【課題】面発光レーザの活性層のＰＬピーク波長を精密に測定し制御することが可能な面発光レーザの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の面発光レーザの製造方法は以下の工程を有する。基板１上に、多層膜反射鏡１１と、当該多層膜反射鏡１１上に積層された、（２ｎ＋１）λ／４（ｎは自然数、λは波長）共振器長を有する共振器１２と、を有する第１のキャリブレーション構造を形成する第１の工程。第１のキャリブレーション構造における活性層５のフォトルミネッセンス測定から発光ピーク波長を求める第２の工程。活性層５の発光ピーク波長が所定の波長となるように、活性層５の形成条件を調整する第３の工程。第３の工程で得られた活性層５の形成条件に基づき、活性層を含む共振器と当該共振器の上下に設けられた多層膜反射鏡とを有する面発光レーザを形成する第４の工程。 （もっと読む）

半導体構造体は、基板（１２）と、基板（１２）の上面を覆うシード層（１６）と、シード層（１６）を覆って配置される半導体層（２０）と、半導体層（２０）中のトランジスタデバイス（２２、２４）とを備え、基板（１２）はその中に開口部（４２）を備え、該開口部（４２）は基板（１２）の底面から延在して、シード層（１６）の底面で終端し、光電気構造体（４４）はシード層（１６）の底面上に配置される。 （もっと読む）

【課題】駆動系の複雑化やエネルギー効率の低下を招くことなく、スペックルノイズを低減することが可能なレーザー光源装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置１は、基本波長の光を発する活性層１４と、活性層１４から入射した基本波長の光を反射させて折り返す第１反射部１２と、第１反射部１２とともにレーザー発振を生じさせる共振器を構成し、活性層１４から入射した基本波長の光を反射させて折り返す第２反射部１７と、活性層１４の面方向において互いに独立した複数の発光領域に、活性層１４に入射する光を分割して集光する集光部１６と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】メサポストの側面に形成される引出し配線から、メサポスト内の積層に引加される応力を低減する。
【解決手段】メサポスト１２２の側面を、逆テーパ形状又は庇形状の側面として、側面の上部が下部よりも突出する構造に形成する。引出し配線１２０を、基板と垂直の方向からのビームで堆積する平行平板方式のスパッタリングと、基板と斜め方向からのビームで堆積するプラネタリー方式のスパッタリングとの２段階で堆積する。引出し配線１２０とメサポスト１２２の側面との間に、空隙１３０が形成され、引出し配線１２０からメサポスト１２２の側面に引加される応力が低減する。 （もっと読む）

半導体発光素子は、エミッタとコレクタ領域の間のベース領域を有するヘテロ結合バイポーラ発光トランジスタと、エミッタ、ベース、およびコレクタ領域それぞれで、結合電気信号ためのエミッタ、ベース、およびコレクタ電極と、前記ベース領域の中に量子サイズ領域とを備え、前記ベース領域は、前記量子サイズ領域のエミッタ側上に第１のベースサブ領域と、前記量子サイズ領域のコレクタ側上に第２のベースサブ領域を備え、前記第１と第２のベースサブ領域は非対称バンド構造を有する。２端子半導体構造から光放射を生み出すための方法は、第１の伝導型のエミッタ領域と、第１の伝導型の領域と反対に第２の伝導型のベース領域の間に第１の半導体接合、および前記ベース領域とドレイン領域との間に第２の半導体接合を含む半導体構造を提供するステップと、前記ベース領域の間に量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極を提供するステップと、前記ベース領域と前記ドレイン領域に結合されたベース／ドレイン電極を提供するステップとを含み、前記半導体構造から光放射を得るため、前記エミッタおよび前記ベース／ドレイン電極に信号を印加する。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ，偏光方向が安定している面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。そして、レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側の電極１１３と、基板１０１側に設けられたｎ側の電極１１４とを有している。また、射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた２つの小領域（第１の小領域、第２の小領域）には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜である透明層１１１Ａ及び透明層１１１Ｂが「発振波長／４」の光学的厚さで設けられている。 （もっと読む）

【課題】生産性、信頼性に優れる面発光レーザを提供すること。
【解決手段】本発明に係る面発光レーザは、第１のＤＢＲ層と、半導体層の酸化により形成された誘電体層を有する第２のＤＢＲ層と、前記第１のＤＢＲ層と前記第２のＤＢＲ層との間に形成された活性層と、前記活性層に流入する電流を狭窄するために、電流狭窄用半導体層の酸化により形成された酸化狭窄層と、を備え、前記第２のＤＢＲ層の前記半導体層の酸化速度が、前記電流狭窄用半導体層の酸化速度よりも小さいことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 （もっと読む）

【課題】光伝送領域に対するアンダーフィル剤の浸入を阻止して光利用効率の低下を防止することができる光半導体装置、光伝送装置及び面発光素子を提供する。
【解決手段】面発光素子２は、受発光部形成面を装置実装側に有する半導体基板２２と、半導体基板２２の受発光部形成面側から光を光伝送領域５に出力する発光部２ａと、光伝送領域５へのアンダーフィル剤６の浸入を阻止するための阻止層９，１０とを備える。これにより、阻止層９，１０の外側にアンダーフィル剤６が浸入しても、阻止層９，１０から内側（光伝送領域５）へのアンダーフィル剤６の浸入が阻止される。 （もっと読む）

【課題】ビーム並行度が良好で集光性の高いレーザビームが一体化された発光素子を提供する。
【解決手段】凸面からレーザ光を出射させ、レーザ光の光軸が通過する第1レンズ１１４を備えた水平共振器面発光構造を備えたレーザ素子と、前記第1レンズ１１４を通過したレーザ光が通過する第２レンズ１１９とを備え、前記第２レンズ１１９を設けた面に対向する面と該第１のレンズ１１４を設けた面がレーザ光に対し透明な第１接着部材１２０により接着されていることを特徴とする光モジュール。 （もっと読む）

本発明は、分子線エピタキシーによって半導体ヘテロ構造を製造するための方法に関するものであり、以下のステップを有する。それらは、基板を第１の真空チャンバに導入するステップと、基板を第１の温度に加熱するステップと、第１のエピタキシャル層を生成するステップであって、当該層は、III族およびV族典型元素の２元、３元または４元化合物を含む第１の材料を含み、少なくとも１つの分子線から堆積されるステップと、前記基板を第２の温度に冷却するステップであって、III族およびV族典型元素の分子線を遮るステップと、基板を第３の温度に加熱するステップと、第２のエピタキシャル層を生成するステップであって、当該層は、III族およびV族典型元素の２元、３元または４元化合物を含む第２の材料を含み、少なくとも１つの分子線から堆積されるステップとである。さらに、本発明は、ここで述べた方法によって得ることができる半導体素子に関する。
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【課題】高次横モードの発振を抑制しつつ、基本横モードを高出力化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。メサ部１８上面に形成された横モード調整部２３において、２回回転対称または４回回転対称の４つのピークＰを含む１次モードが生じる領域との対向領域のうち、電流注入領域１５Ｂの中心点Ｃ１との対向領域を除く領域を間にして対向する２つのピークＰに対応する特定領域２３Ｄでの反射率Ｒ₂が、電流注入領域１５Ｂの中心点Ｃ１との対向領域を含む領域での反射率Ｒ₁よりも低くなっている。 （もっと読む）

本発明は、第１ＤＢＲ９と第２ＤＢＲ７との間に配設される光学利得媒体８を有するＶＣＳＥＬ装置に関する。前記第１ＤＢＲ及び前記第２ＤＢＲは、レーザキャビティを形成し、前記レーザキャビティにおける自己完結レージングを可能にするよう設計され、前記第２ＤＢＲ７は、前記レーザキャビティにおいて共振するレーザ放射線に対して部分的に透明である。前記第２ＤＢＲ７の側の、前記レーザキャビティの外側の、前記レーザキャビティの光軸上には、光学素子が配設される。前記光学素子は、前記第２ＤＢＲ７に面する凹面５を持ち、前記第２ＤＢＲ７を通して放射されるレーザ放射線の一部を前記レーザキャビティ内へ後方反射するよう設計される。前記凹面５の曲率半径Ｒと、前記凹面５及び前記利得媒体８の間の距離ｄとの比Ｒ／ｄは、１と２との間の範囲内である提案ＶＣＳＥＬ装置では、改善されたモード分布及びモード安定化と共に、ハイパワー出力が達成される。
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【課題】酸化距離のばらつきが小さい酸化装置を提供する。
【解決手段】水蒸気を発生させる水蒸気発生装置と、該水蒸気発生装置で発生した水蒸気を酸化温度近くまで加熱する水蒸気加熱装置５０３０と、該水蒸気加熱装置５０３０で加熱された水蒸気が供給され、該水蒸気の温度を維持するヒータを有する酸化反応器５０４０と、開閉可能な隔壁５０６０を介して酸化反応器５０４０と連結された準備室５０５０と、酸化対象物を加熱するヒータを有し、酸化対象物が載置されるテーブル装置と、該テーブル装置を駆動し、酸化開始時に酸化対象物を準備室５０５０から酸化反応器５０４０に移動させ、酸化終了後に酸化対象物を酸化反応器５０４０から準備室５０５０に移動させる駆動装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できるフォトニック結晶面発光レーザおよびフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトニック結晶面発光レーザ１０ａは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板と、ｎ型クラッド層１２と、発光層１５と、ｐ型クラッド層１６と、フォトニック結晶層１３とを備えている。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板は、極性面または半極性面である主面１１ａと裏面１１ｂとを含み、Ｖ族元素としてＰまたはＡｓを含んでいる。ｎ型クラッド層１２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面１１ａ上に形成される。発光層１５は、ｐ型クラッド層１２上に形成される。ｐ型クラッド層１６は、発光層１５上に形成される。フォトニック結晶層１３は、ｎ型クラッド層１２とｐ型クラッド層１６との間、ｎ型クラッド層１２中、またはｐ型クラッド層１６中のいずれかに形成される。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザの信頼性及び電流注入効率を向上する。
【解決手段】面発光レーザは、半導体基板１０１上に順次に積層された、下部ＤＢＲミラー１０３、ｎ型の下部半導体層、活性層１０５、ｐ型の上部半導体積層、及び、上部ＤＢＲミラー１０９を含む積層構造を有する。上部半導体積層は、１×１０¹⁹cm^-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−Ｖ族半導体からなる炭素ドープ層１１５を活性層１０５の近傍に有する。炭素ドープ層１１５は、ドーパント濃度が隣接するｐ型スペーサ層１０６，１１６のドーパント濃度よりも大きく、水素を内部に含む電流狭窄部と、水素を内部に含まない電流注入部とを有する。積層方向において電流狭窄部に隣接する領域の水素濃度が、電流狭窄部の水素濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】光出力、静電放電による耐性、生産性を改善し、単一横モードで動作する面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、下部ＤＢＲ２２には、ＡｌＡｓ等の第１の被酸化Ａｌ含有層４０が形成され、上部ＤＢＲ２６には、ＡｌＡｓ等の第２の被酸化Ａｌ含有層５０が形成され、第１の被酸化Ａｌ含有層４０は、第２の被酸化Ａｌ含有層５０よりも活性領域から離れた位置にある。第１の被酸化Ａｌ含有層４０第１の非酸化領域４４の大きさは、第２の被酸化Ａｌ含有層５０の第２の非酸化領域５４の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第１の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、第２の非酸化領域の大きさは、第２の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、第１の非酸化領域の大きさは、第２の非酸化領域の大きさと同等もしくはそれより大きい。 （もっと読む）

本発明は第１の共振器ミラー（２）と第２の共振器ミラー（４）と放射を発生させる活性領域（３）とを有する半導体ボディを含む垂直放射（７）形の表面放射半導体レーザ素子に関する。第１の共振器ミラー（２）は、交互に積層された第１の組成の第１の層（２ａ）と第２の組成の第２の層（２ｂ）とを有しており、記第１の層（２ａ）は酸化領域（８ａ）を有しており、少なくとも第１の層（２ａ）はそれぞれドーパントを含んでおり、
少なくとも第１の層（２ａ）の１つの層（２１ａ）のドーパント濃度は他の第１の層（２ａ）のドーパント濃度とは異なる。
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【課題】表面レリーフ構造と電流狭窄構造との水平方向における相対位置のずれを抑制して位置合わせ精度を高くすることができ、単一横モード特性を安定して得ることが可能となる面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】半導体層が積層された面発光レーザであって、
上部ミラーの一部をエッチングすることによって形成された第１のエッチング領域を有する。
また、第１のエッチング領域の底部から、電流狭窄構造を形成するための半導体層までをエッチングすることによって形成された第２のエッチング領域を有する。この第２のエッチング領域の深さは、第１のエッチング領域の深さよりも浅い。 （もっと読む）

本発明の目的は、高質ビーム又は低いM2因子の両方及び低減されたミラーの厚さを有するVCSELを提供することであり、該ミラーの厚さは、その低減された厚さによって熱消散及び生産コストを改善する。レーザー・キャビティから見たように、ブラッグ反射器の遠位側の終わりにある金属反射体と組み合わせたブラッグ反射体を利用することが提案されており、その金属反射体は、光軸の周りの中心に局所的に配置される。
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