洗浄プロセスの大幅な短縮につながり、コストの低下およびスループットの向上を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明を詳細に説明する。本発明のアルカリ性水溶液組成物とは、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、洗浄またはエッチングを目的として用いられる水溶液組成物であり、キレート剤およびアルカリ成分などを含有する水溶液組成物である。
【００１５】
また、本発明の水溶液組成物を用いて洗浄またはエッチングをする基板とは、半導体およびその他の電子デバイスの製造において用いられる、シリコンウェハ、その他の半導体基板、ならびにフラットパネルディスプレイ用およびハードディスク用のガラス基板などである。
【００１６】
本発明に用いる金属吸着防止用のキレート剤としては、一般式（１）
【化３】
式中、
Ｒは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、炭素数２〜６のアルキレン基、１，２−シクロヘキシレン基、または１，２−フェニレン基であり、
環ＡおよびＢは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、ベンゼン環である、
で表されるキレート剤であり、好ましくは、前記一般式（１）おいて、官能基Ｒが炭素数２〜４のアルキレン基であるキレート剤であり、特に好ましくは、前記一般式（１）おいて、官能基Ｒが炭素数２または３のアルキレン基であるキレート剤である。
具体的な化合物名としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，６−ヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−ベンゼンジアミンなどが挙げられ、好ましくは、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミンなどが挙げられ、特に好ましくは、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミンなどが挙げられる。
【００１７】
これらのキレート剤の濃度は、十分な効果を示せば特に限定されず、アルカリ濃度と効果により総合的に判断して決定される。使用目的に応じて十分な効果を発揮し、キレート剤の濃度に比例した効果を得ることができ、析出などがなく安定して保存できることなどの観点から考慮する。
使用するキレート剤の濃度は、洗浄液として用いられる場合には、好ましくは０．０００５〜１．０ｗｔ％であり、より好ましくは０．００１〜０．５ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．００５〜０．１ｗｔ％である。
また、エッチング液として用いられる場合には、好ましくは０．００１〜５．０ｗｔ％であり、より好ましくは０．０１〜１．０ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．０５〜０．５ｗｔ％である。
【００１８】
本発明に用いるアルカリ成分としては、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、エッチングまたは洗浄に用いられるアルカリ成分であれば特に限定されず、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの無機アルカリ、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化トリメチル（ヒドロキシエチル）アンモニウムなどの有機アルカリ、アンモニアなどが挙げられる。特に水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウムが好ましい。
【００１９】
これらアルカリ成分の濃度は、十分な効果を示せば特に限定されないが、処理液としての使用目的によって大きく異なる。エッチング液の場合には、目的に応じて、１ｗｔ％〜５０ｗｔ％までの幅広い濃度で用いられる。
洗浄液の場合は、十分な洗浄効果と基板へのダメージ防止を考慮して、好ましくは０．０１ｗｔ％〜１．０ｗｔ％、より好ましくは０．０５ｗｔ％〜０．８ｗｔ％、さらに好ましくは０．１ｗｔ％〜０．５ｗｔ％の濃度で用いられる。
【００２０】
また、キレート剤は金属に対する特異性があり、広範な金属の吸着防止や洗浄には複数のキレート剤の併用が効果的である。したがって、本発明はさらに、他のキレート剤を含んでもよい。
【００２１】
本発明に用いる他のキレート剤としては、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、エッチングまたは洗浄に用いられるキレート剤であれば特に限定されず、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸などのアミノカルボン酸類、クエン酸、酒石酸などの有機酸類、フェナントロリンなどの含窒素複素環化合物などが挙げられる。特にエチレンジアミン四酢酸は、広範囲の金属と錯体を形成するため好ましい。
使用する濃度としては、十分な効果を示せば特に限定されないが、十分な効果の発揮と保存時の安定性などを考慮して、好ましくは０．００１〜１ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．０１〜０．５ｗｔ％である。
【００２２】
また、配線工程であるＣＭＰ（化学的機械的研磨）後の洗浄工程において、本発明を洗浄液として使用する場合には、アルミニウムや銅などの配線材料と接触するため、配線材料の腐食防止のために、さらに防食剤を含んでもよい。
【００２３】
本発明に用いる防食剤としては、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、基板処理に用いられる防食剤であれば特に限定されず、一般的なアルミニウムや銅の腐食防止剤を使用してよい。アルミニウムの腐食防止剤としては、ソルビトールのような糖類、カテコール、没食子酸のようなフェノール性の水酸基を持つ化合物、ポリアクリル酸のようなカルボキシル基をもつ高分子化合物などが挙げられ、銅の腐食防止剤としては、ベンゾトリアゾールなどの複素環化合物やチオ尿素などが挙げられる。特にベンゾトリアゾールが好ましい。
使用する濃度としては、十分な効果を示せば特に限定されないが、十分な効果の発揮と保存時の安定性などを考慮して、好ましくは０．０１〜５ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．０５〜２ｗｔ％である。
【００２４】
また、配線工程であるＣＭＰ（化学的機械的研磨）後の洗浄工程において、本発明を洗浄液として使用する場合には、絶縁膜との濡れ性を改善するため、さらに界面活性剤を含んでもよい。
【００２５】
本発明に用いる界面活性剤としては、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、基板処理に用いられる防食剤であれば特に限定さないが、非イオン型の界面活性剤が好ましく、特にポリオキシアルキレンアルキルエーテルおよびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルの構造のものが好ましい。
使用する濃度としては、十分な効果を示せば特に限定されないが、十分な効果の発揮と保存時の安定性などを考慮して、好ましくは０．０１〜５ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．０５〜２ｗｔ％でる。
【００２６】
また、アルカリ溶液を用いる洗浄またはエッチング工程において、基板表面へのＮｉの吸着量は、少ない程好ましいが、従来のアルカリ性水溶液では、エッチング工程におけるシリコンウェハ表面へのＮｉの吸着量を、２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下に抑えることが不可能であった。
【００２７】
ここで、一般的な半導体製造工程において、本発明のアルカリ性水溶液組成物を用いて、洗浄またはエッチングをしたシリコンウェハ表面のＮｉ濃度は、好ましくは２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下、より好ましくは１５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下、さらに好ましくはＰ＋型の低抵抗ウェハにおいて１０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下となる。
したがって、本発明のアルカリ性水溶液組成物は、半導体製造工程などにおいて望まれる、シリコンウェハなどの基板表面へのＮｉの吸着防止の効果を、十分に奏することができる。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明を実施例および比較例により、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００２９】
〔実施例１〕
（高濃度水酸化ナトリウムエッチング液）
清浄なシリコンウェハ（Ｐ＋型、抵抗率０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）を、０．５重量％濃度の希ふっ酸に、２５℃で１分間浸漬した後、水洗を１分間行い、自然酸化膜を除去した。このシリコンウェハを、表１に示す処理液に、８０℃で１０分間浸漬してエッチングした後、水洗を５分間行い、乾燥した。このシリコンウェハ表面のＦｅおよびＮｉの濃度を、全反射蛍光Ｘ線装置を用いて測定した。測定結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】
表１の結果から明らかなように、水酸化ナトリウム４８重量％の強アルカリ性エッチング液によりエッチングした場合、キレート剤無添加の場合には、Ｆｅが１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２レベル、Ｎｉが１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２レベルの吸着が認められるが、本発明の実施例１では、他のいずれの比較例と比べても、シリコンウェハ表面のＦｅおよびＮｉの濃度が非常に低く、極めて効果的に金属の吸着を防止していることが確認できた。
【００３２】
〔実施例２〕
（水酸化テトラメチルアンモニウム洗浄液）
清浄なシリコンウェハに、ＦｅおよびＮｉの原子吸光用標準液を、それぞれ濃度１０ｐｐｂに調整した溶液を塗布し、１分間放置してＦｅおよびＮｉで汚染した。このシリコンウェハを、表２に示す処理液に、２５℃で３分間浸漬して洗浄し、その後超純水で３分間の流水リンスを行った。リンス後にシリコンウェハを乾燥し、処理前後のＦｅおよびＮｉの表面濃度を全反射蛍光Ｘ線装置で測定し、ＦｅおよびＮｉに対する洗浄能力を評価した。測定結果を表２に示す。
なお、洗浄前のシリコンウェハ表面の汚染レベルは、ＦｅおよびＮｉともに、１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２レベルであった。
【００３３】
【表２】
【００３４】
表２の結果から明らかなように、有機アルカリ成分ＴＭＡＨを含有した強アルカリ洗浄液により洗浄した場合、本発明のいずれの実施例においても、他の比較例と比べて、シリコンウェハ表面のＦｅおよびＮｉの濃度が非常に低く、極めて効果的に金属の吸着を防止し、かつ洗浄していることが確認できた。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物に関する。さらに詳しくは、半導体製造用のシリコンウェハ製造工程、半導体デバイス製造工程およびその他の電子デバイス製造工程にて行われる、アルカリ水溶液を用いる洗浄およびエッチング工程において、アルカリ水溶液中の金属不純物が基板表面に付着するのを防止し、さらには洗浄除去するための、アルカリ性水溶液組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造用のシリコンウェハ製造工程において、シリコンの単結晶インゴットからウェハを切り出し、所定の厚さに加工する際に、均一なエッチングを目的として、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムでエッチングを行う。その際、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム中に含まれる金属不純物が大量にウェハ表面に吸着する。通常はその後、希ふっ酸などの酸による洗浄により除去するが、特に低抵抗基板ではＣｕやＮｉが内部に拡散しやすく、中でもＮｉは、水酸化ナトリウム溶液の使用温度である８０℃程度で拡散を起こすため、酸による表面洗浄では、内部に拡散した金属不純物は除去できず問題となっていた。
さらに、実際にはシリコンウェハ表面には、ＣｕやＮｉ以外にＦｅなどの遷移金属が大量に吸着しており、酸性洗浄液などで洗浄除去の必要があるため、半導体製造の工程を長く複雑化して、コストの上昇やスループットの低下などの問題を生じていた。
【０００３】
また、シリコンウェハ製造の最終工程や半導体デバイスの製造工程においては、特にパーティクルの除去を目的として、アルカリ性の洗浄液を使用している。例えば、トランジスタを作りこむ工程（Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ ｏｆ Ｌｉｎｅ）では、アンモニアと過酸化水素の混合液であるＳＣ−１洗浄液が多用されている。また、配線工程であるＣＭＰ（化学的機械的研磨）後の洗浄工程では、水酸化テトラメチルアンモニウムのような有機アルカリが用いられる。これらの洗浄液は、構成成分に金属を含まないが、この場合においても、洗浄液中に不純物として含まれる金属不純物、または前の工程から持ち込まれたわずかな金属不純物が、ウェハ表面に吸着し、電気特性に影響を及ぼす恐れがあった。
【０００４】
以上のように、アルカリ性の洗浄液は、金属不純物に対する洗浄能力を持たない、あるいは逆に基板表面に吸着させやすいために、金属不純物を洗浄できる酸性洗浄液と組み合わせるのが一般的な洗浄プロセスであった。ここで、先述のＳＣ−１洗浄液は、塩酸と過酸化水素の水溶液であるＳＣ−２洗浄液または希ふっ酸と組み合わせて用いられている。この洗浄プロセスは、半導体製造プロセスの約１／３を占めており、その全てをアルカリ性洗浄液と酸性洗浄液の２液で行っていることは、半導体製造の工程を長く複雑化して、コストの上昇やスループットの低下などの問題を生じている。
【０００５】
また、大容量記憶デバイスであるハードディスクの製造においては、従来から微粒子汚染が問題視されていたが、金属汚染はこれまで問題とされておらず、アルカリと酸による洗浄を行っていた。しかし、ガラス基板がアルカリ洗浄液中の金属不純物により汚染され、結果として粒子汚染を引き起こすことが分かり、シリコン基板と同様の問題を生じている。
【０００６】
そのため、アルカリ水溶液中での金属不純物の吸着防止のために、種々の錯化剤（キレート剤）の使用が提案されている。エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）やジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）のようなアミノカルボン酸類は、古くからキレート剤として知られており、半導体製造分野にも提案されているが（特許文献１および２）、キレート化合物が不安定で効果は十分ではない。
その他にも、アミノホスホン酸類（特許文献３）、縮合リン酸類（特許文献４）、チオシアン酸塩（特許文献５）、亜硝酸イオンおよび硝酸イオン（特許文献６）などのキレート剤が提案されている。しかしながら、これら多くのキレート剤は、ＳＣ−１洗浄液中を対象としているために、アンモニアのような比較的弱アルカリ性の溶液中では効果があるものの、水酸化ナトリウムや水酸化テトラメチルアンモニウムのような強アルカリ性水溶液中では効果が認められない。
また近年、効果があるものとして、エチレンジアミンジオルトフェニルヒドロキシ酢酸がキレート剤として提案されているが（特許文献７）、このキレート剤は、ＥＤＴＡなどの一般的なキレート剤と比べると大きな効果が認められるものの、半導体メーカーやシリコンウェハメーカーが要求する金属吸着防止のレベルにはいまだ至っていない。
【０００７】
さらに、キレート剤以外の方法としては、アルミニウムを溶解させる方法（特許文献８）、シリコンまたはシリコン化合物を溶解させる方法（特許文献９）などが提案されているが、これらはアルミニウムやシリコンなどの溶解に手間と時間がかかるために、コストの上昇やスループットの低下などの問題を生じている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−３１０８４５号公報
【特許文献２】特開２００６−１６５４０８号公報
【特許文献３】特許第３５０３３２６号公報
【特許文献４】特許第３２７４８３４号公報
【特許文献５】特開２００５−０３８９６９号公報
【特許文献６】特開２００５−２１００８５号公報
【特許文献７】特許第３１９８８７８号公報
【特許文献８】特開２００５−１５８７５９号公報
【特許文献９】公開平０９−１２９６２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、本発明は、強アルカリ性水溶液を用いる、半導体基板またはガラス基板のエッチングまたは洗浄工程において、基板表面へ金属が吸着するのを防止し、さらには洗浄除去して、半導体デバイスなどの電気特性を向上させ、かつスループットの向上に寄与できる、アルカリ性水溶液組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねる中で、ある特定の有機化合物が、上記課題を解決し、基板への金属吸着を効果的に防止することを見出し、さらに研究を進めた結果、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち本発明は、基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物であって、一般式（１）
【化１】
式中、
Ｒは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、炭素数２〜６のアルキレン基、１，２−シクロヘキシレン基、または１，２−フェニレン基であり、
環ＡおよびＢは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、ベンゼン環であり、
ここで、置換基は、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基、炭素数１〜１０のアルキニル基、炭素数１〜１０のアシル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、カルボキシル基、スルホン酸基、シアノ基、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、ハロゲンおよびニトロ基からなる群より選択される、
で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記キレート剤が、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、またはＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミンである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ成分が、水酸化テトラメチルアンモニウムである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記アルカリ成分が、水酸化ナトリウムおよび／または水酸化カリウムである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記水溶液組成物が、さらに他のキレート剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記アルカリ成分の濃度が、０．０１〜１．０ｗｔ％であり、前記キレート剤の濃度が、０．０００５〜１．０ｗｔ％である、洗浄液に用いられる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記水溶液組成物が、さらに防食剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記水溶液組成物が、さらに界面活性剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ成分の濃度が、１．０〜５０ｗｔ％であり、前記キレート剤の濃度が、０．００１〜５．０ｗｔ％である、エッチング液に用いられる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記基板がシリコンウェハであり、洗浄またはエッチング後の該シリコンウェハ表面のＮｉ濃度が、２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下となる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ性水溶液組成物を用いて、基板を洗浄またはエッチングし、該基板表面のＮｉ濃度を２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下とする、基板の洗浄またはエッチングの方法に関する。
【００１２】
本発明のアルカリ性水溶液組成物が、強アルカリ溶液でありながら、極めて効果的に、Ｎｉなどの金属不純物の基板表面への吸着を防止するメカニズムは、必ずしも明らかではない。
ここで、本発明の水溶液組成物に含まれる一般式（１）で表されるキレート剤は、分子内四座の配位子であり、Ｎｉなどの金属と下記のようなキレート構造を形成するものと考えられる。
【化２】
上記のように、本発明の一般式（１）で表されるキレート剤は、官能基Ｒの長さ、官能基Ｒの柔軟性、アゾメチン結合の配位原子Ｎおよびフェノール性水酸基の配位原子Ｏの位置関係により、Ｎｉなど特定の金属イオンと、理想的な位置関係で配位結合すると考えられる。さらに、アゾメチン結合を有するため、錯体が強固で平面性が強く、容易に二量体を形成すると考えられる。これらの理由により、強アルカリ溶液中においても、極めて安定で強固なキレート環を形成し、他のキレート剤と比較して非常に効率よく、金属不純物の基板表面への吸着を防止するものと考えられる。
したがって、本発明の一般式（１）で表されるキレート剤では、分子構造中の官能基Ｒの長さ、官能基Ｒの柔軟性、アゾメチン結合ならびにアゾメチン結合の配位原子Ｎおよびフェノール性水酸基の配位原子Ｏの位置関係が、特に重要であると考えられる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のアルカリ性水溶液組成物により、従来の一般的な半導体製造プロセスなどにおいて達成できなかった、アルカリ溶液を用いるエッチング工程において、シリコンウェハ表面へのＮｉの吸着量を、２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下のレベルに抑えることも可能となった。
また、アルカリ性洗浄液を用いる洗浄工程において、金属不純物の吸着を防止し、かつ洗浄除去することが可能になるため、酸性洗浄を省略することも可能となり、半導体製造プロセスの約１／３を占めている洗浄プロセスの大幅な短縮につながり、コストの低下およびスループットの向上を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明を詳細に説明する。本発明のアルカリ性水溶液組成物とは、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、洗浄またはエッチングを目的として用いられる水溶液組成物であり、キレート剤およびアルカリ成分などを含有する水溶液組成物である。
【００１５】
また、本発明の水溶液組成物を用いて洗浄またはエッチングをする基板とは、半導体およびその他の電子デバイスの製造において用いられる、シリコンウェハ、その他の半導体基板、ならびにフラットパネルディスプレイ用およびハードディスク用のガラス基板などである。
【００１６】
本発明に用いる金属吸着防止用のキレート剤としては、一般式（１）
【化３】
式中、
Ｒは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、炭素数２〜６のアルキレン基、１，２−シクロヘキシレン基、または１，２−フェニレン基であり、
環ＡおよびＢは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、ベンゼン環である、
で表されるキレート剤であり、好ましくは、前記一般式（１）おいて、官能基Ｒが炭素数２〜４のアルキレン基であるキレート剤であり、特に好ましくは、前記一般式（１）おいて、官能基Ｒが炭素数２または３のアルキレン基であるキレート剤である。
具体的な化合物名としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，６−ヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−ベンゼンジアミンなどが挙げられ、好ましくは、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミンなどが挙げられ、特に好ましくは、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミンなどが挙げられる。
【００１７】
これらのキレート剤の濃度は、十分な効果を示せば特に限定されず、アルカリ濃度と効果により総合的に判断して決定される。使用目的に応じて十分な効果を発揮し、キレート剤の濃度に比例した効果を得ることができ、析出などがなく安定して保存できることなどの観点から考慮する。
使用するキレート剤の濃度は、洗浄液として用いられる場合には、好ましくは０．０００５〜１．０ｗｔ％であり、より好ましくは０．００１〜０．５ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．００５〜０．１ｗｔ％である。
また、エッチング液として用いられる場合には、好ましくは０．００１〜５．０ｗｔ％であり、より好ましくは０．０１〜１．０ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．０５〜０．５ｗｔ％である。
【００１８】
本発明に用いるアルカリ成分としては、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、エッチングまたは洗浄に用いられるアルカリ成分であれば特に限定されず、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの無機アルカリ、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化トリメチル（ヒドロキシエチル）アンモニウムなどの有機アルカリ、アンモニアなどが挙げられる。特に水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウムが好ましい。
【００１９】
これらアルカリ成分の濃度は、十分な効果を示せば特に限定されないが、処理液としての使用目的によって大きく異なる。エッチング液の場合には、目的に応じて、１ｗｔ％〜５０ｗｔ％までの幅広い濃度で用いられる。
洗浄液の場合は、十分な洗浄効果と基板へのダメージ防止を考慮して、好ましくは０．０１ｗｔ％〜１．０ｗｔ％、より好ましくは０．０５ｗｔ％〜０．８ｗｔ％、さらに好ましくは０．１ｗｔ％〜０．５ｗｔ％の濃度で用いられる。
【００２０】
また、キレート剤は金属に対する特異性があり、広範な金属の吸着防止や洗浄には複数のキレート剤の併用が効果的である。したがって、本発明はさらに、他のキレート剤を含んでもよい。
【００２１】
本発明に用いる他のキレート剤としては、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、エッチングまたは洗浄に用いられるキレート剤であれば特に限定されず、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸などのアミノカルボン酸類、クエン酸、酒石酸などの有機酸類、フェナントロリンなどの含窒素複素環化合物などが挙げられる。特にエチレンジアミン四酢酸は、広範囲の金属と錯体を形成するため好ましい。
使用する濃度としては、十分な効果を示せば特に限定されないが、十分な効果の発揮と保存時の安定性などを考慮して、好ましくは０．００１〜１ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．０１〜０．５ｗｔ％である。
【００２２】
また、配線工程であるＣＭＰ（化学的機械的研磨）後の洗浄工程において、本発明を洗浄液として使用する場合には、アルミニウムや銅などの配線材料と接触するため、配線材料の腐食防止のために、さらに防食剤を含んでもよい。
【００２３】
本発明に用いる防食剤としては、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、基板処理に用いられる防食剤であれば特に限定されず、一般的なアルミニウムや銅の腐食防止剤を使用してよい。アルミニウムの腐食防止剤としては、ソルビトールのような糖類、カテコール、没食子酸のようなフェノール性の水酸基を持つ化合物、ポリアクリル酸のようなカルボキシル基をもつ高分子化合物などが挙げられ、銅の腐食防止剤としては、ベンゾトリアゾールなどの複素環化合物やチオ尿素などが挙げられる。特にベンゾトリアゾールが好ましい。
使用する濃度としては、十分な効果を示せば特に限定されないが、十分な効果の発揮と保存時の安定性などを考慮して、好ましくは０．０１〜５ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．０５〜２ｗｔ％である。
【００２４】
また、配線工程であるＣＭＰ（化学的機械的研磨）後の洗浄工程において、本発明を洗浄液として使用する場合には、絶縁膜との濡れ性を改善するため、さらに界面活性剤を含んでもよい。
【００２５】
本発明に用いる界面活性剤としては、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、基板処理に用いられる防食剤であれば特に限定さないが、非イオン型の界面活性剤が好ましく、特にポリオキシアルキレンアルキルエーテルおよびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルの構造のものが好ましい。
使用する濃度としては、十分な効果を示せば特に限定されないが、十分な効果の発揮と保存時の安定性などを考慮して、好ましくは０．０１〜５ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．０５〜２ｗｔ％でる。
【００２６】
また、アルカリ溶液を用いる洗浄またはエッチング工程において、基板表面へのＮｉの吸着量は、少ない程好ましいが、従来のアルカリ性水溶液では、エッチング工程におけるシリコンウェハ表面へのＮｉの吸着量を、２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下に抑えることが不可能であった。
【００２７】
ここで、一般的な半導体製造工程において、本発明のアルカリ性水溶液組成物を用いて、洗浄またはエッチングをしたシリコンウェハ表面のＮｉ濃度は、好ましくは２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下、より好ましくは１５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下、さらに好ましくはＰ＋型の低抵抗ウェハにおいて１０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下となる。
したがって、本発明のアルカリ性水溶液組成物は、半導体製造工程などにおいて望まれる、シリコンウェハなどの基板表面へのＮｉの吸着防止の効果を、十分に奏することができる。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明を実施例および比較例により、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００２９】
〔実施例１〕
（高濃度水酸化ナトリウムエッチング液）
清浄なシリコンウェハ（Ｐ＋型、抵抗率０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）を、０．５重量％濃度の希ふっ酸に、２５℃で１分間浸漬した後、水洗を１分間行い、自然酸化膜を除去した。このシリコンウェハを、表１に示す処理液に、８０℃で１０分間浸漬してエッチングした後、水洗を５分間行い、乾燥した。このシリコンウェハ表面のＦｅおよびＮｉの濃度を、全反射蛍光Ｘ線装置を用いて測定した。測定結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】
表１の結果から明らかなように、水酸化ナトリウム４８重量％の強アルカリ性エッチング液によりエッチングした場合、キレート剤無添加の場合には、Ｆｅが１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２レベル、Ｎｉが１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２レベルの吸着が認められるが、本発明の実施例１では、他のいずれの比較例と比べても、シリコンウェハ表面のＦｅおよびＮｉの濃度が非常に低く、極めて効果的に金属の吸着を防止していることが確認できた。
【００３２】
〔実施例２〕
（水酸化テトラメチルアンモニウム洗浄液）
清浄なシリコンウェハに、ＦｅおよびＮｉの原子吸光用標準液を、それぞれ濃度１０ｐｐｂに調整した溶液を塗布し、１分間放置してＦｅおよびＮｉで汚染した。このシリコンウェハを、表２に示す処理液に、２５℃で３分間浸漬して洗浄し、その後超純水で３分間の流水リンスを行った。リンス後にシリコンウェハを乾燥し、処理前後のＦｅおよびＮｉの表面濃度を全反射蛍光Ｘ線装置で測定し、ＦｅおよびＮｉに対する洗浄能力を評価した。測定結果を表２に示す。
なお、洗浄前のシリコンウェハ表面の汚染レベルは、ＦｅおよびＮｉともに、１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２レベルであった。
【００３３】
【表２】
【００３４】
表２の結果から明らかなように、有機アルカリ成分ＴＭＡＨを含有した強アルカリ洗浄液により洗浄した場合、本発明のいずれの実施例においても、他の比較例と比べて、シリコンウェハ表面のＦｅおよびＮｉの濃度が非常に低く、極めて効果的に金属の吸着を防止し、かつ洗浄していることが確認できた。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物であって、一般式（１）
【化１】
式中、
Ｒは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、炭素数２〜６のアルキレン基、１，２−シクロヘキシレン基、または１，２−フェニレン基であり、
環ＡおよびＢは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、ベンゼン環であり、
ここで、置換基は、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基、炭素数１〜１０のアルキニル基、炭素数１〜１０のアシル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、カルボキシル基、スルホン酸基、シアノ基、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、ハロゲンおよびニトロ基からなる群より選択される、
で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、前記水溶液組成物。
【請求項２】
キレート剤が、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、またはＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミンである、請求項１に記載の水溶液組成物。
【請求項３】
アルカリ成分が、水酸化テトラメチルアンモニウムである、請求項１または２に記載の水溶液組成物。
【請求項４】
アルカリ成分が、水酸化ナトリウムおよび／または水酸化カリウムである、請求項１または２に記載の水溶液組成物。
【請求項５】
水溶液組成物が、さらに他のキレート剤を含有する、請求項１〜４のいずれかに記載の水溶液組成物。
【請求項６】
アルカリ成分の濃度が、０．０１〜１．０ｗｔ％であり、キレート剤の濃度が、０．０００５〜１．０ｗｔ％である、洗浄液に用いられる、請求項１〜５のいずれかに記載の水溶液組成物。
【請求項７】
水溶液組成物が、さらに防食剤を含有する、請求項６に記載の水溶液組成物。
【請求項８】
水溶液組成物が、さらに界面活性剤を含有する、請求項６または７に記載の水溶液組成物。
【請求項９】
アルカリ成分の濃度が、１．０〜５０ｗｔ％であり、キレート剤の濃度が、０．００１〜５．０ｗｔ％である、エッチング液に用いられる、請求項１〜５のいずれかに記載の水溶液組成物。
【請求項１０】
基板がシリコンウェハであり、洗浄またはエッチング後の該シリコンウェハ表面のＮｉ濃度が、２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下となる、請求項１〜１１のいずれかに記載の水溶液組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１２のいずれかに記載の水溶液組成物を用いて、基板を洗浄またはエッチングし、該基板表面のＮｉ濃度を２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下とする、基板の洗浄またはエッチングの方法。
【請求項１】
基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物であって、一般式（１）
【化１】
式中、
Ｒは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、炭素数２〜６のアルキレン基、１，２−シクロヘキシレン基、または１，２−フェニレン基であり、
環ＡおよびＢは、任意の１または２以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、ベンゼン環であり、
ここで、置換基は、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基、炭素数１〜１０のアルキニル基、炭素数１〜１０のアシル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、カルボキシル基、スルホン酸基、シアノ基、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、ハロゲンおよびニトロ基からなる群より選択される、
で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、前記水溶液組成物。
【請求項２】
キレート剤が、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、またはＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミンである、請求項１に記載の水溶液組成物。
【請求項３】
アルカリ成分が、水酸化テトラメチルアンモニウムである、請求項１または２に記載の水溶液組成物。
【請求項４】
アルカリ成分が、水酸化ナトリウムおよび／または水酸化カリウムである、請求項１または２に記載の水溶液組成物。
【請求項５】
水溶液組成物が、さらに他のキレート剤を含有する、請求項１〜４のいずれかに記載の水溶液組成物。
【請求項６】
アルカリ成分の濃度が、０．０１〜１．０ｗｔ％であり、キレート剤の濃度が、０．０００５〜１．０ｗｔ％である、洗浄液に用いられる、請求項１〜５のいずれかに記載の水溶液組成物。
【請求項７】
水溶液組成物が、さらに防食剤を含有する、請求項６に記載の水溶液組成物。
【請求項８】
水溶液組成物が、さらに界面活性剤を含有する、請求項６または７に記載の水溶液組成物。
【請求項９】
アルカリ成分の濃度が、１．０〜５０ｗｔ％であり、キレート剤の濃度が、０．００１〜５．０ｗｔ％である、エッチング液に用いられる、請求項１〜５のいずれかに記載の水溶液組成物。
【請求項１０】
基板がシリコンウェハであり、洗浄またはエッチング後の該シリコンウェハ表面のＮｉ濃度が、２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下となる、請求項１〜１１のいずれかに記載の水溶液組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１２のいずれかに記載の水溶液組成物を用いて、基板を洗浄またはエッチングし、該基板表面のＮｉ濃度を２０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下とする、基板の洗浄またはエッチングの方法。
【公開番号】特開２００８−３０５９００（Ｐ２００８−３０５９００Ａ）
【公開日】平成２０年１２月１８日（２００８．１２．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１５０３５３（Ｐ２００７−１５０３５３）
【出願日】平成１９年６月６日（２００７．６．６）
【出願人】（５９１０４５６７７）関東化学株式会社 (99)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１２月１８日（２００８．１２．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年６月６日（２００７．６．６）
【出願人】（５９１０４５６７７）関東化学株式会社 (99)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]