【課題】光信号を送信または受信する発光素子や受光素子を静電放電による破壊から保護する光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送モジュール１０は、光信号を送信する柱状の半導体層を含む素子部２０Ａおよび柱状の導電性の半導体層を含む支持部２０Ｂが形成されたＶＣＳＥＬ２０と、素子部および支持部と対向するように配され、素子部と光学的に結合するスラブ導波路３０と、支持部上に設けられ、スラブ導波路に接触される導電性接着剤４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】電圧の上昇を抑制しながら選択酸化層とスペーサ層との界面での剥離を防止することができ、信頼性の向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、ｎ型半導体ブラッグ反射鏡と、ｐ型半導体ブラッグ反射鏡と、これらの間に設けられた活性層と、が積層され、
前記ｐ型半導体ブラッグ反射鏡は、前記活性層上に、ｐ型スペーサ層、選択酸化層を介して設けられ、該選択酸化層を酸化させて電流狭窄構造を形成した垂直共振器型面発光レーザであって、
前記選択酸化層に隣接して設けられた、該選択酸化層を酸化させる際に酸化の進行しない材料で構成された第１中間層と、
前記ｐ型スペーサ層とのバンドギャップを調整するための、該第１中間層に隣接して設けられた第２中間層及び該第２中間層に隣接して設けられた第３中間層とが、前記選択酸化層と前記ｐ型スペーサ層との間に配されている。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＡｓ基板上にＡｌ、Ｉｎ、Ｐを主成分として含む半導体層が少なくとも１層設けられている面発光型半導体レーザにおいて、Ｉｎの分離の影響による閾値電流増加を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】 Ａｌ，Ｉｎ，Ｐを主成分として含む半導体層１とＡｌ，Ｇａ，Ａｓを主成分として含む半導体層２との界面３を電界強度分布の節の位置とすることによって、Ａｌ，Ｉｎ，Ｐを主成分として含む半導体層１の上にＡｌ，Ｇａ，Ａｓを主成分として含む半導体層２を結晶成長したときに、Ｉｎの分離がある程度生じていても界面における光学的吸収の影響を大幅に低減させることができ、よって、閾値増加への悪影響を大幅に抑えることが容易に実現できるようにした。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減を図る。
【解決手段】ＶＣＳＥＬのＤＢＲ層２５において、屈折率及びバンドギャップが異なるナローバンド層２５ｂ及びワイドバンド層２５ａを交互に積層し、ナローバンド層２５ｂとワイドバンド層との間にグレーデッド層２５ｃを配置し構成するとともに、ワイドバンド層２５ａはナローバンド層２５ｂに比べて大きいバンドギャップ及び高い不純物濃度とし、グレーデッド層２５ｃは、ナローバンド層２５ｂと隣接する一端面側からワイドバンド層２５ａと隣接する他端面側に向かってナローバンド層２５ｂの組成で始まってワイドバンド層２５ａの組成で終わるように連続的に組成変化させて形成するとともに、ナローバンド層２５ｂと隣接する一端面側からワイドバンド層２５ａと隣接する他端面側に向かってナローバンド層２５ｂの不純物濃度で始まってワイドバンド層２５ａの不純物濃度で終わるように傾斜的に変化させて形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と半導体光検出素子との間で電気的なクロストークが生じるのを抑制することの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子４０と、半導体光検出素子１０との間に、絶縁層２０および金属層３０が挿入されている。絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 （もっと読む）

【課題】光量変動の少ない安定した光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 レーザチップ１００、受光素子１５０、カバーガラス３００などを有し、受光素子１５０は、レーザチップ１００の＋Ｘ側に配置されている。カバーガラス３００は、その表面で反射された光束が、ブリュースター角と略一致する入射角で、受光素子１５０に入射するように、ＸＺ面内でＸ軸方向に対して傾斜して配置されている。レーザチップ１００は、射出領域内に、光学的厚さがλ／４のＳｉＮからなる長方形状の透明層と透明層がＸ軸方向に対向して形成され、射出領域の中心部の相対的に反射率が高い領域は、射出領域の中心を通りＸ軸に平行な方向に関する幅が、射出領域の中心を通りＹ軸に平行な方向に関する幅よりも小さい形状異方性を有している。 （もっと読む）

【課題】応答速度の低下及び大型化を防止しつつ、各発光部において均一な変調特性を得ることができる半導体発光素子アレイを提供すること。
【解決手段】本発明に係るＶＣＳＥＬアレイ１では、配線８Ａ〜８Ｒの幅の変更による電気抵抗の均一化とプロトン注入領域１８Ａ，１８Ｄ〜１８Ｎ，１８Ｒの形成における浮遊容量の均一化とを同時に行うことによりＣＲ時定数を略同一にできるため、各ＶＣＳＥＬ素子２Ａ〜２Ｒにおいて均一な変調特性を得ることができる。また、ＣＲ時定数の増大を抑制することができるため、応答速度の低下を防止することができる。更には、配線８Ａ〜８Ｒの幅の変更や発光層４におけるプロトン注入領域１８Ａ，１８Ｄ〜１８Ｎ，１８Ｒの形成は、ＶＣＳＥＬアレイ１に対する外的な部品の付加を要さないため、大型化をも防止することができる。 （もっと読む）

【課題】活性層への電流注入が不均一になりにくく、外周部の光が遮られることがない面発光型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】活性層７と、前記活性層７を挟んで配置される出射側ＤＢＲ５及び非出射側ＤＢＲ９と、前記出射側ＤＢＲ５側に設けられ、開口部１５ａを有する出射側電極１５と、前記非出射側ＤＢＲ９側に設けられた非出射側電極１３と、を備えた面発光型半導体レーザ素子１であって、前記非出射側ＤＢＲ９の膜厚方向における抵抗が、前記出射側ＤＢＲ５の膜厚方向における抵抗よりも高いことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子１。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層からの欠陥の転移を十分に抑制することができる面発光型半導体素子を提供すること。
【解決手段】面発光型半導体素子１では、電流狭窄層７が上側超格子構造層２１及び下側超格子構造層２２により挟まれており、これらの超格子構造層２１，２２は、複数の種類の結晶格子が重ね合わされた構造であるため、電流狭窄層７に欠陥が生じても、その欠陥は超格子構造層２１，２２内を伝搬し難くなり、欠陥が超格子構造層２１，２２を越えて他の層に転移することを防止することができる。よって、電流狭窄層７からの欠陥の転移を十分に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】低閾値特性と、高効率大出力特性の両方を実現でき、小型化可能な面発光型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】発光層１４と、前記発光層１４を挟んで配置される出射側ＤＢＲ１５及び非出射側ＤＢＲ１２とを備えた面発光型半導体レーザ素子１００であって、前記出射側ＤＢＲ１５は、第１の層２３、及び前記第１の層２３との間にギャップ２５を有する第２の層２７から構成されるとともに、前記ギャップ２５の厚みを変化させる可変ギャップ手段１６、２１を有することを特徴とする面発光型半導体レーザ素子１００。 （もっと読む）

【課題】素子温度を正確に見積もることの可能な温度検出部を備えた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、複数のレーザ構造部２０と、１つの温度検出部３０とが設けられている。レーザ構造部２０および温度検出部３０は共に、半導体基板１０を成長基板として形成されたものであり、かつ半導体基板１０の法線方向にＰＩＮ接合を有している。温度検出部３０は、上面に低反射率層（図示せす）を有しており、発振しないようになっている。 （もっと読む）

【課題】素子の信頼性を損ねたり制御の容易ではない製法を用いたりすることなく、メサ径をより小さくすることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】電流注入領域１８Ａの断面形状とは異なる断面形状を有するメサ部１７の上面であって、かつ電流注入領域１８Ａと非対向な領域に、複数の上部電極３１が設けられている。複数の上部電極３１の、面内における重心点（図示せず）と、電流注入領域１８Ａの、面内における重心点（図示せず）とを一の面内において互いに重ね合わせたときに、各上部電極３１のエッジと、電流注入領域１８Ａのエッジとの間の間隙Ｄ１が一定となっている。メサ部１７の上面の、面内における中心点（図示せず）と、複数の上部電極３１の、面内における重心点とを一の面内において互いに重ね合わせたときに、メサ部１７の上面のエッジと、各上部電極３１のエッジとの間の間隙Ｄ２が一定となっている。 （もっと読む）

【課題】戻り光による光量変動が極めて少ない面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板形成された前記基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザと、前記基板を設置するための凹部が設けられているパッケージと、前記凹部とともに前記基板を囲むように、前記面発光レーザの光の出射側において、前記パッケージと接続される透明基板と、を有する面発光レーザモジュールにおいて、前記面発光レーザのメサ上部に形成された電極に囲まれた領域内に、前記光における反射率の高い領域と反射率の低い領域とが形成されており、前記反射率の高い領域と前記反射率の低い領域により定まる前記光の偏光方向において、前記透明基板が、前記基板面に対し傾斜していることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】単一横モードで、偏光方向が安定している、高出力面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板１１１上に下部ＤＢＲ層１１２と活性層１１４と上部ＤＢＲ層１１５を形成し、前記活性層及び前記上部ＤＢＲ層に形成したメサ１３０と、中央部分に開口部を有する上部電極１１８と、前記基板の裏面に形成された下部電極１１９とを有する面発光レーザにおいて、前記開口部内における光強度プロファイルのうち、基本横モード光のプロファイルの高い強度を示す領域である光出力中心部を含む第１の領域１５１と、前記開口部内における前記第１の領域以外の領域となる第２の領域１５２と、を有し、前記第１の領域は、前記光出力中心部と、前記光出力中心部から外側に突出する３つ以上の凸部１５１ｂを有し、前記第１の領域の反射率よりも前記第２の領域の反射率が高くなるように、前記第１の領域または前記第２の領域の少なくともいずれか一方に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 素子の信頼性を確保した複数の電流狭窄構造を有する面発光レーザ、該面発光レーザの製造方法、画像形成装置を提供する。
【解決手段】 基板の上に下部多層膜反射鏡と活性層と上部多層膜反射鏡とを備えた積層体を有する面発光レーザの製造方法である。第１の被酸化層の一部を酸化し、第１の導電性領域と第１の絶縁性領域とを有する第１の電流狭窄層を形成する。第２の被酸化層の一部を酸化し、基板の面内方向において第１の導電性領域と第１の絶縁性領域の境界を内側に含む第２の導電性領域と、第２の絶縁性領域とを有する第２の電流狭窄層を形成する。同一の条件で酸化した場合に、第１の被酸化層の酸化速度は第２の被酸化層の酸化速度よりも遅くなるように、第１の被酸化層および前記第２の被酸化層、または、第１の被酸化層に隣接する隣接層および第２の被酸化層に隣接する隣接層を調整する。 （もっと読む）

【課題】光吸収が少なく、高効率な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】２つの反射鏡１１６、１２２間に設けられ、活性層１０５と，電流経路制限層１０７と有する共振器１１０と、電流経路制限層に対して活性層とは反対側に位置するｐ型の第１の半導体層１２０と、第１の半導体層に隣接し、電流経路制限層と第１の半導体層との間に位置するｐ型の第２の半導体層１０９とを備え、第１の半導体層には、１×１０^１９ｃｍ^−３以上の炭素原子がドーピングされ、第２の半導体層のドーピング濃度は、５×１０^１８ｃｍ^−３以下であり、第１の半導体層の、電流経路制限層の電流が流れる領域１０７ｂに対向する領域の少なくとも一部１２１が、第１の半導体層の当該一部の領域以外の領域および第２の半導体層よりも高い水素原子濃度の領域である。 （もっと読む）

【課題】量子ドット中の荷電励起子分子状態を始状態として発生する、荷電励起子分子光子と荷電励起子光子を利用することで、量子もつれの忠実度の低下を防ぐことを可能とする量子もつれ光子対発生装置と方法を提供する。
【解決手段】電子と正孔を微小領域に閉じ込める量子ドットと、前記量子ドットに２個の電子と３以上の奇数個の正孔、または２個の正孔と３以上の奇数個の電子から構成される荷電励起子分子状態を生成する手段と、前記荷電励起子分子を始状態とし、複数ある荷電励起子の励起状態のうちの特定の２重縮退した状態を経て連続して発生する、荷電励起子分子光子と荷電励起子光子を取り出す手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】結露することがなく、信頼性の高い面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザ素子と、前記面発光レーザの光をモニタするための受光素子と、前記面発光レーザ素子及び前記受光素子を設置するための領域が設けられているパッケージと、透明な材料により形成された窓部を有し、前記面発光レーザ及び受光素子を覆うため、前記パッケージと接続するためのリッド接続部を有するリッドと、を有し、前記パッケージには、前記リッド接続部と接続されるパッケージ接続部が設けられており、前記面発光レーザから出射された光が前記窓部において反射し、前記面発光レーザに入射することなく前記受光素子に入射するように、前記リッドは前記パッケージに接続されており、前記リッドまたは、前記パッケージと前記リッドとの間には水分を透過する水分透過領域が設けられていることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】小型化、低コスト化を図ることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、基板１００と、第１の下部ＤＢＲ１０２と光路変換層１０４と、第２の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、上部ＤＢＲ１１０と、ｐ側電極１１２と、ｎ側電極１１４とを有する。光路変換層１０４は、側面Ｓから選択的に酸化された酸化領域１０４Ａと非酸化領域１０４Ｂとを有し、非酸化領域１０４Ｂは、第１および第２の下部ＤＢＲ１０２、１０６と電気的に接続される。活性領域１０８で発生された光は、酸化領域１０４Ａと非酸化領域１０４Ｂの境界１０４Ｃにおいて水平方向に反射され、側面Ｓから外部に放出される。 （もっと読む）