【課題】注入電流の大きさを変化させても、全光出力における各横モードの出力の割合の変動を抑制することが可能なトンネル接合型の面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１００は、下部ＤＢＲ３と、下部スペーサ層５と、活性層７と、第１上部スペーサ層９と、第１上部スペーサ層９の上面９Ｓの一部（第１領域９Ｓ１及び第２領域９Ｓ２）上に設けられたトンネル接合領域ＴＪと、トンネル接合領域ＴＪを埋め込むようにトンネル接合領域ＴＪ上及び第１上部スペーサ層９上に設けられた第２上部スペーサ層１５と、上部分布ブラッグリフレクタ１９と、を備える。トンネル接合領域ＴＪの単位面積当たりのトンネル抵抗は、半導体基板１の主面１Ｓと直交する方向から見た場合のトンネル接合領域ＴＪの内側から外側に向かって、段階的に減少、及び／又は、単調に減少することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても、縦モードホッピングの発生を抑制することができ、より安定した単一縦モード発振が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の、第１および第２のミラーとで共振器が構成され、第１と第２のミラーとの間に設けられた第１の活性層と、第１の活性層と第１のミラーとの間に設けられた第２の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、第１の活性層は、実効的な共振器長Ｌを構成する実効共振器の端から３Ｌ／８〜５Ｌ／８となる第１の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、第２の活性層は、実効共振器の端から３Ｌ／８Ｍ〜５Ｌ／８Ｍ（Ｍは２以上の整数）となる第２の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭと、メサＭ内に形成され、選択的に酸化された酸化領域１０８Ａによって囲まれた導電領域１０８Ｂを有する電流狭窄層１０８と、メサＭの頂部に形成され、光出射口１１０Ａを規定する環状のｐ側電極１１０と、光出射口１１０Ａ内に形成された異方形状の第１の誘電体膜１１２と、第１の誘電体膜１１２と直交する方向に形成された異方形状の第２の誘電体膜１１８とを有する。第１および第２の誘電体膜１１２、１１８は、互いに反対の応力を活性領域１０４に付加し、かつ、第１および第２の誘電体膜の重複領域の反射率は、重複しない領域の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】偏向方位分解能の向上、偏向角の拡大、搭載自由度の向上、および構造の簡略化を実現する
【解決手段】光偏向素子１は、内部を光が導波する光ガイド層１３と、光ガイド層１３の上面および下面に形成されたＤＢＲ１４およびＤＢＲ１２とを備え（以下、光ガイド層１３とＤＢＲ１２，１４とをまとめて「導波路」という）、さらに、ＤＢＲ１４の両面のうち導波路と非接触となる側の面に形成された光入射口２６と、光入射口２６から入射して導波路内を導波する光を出射させるための光出射口２７とを備える。そして、光入射口２６から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光ガイド層１３の上面および下面に設けられたＤＢＲ１２，１４で反射しながら光導波層内を導波し（矢印Ｄ１を参照）、その後、光出射口２７から出射する（矢印Ｄ２を参照）。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の上昇を招くことなく、発光効率を向上させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 発光部は基板、バッファ層、下部半導体ＤＢＲ、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、上部電極、下部電極などを有している。上部半導体ＤＢＲは、第１の上部半導体ＤＢＲ、及び第２の上部半導体ＤＢＲを有している。第１の上部半導体ＤＢＲは、ｐ−Ａｌ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる低屈折率層を含み、該低屈折率層は、第２の上部半導体ＤＢＲにおけるｐ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓからなる低屈折率層と接している。第１の上部半導体ＤＢＲの低屈折率層（ｐ−Ａｌ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ）と第２の上部半導体ＤＢＲにおける第１の上部半導体ＤＢＲに接している低屈折率層（ｐ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓ）は、屈折率が同じである。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層における酸化領域の一部を除去し、酸化による歪を緩和する際、機械的な強度を保つことが可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の多層膜反射鏡の一部の層を構成する被酸化層に電流狭窄層を形成して活性層への電流注入を制限するようにした面発光レーザの製造方法であって、電流狭窄層は、酸化領域の一部が除去された酸化領域除去部分を有し、酸化領域除去部分は、非酸化領域の中心からみて、少なくとも以下の（１）〜（３）のいずれか一つの条件を満たす領域によって形成されていることを特徴とする面発光レーザ。（１）非酸化領域の形状は多角形であり、その頂点の方向を含む領域であること。（２）基板は傾斜基板であり、最大傾斜角の方向とは逆側の方向を含む領域であること。（３）電極が電気的コンタクトをしている面積が最大となる方向を含む領域であること。 （もっと読む）

【課題】外力によるパッケージの変形を抑制することができる面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】 面発光レーザモジュール１０は、フラットパッケージ２０、金属リング３０、キャップ、及び面発光レーザアレイチップ６０を有している。金属リング３０は、フラットパッケージ２０に、キャビティ領域を取り囲んで固着されている。キャップは、キャップ本体４１及びガラス板４２を有している。キャップ本体４１は、立ち上がり部と、フランジ部と、傾斜部とを有している。フランジ部と金属リング３０とはシーム溶接されている。 （もっと読む）

【課題】活性層における注入電流分布を均一化できる面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板３と、前記半導体基板３における一方の面に設けられた第１の電極５と、前記半導体基板３における反対側の面に設けられた、第１の分布反射ミラー７、第１のクラッド層９、活性層１１、第２のクラッド層１３、第２の分布反射ミラー１５、及び第２の電極１７と、を備え、前記第１の電極５と前記第２の電極１７のうち、一方は、開口部を有する出射側電極５であり、他方は、コンタクト部を有する非出射側電極１７であり、膜厚方向での電気抵抗が、中央部よりも、周辺部において大きい抵抗分布層１６を、前記非出射側電極１７に隣接する位置に備えることを特徴とする面発光レーザ素子１。 （もっと読む）

【課題】効率の良いレーザ動作を実現することが可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、活性層４０と第１反射層３０とを含む半導体積層３と、半導体積層３の活性層４０側の主面３ａから離間して配置された第２反射層６０と、を備える。活性層４０は、キャリヤ励起層４１及びキャリヤ励起層４１に挟まれた井戸層５０を有する。キャリヤ励起層４１はIV−VI族化合物半導体及びII−VI族化合物半導体を含んだ複数の半導体層からなると共に、キャリヤ励起層のバンドギャップは井戸層５０に近づくに従って減少する。井戸層５０は、IV−VI族化合物半導体及びII−VI族化合物半導体を含んだ短周期超格子構造を有する第１の層及びIV−VI族化合物半導体を含む第２の層を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を中断してウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成でき、電流狭窄効果が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を有する半導体レーザ１であって、前記電流狭窄層は、ｎ型不純物原子がドープされたn++接合層１９、絶縁層１７、及びｐ型不純物原子がドープされたp++接合層１５から構成され、前記p++接合層１５は、その周辺部１５ｂよりも厚い中央部１５ａを備え、前記n++接合層１９は、前記中央部１５ａにおいて前記p++接合層１５と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層１７は、前記周辺部１５ｂにおいて、前記n++接合層１９とp++接合層１５とを隔てることを特徴とする半導体レーザ１。 （もっと読む）

【課題】高い単一基本モード出力で偏光安定性をもち、等方性の高いビーム断面形状で、ビーム発散角の小さく、高い歩留で安定して製造することができる面発光レーザを提供する。
【解決手段】 面発光レーザアレイの各発光部は、ｚ軸方向からみたとき、射出領域が、中心部を含み相対的に反射率が高い第１半導体表面構造体領域１１６Ｂと、相対的に反射率の低い第２半導体表面構造体領域１１６Ａとを有している。そして、各発光部における電流狭窄領域１０８ｂの形状は、ｚ軸方向からみたとき、ｙ軸方向に平行で中心を通る長さが、ｘ軸方向に平行で中心を通る長さよりも短い形状である。また、各発光部における第１半導体表面構造体領域１１６Ｂの形状は、ｚ軸方向からみたとき、ｙ軸方向に平行で中心を通る長さが、ｘ軸方向に平行で中心を通る長さよりも長い形状である。 （もっと読む）

【課題】活性層における注入電流分布を均一化できる面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板３と、前記半導体基板３における一方の面に設けられた第１の電極５と、前記半導体基板３における反対側の面に設けられた、第１の分布反射ミラー７、第１のクラッド層９、活性層１１、第２のクラッド層１３、第２の分布反射ミラー１５、及び第２の電極１７と、を備え、前記第１の電極５と前記第２の電極１７のうち、一方は、開口部Ａを有する出射側電極であり、他方は、コンタクト部１７ａを有する非出射側電極であり、前記活性層１１と前記出射側電極との間に、前記コンタクト部１７ａよりも小さい開口部２１ａを有する電流狭窄層２１を備えることを特徴とする面発光レーザ素子１。 （もっと読む）

【課題】高変調速度で駆動でき、有効寄生キャパシタンスが小さく、特に簡単且つ低コストで製造できるレーザ発振装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光相互接続に使用されるレーザ発振装置を提供する。レーザ発振装置は、第１及び第２の反射器と、電流閉じ込め開口内に電流を閉じ込めるよう構成された閉じ込め層と、第１及び第２の反射器間の活性層とを具備する。活性層は、電流閉じ込め開口に整列した主活性領域と、主活性領域を取り囲む補助活性領域とを具備する。第２反射器は、電流閉じ込め開口に配置された第１反射領域と、第１反射領域を取り囲む第２反射領域とを具備する。第２反射領域及び第１反射器は、補助活性領域で誘導再結合を誘導するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型、Ｎ型（Ｉ型）結晶を別々に形成する２チャンバ方式により、Ｍｇのドーピングに伴う遅延効果およびメモリ効果を抑制し、エピタキシャル成長時間を短縮したＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】水冷機構を備えるコールドウォール構造を備え、ガスの流れはウェハ８の表面に対して水平方向であり、Ｐ型層成長とＮ型（Ｉ型）層成長ではそれぞれ別のＮ型（Ｉ型）層成長用チャンバ１４・Ｐ型層成長用チャンバ１６で成長するように構成され、ウェハ８を保持するサセプタも別々のＮ型層成長用サセプタ３・Ｐ型層成長用サセプタ５を使用するＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】単一基本横モードの出力を容易に向上可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子は、活性層１０５、共振器スペーサー層１０４，１０６、反射層１０３，１０７、並びに酸化領域１０８ｂが電流狭窄層及び抑制層として機能する選択酸化層１０８を備える。共振器スペーサー層１０４，１０６は、活性層１０５の両側に設けられる。反射層１０３，１０７は、共振器スペーサー層１０４，１０６の両側に設けられ、活性層１０５において発振した発振光を反射する。電流狭窄層は、活性層１０５へ電流を注入するときの反射層１０３，１０７の領域を制限する。抑制層は、活性層１０５において発振した高次モード成分を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりで製造することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。メサの上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層１１１ａで被覆され、該テーパ面の基板面に対するテーパ角δは、メサにおける側面の基板面に対する傾斜角θよりも小さい。この場合は、カバレージ良く配線を形成することが可能となり、製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でスペックルノイズを低減することができるレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】全体のレーザ発振波長幅が５ｎｍ〜１０ｎｍに制御され、全体のレーザ発振波長幅の範囲内で０．１〜０．２ｎｍを１刻みとし、１刻み毎に対応する波長のレーザ光を発振する柱状のエミッタを少なくとも１００本以上ずつ有するナノコラムレーザダイオードを備える。 （もっと読む）

【課題】容量を低減しつつ熱衝撃に強い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ光を出力するレーザ素子であって、基板２０と、基板２０の表面と垂直な方向に順次形成された下部反射層３０及び上部反射層９０と、下部反射層３０及び上部反射層９０の間に形成された活性層５０と、活性層５０に流れる電流を狭窄する電流狭窄層７０とを備え、電流狭窄層７０は、基板２０の表面と平行な平行面における電流狭窄層７０の端部から、平行面に沿って電流狭窄層の中心に向かう方向に延伸して形成され、中心側に設けられた先端部と端部との間に屈曲点が無いか、または、複数の屈曲点が形成された酸化層を有するレーザ素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスにおいて段差構造の形状が変動したとしても、この変動がＦＦＰに与える影響を抑制することができる面発光レーザ、および、該面発光レーザを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】面発光レーザ１００は、半導体基板１１０上に、下部ミラー１１２、活性層１１４、上部ミラー１１６が積層され、上部ミラー上に凸型の段差構造１５０が設けられている。その第１の領域１６０と第２の領域１６２との間の第３の領域１６５に遮光部材が配されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程における歩留りを向上させ、品質の良い面発光レーザを提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子１は、アルミニウムを含まない材料からなる基板１ａ上に、第１の半導体多層膜（下部半導体ＤＢＲ１ｂ）と活性層１ｃおよび第２の半導体多層膜（上部半導体ＤＢＲ１ｄ）からなるアルミニウムを含む半導体層１ｅを有しており、この半導体層１ｅを、基板１ａにいたる深さまでエッチングして第１の分離溝１ｆを形成し、半導体層１ｅに保護膜１ｇを形成し、第１の分離溝１ｆの中心部における基板１ａを予め定められた深さまでエッチングして第２の分離溝１ｉを形成し、この第２の分離溝１ｉに沿って分離してなる。 （もっと読む）