【課題】偏光を制御することができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板１００と、基板上に形成されかつ垂直共振器を含み、レーザ光を出射するレーザ素子部２０と、基板上に形成されかつ各々が垂直共振器を含み、レーザ素子部２０を間において対向する側にそれぞれ配置されたダミー素子部３０Ａ、３０Ｂと、レーザ素子部２０に駆動電流を供給するための電極部１５２と、ダミー素子部３０Ａ、３０Ｂに駆動電流を供給するための電極部１６２とを有する。ダミー素子部３０Ａ、３０Ｂの出射領域は、ｐ側電極により遮蔽されかつ基板１００を介してレーザ素子部２０に熱的に結合される。 （もっと読む）

【課題】基本横モードを維持しつつ偏光制御を安定化させることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成された下部メサＭ２と、下部メサＭ２上に形成された上部メサＭ１とを含む。上部メサＭ１には、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６、ｐ型の酸化制御層１２０、活性層１０４が含まれ、下部メサＭ２には、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２、ｎ型の酸化制御層１３０が含まれている。酸化制御層１３０は、酸化制御層１２０よりも活性層１０４に近く、酸化制御層１３０の酸化領域１３０Ａの面積は、酸化制御層１２０の酸化領域１２０Ａの面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】レーザ光出射領域を備えた上部ＤＢＲ層の電流が存在する領域と半導体表面を分離し、半導体表面を始点とする転移の成長が、電流により加速されることを抑制し、信頼性の高い垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、下部及び上部ＤＢＲ層、これらの間の活性層、とを少なくとも有し、上部ＤＢＲ層の表面層にレーザ光を外部に出射するレーザ光出射領域を備えた垂直共振器型面発光レーザであって、
上部ＤＢＲ層は、ドーピングされた第１の多層膜半導体層と、ドーピングされていない第２の多層膜半導体層と、を備え、
上部ＤＢＲ層に設けられる電極が、第１の多層膜半導体層の上部であって、第２の多層膜半導体層に囲まれた領域に形成され、
レーザ光出射領域が第２の多層膜半導体層の表面層に形成されており、
第１の多層膜半導体層の表面層がコンタクト層によって形成され、コンタクト層の上に第２の多層膜半導体層が積層されている。 （もっと読む）

【課題】プリンタヘッドに用いるガウス光分布を有し、高温に強い半導体レーザ・ダイオード、及びそれを採用したプリンタヘッド及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ・ダイオードであって、ｎ型分散ブラッグ反射器と、ｐ型分散ブラッグ反射器と、前記ｎ型分散ブラッグ反射器とｐ型分散ブラッグ反射器との間に配置される活性層とを含む共振器と、前記共振器の側面の外周囲に備わる凹凸パターンとを有する。 （もっと読む）

【課題】安定的にシングルモード発振を得ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１では、光が通過する光通過面に、光軸を囲むように光屈曲部１０と光強度低減部１１とが設けられている。これにより、光軸の周辺に発生する高次モード光Ｌ２を光屈曲部１０において外側に屈曲させることができるので、光軸に沿った高次モード光Ｌ２の出射を抑制することができる。また、光屈曲部１０の反射によって結晶内を外側に進む光は、光強度低減部１１において干渉されることで強度が低減される。そのため、高次モード光Ｌ２が戻り光となって活性層６へ再入射することを防止することができる。従って、高次モード光Ｌ２を抑制することができると共に、レーザ光のノイズ発生を低減することができるので、安定的にシングルモード発振を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】量子ドットから構成される所望とする状態の人工分子が形成できるようにする。
【解決手段】第１半導体からなる各々離間して配置された複数の量子ドット１０１と、これら量子ドット１０１の間に配置された第２半導体からなる半導体層１０２とを少なくとも備える。また、第１半導体と第２半導体とはエネルギーギャップ（バンドギャップエネルギー）が異なり、各々の量子ドット１０１の間隔Ｌｂは、第１半導体中の励起子のボーア半径の０．５倍〜５倍の範囲とされている。また、よりよくは、この間隔が、第１半導体中の励起子のボーア半径の１倍〜５倍の範囲とされている。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりで、信頼性の高い面発光型半導体レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と、半導体材料により構成される活性層と、半導体材料の一部の領域を酸化することにより電流狭窄構造が形成される選択酸化層、上部反射鏡を有し、半導体基板には下部電極が、上部反射鏡には上部電極が接続され、上部電極と下部電極の間に電流を流すことにより、半導体基板面に対し垂直にレーザー光を発する面発光型半導体レーザーにおいて、上部反射鏡、選択酸化層、活性層をエッチングすることによりメサ構造領域と電極パッド領域を形成し、メサ構造領域及び電極パッド領域には、第１の誘電体層と、第２の誘電体層が形成されており、電極パッド領域に形成される第２の誘電体層は、第１の誘電体層よりも狭い領域に形成されていることを特徴とする面発光型半導体レーザーを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を特性を劣化させずに、良好な発光特性を提供できる、垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の主面１１ａ上に第１の分布ブラッグ反射器１３を作製する。分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３上に、第１のｎ型スペーサ半導体層１５、活性層１７、及びｐ型スペーサ層１９を成長する。次いで、原料ガス及び炭素ドーパントを成長炉１０に供給しトンネル接合のためのｐ型高濃度半導体層２１をｐ型スペーサ半導体層１９上に成長する。ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。熱処理２５を行った後に、原料ガス及びｎ型ドーパントを成長炉１０に供給して、トンネル接合のためのｎ型高濃度半導体層２７を成長する。熱処理温度Ｔ_ＴＨは摂氏５００度〜６００度の範囲である。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する面発光レーザ素子を製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７を積層する。そして、分離用の溝１５２を形成することによって露出した下部半導体ＤＢＲ１０３の最表面を不動態化する。そして、不動態化によって生成された酸化膜１５３を、誘電体であるＳｉＮ、ＳｉＯＮ及びＳｉＯ_２のいずれかからなるパッシベーション膜１１１で被覆する。この場合、信頼性を従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】隣り合う面発光レーザとのクロストークを抑制することが可能となる二次元フォトニック結晶を備えた面発光レーザアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層と二次元フォトニック結晶を備え、該二次元フォトニック結晶の面内方向に共振モードを有し、該二次元フォトニック結晶の面に対して垂直方向に光を取り出す面発光レーザが、アレイ状に配列された面発光レーザアレイであって、
前記面発光レーザはメサ状の傾斜した側壁面を有し、
前記二次元フォトニック結晶を含む導波路に入射光が結合する前記メサ状の傾斜した側壁面に対する最大受光角度をθｍａｘ°としたとき、
前記二次元フォトニック結晶の面と前記メサ状の傾斜した側壁面とのなす角度が、（９０＋θｍａｘ）°超、または（９０−θｍａｘ）°未満とされている。 （もっと読む）

【課題】柱状構造近傍の絶縁保護膜の剥離を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１２と、バッファ層１４を含むｎ型の下部ＤＢＲ１６と、活性層２０と、ｐ型の上部ＤＢＲ２２と、上部ＤＢＲ２２から下部ＤＢＲ１６至る半導体層をエッチングして形成されたポストＰと、ポストＰの底部において絶縁保護膜２６の開口部２６Ｂを介してバッファ層１４に至るコンタクト溝３２と、バッファ層１４に電気的に接続されるｎ側電極３４と、ポストＰの頂部において絶縁保護膜２６の開口部２６Ａを介して上部ＤＢＲ２２に電気的に接続されるｐ側電極２８と、コンタクト溝３２とポストＰとの間の下部ＤＢＲ１６に形成された絶縁保護膜の剥離を防止する剥離防止溝５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ低コストで面発光型半導体レーザ素子をバーンインする方法を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子のバーンイン方法は、面発光型半導体レーザ素子に熱的負荷を与えるためのストレス電流を印加するステップ（ステップＳ１０４）と、ストレス電流を印加した面発光型半導体レーザ素子に測定電流を印加し、面発光型半導体レーザ素子の光量を測定するステップ（ステップＳ１０５）と、測定された結果に基づき面発光型半導体レーザ素子の合否判定を行うステップと（ステップＳ１０６）を有する。ストレス電流は、面発光型半導体レーザ素子から出射される光量が増加から低下に変化するときの駆動電流（サーマルロールオーバの駆動電流）よりも大きく、面発光型半導体レーザ素子が故障するときの故障電流よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】
光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供する。
【解決手段】
光モジュールにおいて、半導体基板１１の主表面に対して光を垂直方向に出射する発光素子が光出射領域に集積されたレンズ１９と光出射領域を囲むように集積された保持部２２とを有することにより、発光素子と発光素子からの光を導波する光ファイバ３１との水平垂直方向の位置合わせの簡易性が向上し、光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高出力のシングルモード発振を簡易な構成かつ低閾値電流で実現することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】メサ部１７内には、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＰ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ＜１）系の材料（赤色系の材料）からなる活性層１３と、面内の中央領域に未酸化領域１８Ｂを有すると共に、未酸化領域１８Ｂの周縁に環状の酸化領域１８Ａを有する電流狭窄層１８とが設けられている。メサ部１７の上面には、未酸化領域１８Ｂに対応して高反射領域２３Ａを有すると共に、高反射領域２３Ａの周縁に環状の低反射領域２３Ｂを有する横モード調整層３０が設けられている。酸化領域１８Ｂの直径Ｄ_oxおよび未酸化領域１８Ｂの直径Ｄ_hrは０．８＜Ｄ_hr／Ｄ_ox＜１．５を満たしている。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体層の製造方法、不純物の不活性化が抑制された半導体層、簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体レーザの製造方法、および不純物の不活性化が抑制された半導体層を備えた半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ₁）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。ＡｓＨ₃については、プロセス温度が５００℃以上となっている時に供給を停止する。このとき、ＡｓＨ₃に代わる新たなガス、例えば、有機Ａｓや窒素などを別途供給しない。 （もっと読む）

【課題】低コストで高い歩留まりの面発光半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体材料により構成される活性層を、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される２つの反射鏡によって上下から挟み込まれた積層体を半導体基板の表面上に形成してなり、該半導体基板の前記積層体を形成した面と反対側の面に下部電極が接続され、前記積層体の上部の反射鏡表面に上部電極が接続され、前記電極の間に電流を流すことにより、前記半導体基板面に対して垂直にレーザ光を発する面発光半導体レーザにおいて、該面発光半導体レーザは上側の反射鏡に形成された半導体膜の一部の領域を酸化することにより、電流狭窄構造が形成される選択酸化層を有するとともに、前記活性層と前記選択酸化層と前記上側の反射鏡領域においてメサ構造が形成されており、該メサ構造の側壁面に、前記選択酸化層の前記積層体の上部からの深さ方向位置を検出する検出部を設ける。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高めることができる半導体発光素子、光ピックアップ装置、光源装置および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、ウルツ鉱型結晶構造の無極性面と当該無極性面に沿った方向とは直交する有極性面とを有する下地層１と、下地層１の当該無極性面である成長面１Ａ上に形成されており、当該無極性面１Ａにおける下地層１の格子定数とは異なる格子定数を有するIII族窒化物半導体からなる複数の量子細線活性層２とを含み、量子細線活性層２は、前記有極性面の法線方向（ｃ軸方向）に伸長するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 発光部に対してレンズが高精度で位置合わせされた面発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の面発光素子は、一方の面にレンズ１０２が形成されているレンズ基板１０１と、半導体エピタキシャル層を含む発光部１０３とを含み、
前記レンズ基板１０１に、目合わせマーク１０４が形成されており、
前記レンズ基板１０１の前記レンズ１０２が形成されている面上に、前記半導体エピタキシャル層と前記レンズが対向している状態で、前記発光部１０３が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりが高い一次元アレイ素子の製造方法および信頼性が高い一次元アレイ素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料からなる一次元アレイ素子の製造方法であって、エピタキシャル成長を用いて、主表面として（１００）面を有する基板の該主表面上に、素子領域中の一部に活性領域を有する単一素子を＜０１１＞方向に対してゼロよりも大きい角度をなす配列方向に複数配列して構成した一次元アレイ素子を複数形成し、該形成した一次元アレイ素子を素子分離する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓを含む活性層を備える光半導体素子において、Ｇｅの拡散が少なく、良好なデバイス特性が得られるようにする。
【解決手段】光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 （もっと読む）