【課題】高次横モードの発振を制御しつつ、偏光方向が安定している面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内には、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に透明な誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、射出領域の中心部の反射率が相対的に高い部分は、射出面内の互いに直交する２方向（Ｘ軸方向とＹ軸方向）に関して長さが異なっており、ｐ側電極１１３におけるコンタクト層１０９に接している電流注入領域は、形状異方性を有している。 （もっと読む）

【課題】発光特性を低下させることなく、素子抵抗を小さくすることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板上に積層された、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層（ｎ側スペーサ層）、活性層、上部スペーサ層（ｐ側スペーサ層）、及び上部半導体ＤＢＲなどを有している。活性層は、下部スペーサ層と上部スペーサ層とによって挟まれている。そして、上部スペーサ層は、少なくとも活性層に接する一部分に、ｐ型ドーパントが含まれないアンドープ領域を有し、下部スペーサ層は、全体にｎ型ドーパントがドープされている。そこで、発光特性を低下させることなく、素子抵抗を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 射出領域内に、屈折率１．４５のＳｉＯ_２からなる誘電体層の上に、屈折率１．８７のＳｉＮからなる誘電体層がそれぞれλ／４の光学的厚さで積層され、反射率を高くする高反射率領域１１６を有し、該高反射率領域１１６は、射出領域の中心部を含んで設けられ、射出領域に平行な面内の互いに直交する２方向において、形状異方性を有している。また、射出領域内には、ＳｉＮからなる誘電体層がλ／４の光学的厚さで、高反射率領域１１６を取り囲むように形成され、反射率を低くする低反射率領域１１５を有している。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心軸を高精度に位置合わせでき、作製過程において、表面への損傷の軽減が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】積層された半導体層の上に表面レリーフ構造を備え、メサ構造に構成された面発光レーザの製造方法であって、半導体層の上に、第一の誘電体膜４１６と、メサ構造を画定するための第１のパターンと表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンとを有する第一のレジスト膜４１８と、を形成する第一の工程と、第一の工程の後に、第２のパターンを覆い、第１のパターンを露出するように、第二のレジスト膜４２６を形成する第二工程と、第二の工程の後に、第二のレジスト膜をマスクとして、第１のパターンにおける半導体層を除去し、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、を有し、第１のパターン４２０と第２のパターン４２２は同一工程により形成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、深さの異なる溝を高精度に形成し、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することが可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】コンタクト層１７に第１溝５１を設けたのち、平面形状において一部が第１溝５１に重なる第２溝５２を形成する。第２溝５２の第１溝５１に重ならない部分５２Ｂのエッチング深さを、積層方向において上部酸化可能層を含む上部第２ＤＢＲミラー層を貫通すると共に、下部酸化可能層を含む下部第２ＤＢＲミラー層に達しない深さとする。このとき、第２溝５２の第１溝５１に重なる部分５２Ａのエッチング深さは、第１溝５１の深さ分だけ、第１溝５１に重ならない部分５２Ｂよりも大きくなり、積層方向において下部酸化可能層のうち少なくとも１層を貫通する深さとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】安定したレーザ発振をすることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板１００と、高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された共振器領域１０４と、共振器領域１０４上に形成された活性領域１０６と、活性領域１０６上に形成された高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有する。共振器領域１０４は、下部ＤＢＲ１０２上に形成された酸化物領域１０４Ａと、酸化物領域１０４Ａ上に形成され、活性領域１０６に隣接するｎ型の導電領域１０４Ｂとを有し、酸化物領域１０４Ａの屈折率は、導電領域１０４Ｂの屈折率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】偏光制御された基本横モード発振を得ることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、基板１００上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６内に形成されたｐ型の電流狭窄層１０８と、上部ＤＢＲ１０６と電気的に接続されたｐ側電極１１２と、ｎ側電極１２０とを有する。電流狭窄層１０８には、長軸と短軸を有する楕円形状の導電領域１０８Ｂが形成され、ｐ側電極１１２には、光出射口を規定する開口１１２Ａが形成される。開口１１２Ａの前記長軸方向の径は、導電領域１０８Ｂの長軸の長さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、小型で、光量変動の少ない安定した光を射出する光デバイスを提供する。
【解決手段】 複数の発光部を有するレーザチップ１００、パッケージ部材２００及びカバーガラス３００などを有している。カバーガラス３００は、レーザチップ１００から射出された光束の光路上に配置され、レーザチップ１００から射出された光束が入射する入射面が、レーザチップ１００の射出面に対して傾斜しており、その傾斜角は、複数の発光部において最も離れている２つの発光部の一方から射出された光を反射して他方に入射させるときの傾斜角よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】安定したレーザ発振をすることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板１００と、高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成されたｎ型のＡｌＧａＡｓからなる共振器延長領域１０４と、共振器延長領域１０４上に形成された活性領域１０６と、活性領域１０６上に形成された高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有し、上部ＤＢＲ１０８の高屈折率層と低屈折率層の屈折率差は、下部ＤＢＲ１０２の高屈折率層と低屈折率層の屈折率差よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】単一光子の波長変換において、信号対雑音比の低下を防ぐこと。
【解決手段】波長変換装置は、第１の量子ドット及び第２の量子ドットを有する結合量子ドットと、結合量子ドットを内包する光共振器と、結合量子ドットに印加する電圧を制御する電圧制御部とを備え、第１の量子ドットにおける極性の異なるキャリアのうちの一方のキャリアのエネルギー準位と他方のキャリアのエネルギー準位との間のエネルギー差は入射単一光子のエネルギーに一致し、第２の量子ドットにおける極性の異なるキャリアのうちの一方のキャリアのエネルギー準位と他方のキャリアのエネルギー準位との間のエネルギー差、又は、第１の量子ドットにおけるキャリアのエネルギー準位と第２の量子ドットにおける該キャリアとは極性の異なるキャリアのエネルギー準位との間のエネルギー差は、光共振器の共鳴エネルギーに等しい。 （もっと読む）

【課題】高出力なレーザー光源装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置は、基板１１０と、基板１１０の基板面１１０ａに配置された一対の発光部と、一対の発光部の一方の発光部から射出された光を反射させる第１反射部と、第１反射部で反射した光を一対の発光部の他方の発光部に向けて反射させる第２反射部と、を備える。一対の発光部と第１反射部と第２反射部とを含んで共振器が構成される。第１反射部及び第２反射部の少なくとも一方の反射部は、光反射部材１４３と、基板面１１０ａに沿って接合された接合部１４１と、接合部１４１に接続され基板面１１０ａに平行な任意の１つの軸回りに光反射部材１４３を回動可能に保持する保持部１４２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】高い出力で単一横モード動作をさせつつ、素子抵抗を小さくすることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。そして、射出面上に射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内に、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に透明な誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、ｐ側電極１１３におけるコンタクト層１０９に接触する部分の外側の外形は角を含む形状である。この場合、メサを大きくすることなく、ｐ側電極１１３とコンタクト層１０９との接触面積を従来よりも大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子に関し、複雑な設計を要することなく、ＧａＡｓ基板を用いた長波長発光素子を実現する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板上に第一導電型半導体層と、少なくとも一層のＧｅ_１−ｘＳｉ_ｘ層（但し、０≦ｘ≦０．５）と少なくとも一層のＩｎ_１−ｙＧａ_ｙＡｓ層（但し、０≦ｙ≦０．７）とのヘテロ接合を有する発光層と、第一導電型半導体層とは反対の導電型の第二導電型半導体層とを設ける。 （もっと読む）

【課題】高出力で温度特性の良好な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 反射層１０２Ａは、反射層１１２と反射層１１３からなる。反射層１１２は、基板上に形成され、反射層１１３は、反射層１１２上に形成される。反射層１１２は、低屈折率層１１２１と高屈折率層１１２２とが積層された構造からなる。低屈折率層１１２１は、ｎ−ＡｌＡｓからなり、高屈折率層１１２２は、ｎ−Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。反射層１１３は、低屈折率層１１３１と、高屈折率層１１３２とが積層された構造からなる。低屈折率層１１３１は、ｎ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓからなり、高屈折率層１１３２は、ｎ−Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。そして、レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内に、周辺部の反射率を中心部の反射率よりも低くする誘電体膜が設けられている。そして、誘電体膜の端部近傍は、射出面に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】低い閾値で高温状態においても高出力が可能な面発光型レーザ等に用いられるｐ型半導体ＤＢＲ構造体を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、ｐ型不純物元素としてＭｇまたはＺｎを含む、III−Ｖ族の化合物半導体材料により形成される低屈折率層と高屈折率層とが積層されたｐ型半導体ＤＢＲ構造体において、前記低屈折率層には、一部に不純物拡散防止層が設けられており、前記不純物拡散防止層におけるＡｌ組成比は、前記低屈折率層における不純物拡散防止層以外の領域におけるＡｌ組成比よりも高いことを特徴するｐ型半導体ＤＢＲ構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高次横モード発振を抑制し高出力の基本横モード発振を得ることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭと、メサＭ内に形成され、選択的に酸化された酸化領域１０８Ａによって囲まれた導電領域１０８Ｂを有する電流狭窄層１０８と、メサＭの頂部に形成され、光出射口１１０Ａを規定する環状のｐ側電極１１０と、光出射口１１０Ａを覆う第１の絶縁膜１１２と、第１の絶縁膜の屈折率よりも大きい屈折率を有する環状の第２の絶縁膜１１４とを有する。光出射口１１０Ａの第２の絶縁膜１１４が存在する領域の反射率は、第１の絶縁膜１１２のみが存在する領域の反射率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 光閉じ込め係数を大きくして効率的にモード利得を増大させる。
【解決手段】 光共振器３の厚さ方向の両端側には下部反射層４および上部反射層５をそれぞれ設けると共に、光共振器３の厚さ方向の中央部には主活性層６を設ける。また、光共振器３には、下部反射層４の近傍に第１の副活性層７を設けると共に、上部反射層５の近傍に第２の副活性層８を設ける。これにより、下部反射層４と上部反射層５との間の光学長Ｌoを延長することなく、第１の副活性層７および第２の副活性層８を光の振幅が大きい定在波の腹の位置に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ、長期信頼性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、及びコンタクト層１０９などが積層されている。そして、レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内には、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、射出方向からみたときに、ｐ側電極１１３の一部がモードフィルタ１１５の一部を覆うように形成されている。 （もっと読む）