【課題】表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】電流狭窄構造の形成後に、第二のエッチングストップ層及び第三のエッチングストップ層を用いて、半導体層上における誘電体膜の除去と、第一のエッチングストップ層を第２のパターンに沿って除去することを同一工程で実施する。
また、表面レリーフ構造が下層、中間層、上層の三層から構成され、該下層、中間層、上層の合計層厚が１／４波長の奇数倍の光学的厚さ（λ／４ｎの奇数倍、λ：発振波長、ｎ：半導体層の屈折率）とし、
下層の直下が、第二のエッチングストップ層とし、また二のエッチングストップ層の直上に、第一のエッチングストップ層が積層されている構造とする。 （もっと読む）

【課題】
非侵襲計測に分類される従来のＭＥＧにない空間分解能と時間分解能を極限まで追求できるようにすること。
【解決手段】
本発明の脳神経細胞の神経活動に伴う一次的変化の磁界分布を計測する外部環境磁場を除去する磁気シールド容器に負帰還半導体レーザからなる光ポンピングＣｓ磁力計を内蔵した非接触型の生体機能診断装置を構成してなる。
【効果】
以上のとおり、本発明の生体機能診断装置は、脳神経細胞の神経活動に伴う一次的変化の磁界分布を１０^−１３Ｔ〜１０^−１４Ｔ以下の誘発脳磁界の検出ができることから、ブレインコンピュータへの転用も可能となり、その工業的価値は極めて高い （もっと読む）

【課題】 本願発明は、十分な光出力を確保しつつ、電子写真装置の光源として好適な面発光レーザおよび該面発光レーザを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】 上部ミラーの上部に第１の表面段差構造を有し、第１の領域における光路長と、第２の領域における光路長との差Ｌが、（１／４＋Ｎ）λ＜｜Ｌ｜＜（３／４＋Ｎ）λ（Ｎは整数）を満たす。 （もっと読む）

【課題】面内やウエハ毎における特性のばらつきを抑制し、単一基本横モードで発振することが可能となる面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】面発光レーザの製造方法であって、選択酸化工程の後に、
表面レリーフ構造のパターンが形成された第１の半導体層をエッチングマスクとし第３の半導体層をエッチングストップとして、第２の半導体層をエッチングし、表面レリーフ構造の底面を露出させる工程と、
第２の半導体層と第３の半導体層をエッチングストップとして表面レリーフ構造のパターンが形成された第１の半導体層をエッチングし表面レリーフ構造の上面を露出させる工程と、
表面レリーフ構造の上面側と反対側である該表面レリーフ構造の底面の外周側に位置する、コンタクト部として機能する第１の半導体層領域を保護するコンタクト部保護工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高出力による単一横モード発振のため長共振器化することで縦モード間隔が狭くなり、縦多モード発振等が生じる際でも、単一縦モード発振が可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層を含む複数の半導体層が積層され、波長λ１で発振する垂直共振器型面発光レーザであって、上部と下部多層膜反射鏡とによる共振器が、共振波長がλ１、利得スペクトルにおける共振波長λ１での利得がｇ１である第１の縦モード１１０と、共振波長がλ２、利得がｇ２である第２の縦モード１２０と、共振波長がλ３、利得がｇ３（ｇ２＞ｇ３）である第３の縦モード１３０と、による縦多モードを生じる構造を有し、第１の活性層１４０が、第１の縦モードの定在波の腹１５０からずらした位置に配置され、利得が大きい第２の縦モードの発振を抑制し、第１の縦モードによる単一縦モード発振が可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】放熱特性の低下を抑えつつ、内部応力に起因する信頼性の低下を抑えることができる面発光型半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、活性層１８と、アルミニウムを含み活性層１８上に設けられた半導体層３０と、アルミニウムを含み半導体層３０上に設けられたＤＢＲ部２４とを含む半導体積層構造３２のＤＢＲ部２４及び半導体層３０に対してエッチングを行うことによりメサ部３４を形成する工程と、電流狭窄のための環状の酸化領域２２ｂを半導体層３０の内部に形成するために、メサ部３４の側面から内部に向けてアルミニウムを酸化させる工程と、この工程によりＤＢＲ部２４に形成された酸化領域２４ｃに対して選択的なウェットエッチングを行う第１のエッチング工程と、ＤＢＲ部２４の周縁部をエッチングにより除去する第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
種々のビームプロファイルをもつ光を安定にかつ低いしきい値で発振させ、または１本の高出力ビームを発振させることでき、さらに、このビームを空間的に振らせることが空間モード同期レーザを提供する。
【解決手段】
周期的に一次元配置された複数のレーザ光源１１１からなり、各レーザ光源はほぼ同一の発振波長のレーザ光を自由空間１３１に向けて出射するレーザアレイ１１と、自由空間１３１のレーザ光源１１から出射方向に向けて所定距離だけ離れ、レーザアレイ１１に対向するように周期的に一次元配置された複数の反射鏡からなる反射鏡アレイ１２とを備え、各反射鏡１２１からレーザ光が出射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速変調可能でありレーザ光の偏光方向の制御が安定した面発光型半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体基板と、この半導体基板の上方に形成された下部ミラー層と、この下部ミラー層の上方に形成された活性層と、この活性層の上方に形成された酸化層を含む上部ミラー層と、が積層され、高さ方向における所定の位置から上面にかけて一部がメサ型に形成された共振器と、上記共振器のメサ型箇所の側面と、当該共振器の非メサ型箇所の上面と、を覆う絶縁層と、上記上部ミラー層の上面と、上記半導体基板の下面と、にそれぞれ配線された各電極と、を備える。そして、上記共振器の上記メサ型箇所の側面に形成された上記絶縁層の一部の厚みが、当該メサ型箇所の高さ方向に沿って一様に、他の箇所よりも厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】電流経路の電気抵抗の低減を図りつつ横モード制御が可能なＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする半導体被酸化層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。下部ＤＢＲ１４には、ポストＰの外側において、その表面から半導体被酸化層３２に到達する複数の孔３０が形成されている。半導体被酸化層３２には、孔３０の側面から選択的に酸化された酸化領域３４が形成されている。下部ＤＢＲ１４には、酸化領域３４によって囲まれた非酸化領域（導電領域）による電流経路Ｋ１に加えて、酸化領域３４を回り込むような電流経路Ｋ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高速変調可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００上に形成され、基板と垂直方向にレーザ光を発する発光部１３０と、基板上に形成され、発光部で発せられた光の一部を基板と水平方向に伝播させる光伝播部１４０と、光伝播部で伝播された光を発光部に向けて反射させる反射部１５０とを備える。光伝播部は、発光部の屈折率よりも屈折率が小さいトレンチ１２０と、トレンチと反射部との間に配されたトレンチよりも屈折率が高いスローライト部１２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの低消費電力化が可能な面発光レーザ、光源、及び光モジュールを提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を挟むように形成され、第２導電型コンタクト層側に配置された第１組成傾斜層および活性層側に配置された第２組成傾斜層を備え、第１組成傾斜層および第２組成傾斜層は、積層方向において電流狭窄層からそれぞれ反対側の隣接する層に近づくにつれてそのバンドギャップエネルギーが単調減少し、隣接する層のバンドギャップエネルギーに近づくように構成され、第２導電型クラッド層はキャリアの移動度を低下させる材料を含み、第２組成傾斜層のキャリア濃度が、電流狭窄層の電流注入部のキャリア濃度以上である。 （もっと読む）

【課題】複数の活性領域へのキャリヤ注入の均一性とキャリヤの閉じ込めを向上させ、レーザ特性の改善を図ることが可能となる周期利得構造を備えた面発光レーザを提供する。
【解決手段】第１ＤＢＲ層、第１クラッド層、活性領域、第２クラッド層、電流狭窄構造、第２ＤＢＲ層を含み構成された面発光レーザであって、
前記活性領域は多重量子井戸構造を有し、該活性領域を利得領域の光強度が極大となる複数の位置に配置して構成された周期利得構造を備えると共に、インターバリヤ層が前記複数の活性領域の間に配置された構造を備え、
前記インターバリヤ層の伝導帯エネルギー下端のエネルギー準位が、前記複数の位置の前記活性領域の前記多重量子井戸構造における障壁層の伝導帯エネルギー下端のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位とされている構成とする。 （もっと読む）

【課題】断線等の発生が少ない信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に順次積層形成された下部半導体ＤＢＲ、活性層及び上部半導体ＤＢＲと、前記活性層及び前記上部半導体ＤＢＲに形成されたメサと、前記メサの上面から側面に形成される電極と、を有し、前記メサの上面は多角形状に形成されており、前記電極は前記メサの側面のうち２面以上に各々形成されており、前記メサ側面に形成された２以上の前記電極同士は接続されており、前記電極の形成される前記側面においては、前記電極の形成されない領域を有していることを特徴とする面発光レーザを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】接着剤等の這い上がりのない信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体層と、前記基板をチップごとに分離するため、前記半導体層に形成された素子分離溝と、前記上部半導体ＤＢＲ上に形成された電極と、を有し、前記素子分離溝の底面または側面には、撥液性膜が形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層されている。そして、下部半導体ＤＢＲが含まれるベース部の外形は、基板の表面に直交する方向からみたとき、角部が無くマクロ的に滑らかな形状であり、下部半導体ＤＢＲのエッチング面は、不動態化膜１１５と保護層１１１とによって被覆されている。この場合は、不動態化膜１１５にクラックが入るのを抑制でき、従来よりも信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基本横モード発振の位相差を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６上に形成された光出射口１１０Ａを含むｐ側電極１１０と、光出射口１１０Ａの周辺領域に形成され発振波長の光を吸収する光吸収層１１２と、発振波長の光を透過可能な材料から構成され光出射口１１０Ａの中央領域に形成された位相調整層１１４とを有する。位相調整層の膜厚は、ｄ１＝（２ａ−１）λ／２ｎ１から決定され（ａは整数、λは発振波長、ｎ１は屈折率）、光吸収層１１２の膜厚ｄ２は、（ｎ２−１）×ｄ２＋（１−ｎ１）×ｄ１＝λ×ｂ（ｂは整数、ｎ２は屈折率）の条件を満足する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード発振の位相差を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６上に形成されたｐ側電極１１０と、発振波長を透過可能な材料から構成されｐ側電極１１０の光出射口１１０Ａ内に形成された第１の絶縁膜１１２と、発振波長を透過可能な誘電体から構成され、第１の絶縁膜１１２の一部を被覆する第２の絶縁膜１１８とを有する。第２の絶縁膜１１８の膜厚は、第２の絶縁膜１１８からの光と第１の絶縁膜１１２からの光の位相差が抑制されるように調整され、かつ第２の絶縁膜１１８が被覆されている部分の反射率が第２の絶縁膜１１８が被覆されていない部分の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】基本横モードの光出力を低下させることなく、高次横モードの発振を抑制することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 出射領域内に設けられ、該出射領域内における周辺部の反射率と中心部の反射率を異ならせる透明な誘電体層を有し、コンタクト層１０９の厚さは、出射領域内における相対的に反射率の高い領域と相対的に反射率が低い領域とで互いに異なり、コンタクト層は、上部半導体ＤＢＲの最表面高屈折率層上に設けられ、相対的に反射率が低い領域では、最表面高屈折率層とコンタクト層１０９とを合わせた光学的厚さが、「発振波長／４」の奇数倍からずれている。 （もっと読む）

【課題】 広帯域にわたる波長掃引を安定して行ない得る小型の光源装置を提供する。
【解決手段】 活性層と、該活性層に隣接して配された該活性層よりも屈折率が低い層と、前記活性層に電流を注入するための一対の電極と、を備えた光源装置であって、前記活性層または前記活性層よりも屈折率が低い層に振動を印加して、前記活性層または前記屈折率が低い層に粗密波を定在波として発生させる加振部材を有する光源装置。 （もっと読む）