本発明は第１の共振器ミラー（２）と第２の共振器ミラー（４）と放射を発生させる活性領域（３）とを有する半導体ボディを含む垂直放射（７）形の表面放射半導体レーザ素子に関する。第１の共振器ミラー（２）は、交互に積層された第１の組成の第１の層（２ａ）と第２の組成の第２の層（２ｂ）とを有しており、記第１の層（２ａ）は酸化領域（８ａ）を有しており、少なくとも第１の層（２ａ）はそれぞれドーパントを含んでおり、
少なくとも第１の層（２ａ）の１つの層（２１ａ）のドーパント濃度は他の第１の層（２ａ）のドーパント濃度とは異なる。
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【課題】表面レリーフ構造と電流狭窄構造との水平方向における相対位置のずれを抑制して位置合わせ精度を高くすることができ、単一横モード特性を安定して得ることが可能となる面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】半導体層が積層された面発光レーザであって、
上部ミラーの一部をエッチングすることによって形成された第１のエッチング領域を有する。
また、第１のエッチング領域の底部から、電流狭窄構造を形成するための半導体層までをエッチングすることによって形成された第２のエッチング領域を有する。この第２のエッチング領域の深さは、第１のエッチング領域の深さよりも浅い。 （もっと読む）

【課題】閾値電流と発光効率の双方の特性に優れた半導体発光素子および端面出射型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、ｐ型半導体層、活性層、電流導入層および誘電体膜クラッド層がこの順に積層されている半導体発光素子である。ここで、基板とｐ型半導体層との間に設置されたｎ型半導体層を含むことが好ましい。また、基板またはｎ型半導体層に電気的に接続する第１の電極と、電流導入層に電気的に接続する第２の電極とを含み、第１の電極がアノード電極であり、第２の電極がカソード電極であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄領域内に実質的に均一に電流を注入することを可能にする。
【解決手段】基板１と、半導体活性層４と、半導体活性層４に対して基板と反対側に設けられた第１半導体多層膜反射鏡層６および半導体活性層４に対して基板側に設けられた第２半導体多層膜反射鏡層２と、電流狭窄領域９と、半導体活性層は反対側の第１半導体多層膜反射鏡層上に、電流狭窄領域を覆うように設けられた半導体電流拡散層７と、反対側の半導体電流拡散層上に電流狭窄領域を取り囲むように設けられた第１電極１１および基板の半導体活性層と反対側に設けられた第２電極１３を有し、半導体電流拡散層は、第１および第２半導体電流拡散膜が積層された構造を有し、半導体活性層により近い半導体電流拡散膜７１は、電流狭窄領域の中心から遠い周辺部分が電流狭窄領域の中心に近い中央部分に比べて抵抗が高く、かつ活性層から遠い半導体電流拡散膜７２と比べて抵抗を高くする。 （もっと読む）

【課題】高歩留まり性及び高信頼性を有し、高速変調動作が可能な面発光レーザを提供すること。
【解決手段】本発明に係る面発光レーザは、基板と、前記基板上に形成された第１の多層膜ブラッグ反射鏡と、前記第１の多層膜ブラッグ反射鏡上に形成され、ｐ型の導電性を有する酸化電流狭窄層と、前記酸化電流狭窄部上に形成され、少なくとも一部にｐ型の導電性を有する第１の半導体スペーサ層と、前記第１の半導体スペーサ層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成され、少なくとも一部にｎ型の導電型を有する第２の半導体スペーサ層と、前記第２の半導体スペーサ表面に形成された段差構造と、前記第２の半導体スペーサ上に形成され、屈折率差が１以上の低屈折率層と高屈折率層とから構成される第２の多層膜ブラッグ反射鏡と、を備えたものである。 （もっと読む）

半導体レーザデバイスであって、集積フォトダイオードを有するレーザダイオードを有し、前記集積フォトダイオードを有するレーザダイオードのコンポーネントの１つを前記レーザダイオードの加熱にも用いる。設計が単純な波長制御された半導体レーザが得られる。
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【課題】波長走査型レーザ光源において波長走査範囲を拡大すること。
【解決手段】ゲイン媒体１２を含む光ファイバループ１１、光サーキュレータ１３、光ビーム偏向部及び回折格子２７によって波長走査型レーザ光源を構成する。レーザを発振させ、１走査周期毎にトリガ信号を検出する。トリガ信号を電流コントローラ３４に入力し、電流コントローラ３４よりゲイン媒体１２への注入電流を制御する。このとき波長走査毎に発振レベルに応じて注入電流のレベルを低下させるように制御すれば、ゲイン媒体１２がＣＯＤによって破壊することなく、波長を広い範囲にわたって走査することができる。 （もっと読む）

【課題】モード分散による波形劣化が抑制可能な面発光装置及びその製造方法、並びに光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられ、発光層を有する積層体と、前記積層体の主面の外周部と前記発光層の側面とを少なくとも覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に隣接する前記積層体の主面の一部と前記絶縁膜の表面の一部とを覆うように設けられ、発光窓部となる開口部を有する電極と、前記開口部に設けられ、大きさが前記発光窓部の大きさよりも小さく且つ前記発光層からの放出光を集光可能なレンズ部を有する光学部材と、を備えたことを特徴とする面発光装置及びその製造方法、並びに光伝送モジュールが提供される。 （もっと読む）

光源が開示される。開示される光源は、窒素を含み、かつ第１波長の光を放射するＩＩＩ−Ｖ系ポンプ光源（１７０）を含む。光源は、ポンプ光源（１７０）によって放射された第１波長の光（１７４）の少なくとも一部分を、第２波長（１７６）の少なくとも部分コヒーレント光に変換する、垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）更に含む。ＶＣＳＥＬは、第２波長の光のための光学キャビティを形成する第１ミラー（１２０）及び第２ミラー（１６０）を含む。第１ミラー（１２０）は第２波長において実質的に反射性であり、第１多層スタックを含む。第２ミラー（１６０）は、第１波長において実質的に透過性であり、第２波長において部分的に反射性かつ部分的に透過性である。第２ミラーは、第２多層スタックを含む。ＶＣＳＥＬは、第１ミラーと第２ミラーとの間に配置され、かつ第１波長の少なくとも一部分を第２波長の光に変換する半導体多層スタック（１３０）を更に含む。半導体多層スタック（１３０）は、Ｃｄ（Ｍｇ）ＺｎＳｅ合金を含む量子井戸を含む。
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【課題】 表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とを高精度で位置合わせできる面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】 積層された半導体層の上に表面レリーフ構造を備えた面発光レーザであって、第一の誘電体膜に、メサ構造を画定するための第１のパターンと前記表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンを同一工程により転写する工程を有する。また、前記第１および第２のパターンが転写された前記第一の誘電体膜と前記半導体層の上に、第二の誘電体膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑えつつ、基本横モードを高出力で射出することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０側、すなわち光射出側とは反対側に横モード調整層２０が設けられている。この横モード調整層２０では、発光領域１３Ａの中央領域との対向領域の、発振波長λにおける反射率が、発光領域１３Ａの外縁領域との対向領域の、発振波長λにおける反射率よりも高くなっている。これにより、基本横モードの光出力が横モード調整層２０によって妨げられる虞がなく、基本横モードのスロープ効率を高く維持することができる。 （もっと読む）

【課題】高次横モード発振の抑制と高出力化とを両立させることの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層１６上に温度補償ＤＢＲ層１７および横モード調整層２２を備えている。温度補償ＤＢＲ層１７は、発振波長λｘと、活性層１３のバンドギャップに相当する発光波長λｙ（＜λｘ）とを含む所定の波長帯の反射率が長波長側に向かうにつれて小さくなるように構成されている。横モード調整層２２は、発光領域１３Ａの外縁領域との対向領域（低反射エリアα）における波長λ_１（＞λｙ）の反射率が発光領域１３Ａの中央領域との対向領域（高反射エリアβ）における波長λ_１の反射率よりも低くなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】高精度な層厚制御を行うことができ、再現性かつ均一性良くシングルモード動作することが可能となる凸型の表面レリーフ構造を備えた面発光レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが積層されており、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に形成された凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を備え、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記上部反射ミラーが複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡で構成され、
前記積層構造体中に、前記波長λに対して吸収係数が５０００ｃｍ^−１以上の吸収層が設けられている構成とする。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造の受けるプロセスダメージを軽減し、単一横モード特性を安定して得ることが可能となる面発光レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】上部ミラーの光出射部に反射率を制御するための段差構造による表面レリーフ構造を備えた面発光レーザの製造方法であって、
上部ミラーの上または上方に、メサ構造を形成するためのパターンと段差構造を形成するためのパターンを有するレジストパターンを形成し、上部ミラーの表面層をエッチングし、段差構造の水平位置を決める第一段目のエッチングを行う工程と、
第一段目のエッチングを行う工程の後に、電流狭窄構造を形成する工程と、
電流狭窄構造を形成する工程の後に、前記第一段目のエッチングが行われた箇所を更にエッチングし、段差構造の深さ位置を決める第二段目のエッチングを行う工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】「負のドループ特性」を抑制するとともに、単一基本横モード発振において高出力動作を可能とする。
【解決手段】 活性層１０５を含む共振器構造体、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３と上部半導体ＤＢＲ１０７を備えている。上部半導体ＤＢＲ１０７は、アルミニウムを含む厚さ３０ｎｍの被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲み、注入電流と発振光の横モードを同時に閉じこめることができる酸化狭窄構造体をその中に含んでいる。下部半導体ＤＢＲ１０３は、共振器構造体に対して基板１０１側に設けられ、横方向に関する光閉じ込めを低減させる光閉じ込め低減領域としての第２の下部半導体ＤＢＲを有している。これにより、「負のドループ特性」を抑制するとともに、単一基本横モード発振において高出力動作が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、酸化狭窄工程での酸化狭窄量のバラツキを抑える。
【解決手段】電流狭窄領域を形成する被選択酸化層を含むメサ構造体を基板上に設けた垂直共振器型の面発光レーザであって、メサ構造体の底部周囲に基板に対して凹みを設け、凹みから当該メサ構造体の底部の外径を計測し、計測した外径値（Ａ）と、メサ構造体に形成された上部半導体ＤＢＲ層２ペア分の膜厚（Ｂ）およびメサ構造体のテーパ角度（Ｃ）を用いて、式「Ｔａｎ（Ｃ）＝Ｂ÷｛（Ａ−Ｍ）÷２｝」により、被選択酸化層の外径（Ｍ）を算出し、算出した被選択酸化層の外径（Ｍ）と、所望の電流狭窄領域の半径（ＯＡ）および酸化速度（Ｖ）を用いて、式「Ｔ＝（Ｍ−ＯＡ）÷Ｖ」により、電流狭窄領域を形成する工程の処理時間（Ｔ）を算出し、算出した時間（Ｔ）で、被選択酸化層に対する酸化処理を行い電流狭窄領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で歩留まりが大きく、長寿命の面発光レーザを提供する。
【解決手段】被選択酸化層１０８は、上部半導体ＤＢＲの低屈折率層の一部をなし、被選択酸化層１０８が含まれる低屈折率層は、被選択酸化層１０８に隣接する２つの中間層１０７ｍと、各中間層１０７ｍに隣接する２つの低屈折率層１０７ｃとを有している。そして、各中間層１０７ｍにおけるＡｌの含有率は、被選択酸化層１０８におけるＡｌの含有率よりも１７％小さい。また、各低屈折率層１０７ｃにおけるＡｌの含有率は、被選択酸化層１０８におけるＡｌの含有率よりも２５％小さい。これにより、被選択酸化層１０８が選択酸化される際に、被選択酸化層１０８のＸＹ面内の酸化速度、及び酸化層の厚さの制御性を向上させることができる。従って、容易に酸化層の厚さのばらつきを小さくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】温度特性が良好で高出力動作が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０１と下部ＤＢＲ１０５との間に新たに放熱のよい反射鏡（第１下部ＤＢＲ１０３）を設け、また、その反射鏡の膜厚の分だけＧａＡｓ基板１０１を除去等する構成とすることで、面発光レーザ素子の光出力の熱飽和特性を改善し、活性層部分の温度上昇を抑制する。 （もっと読む）

【課題】静電容量や製造プロセス上の問題を解決し、ワイヤーボンディング側の電極を剥がれにくくした面発光レーザを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板２の上に、ｎ側多層反射膜３、活性層４が形成されており、活性層４の上には、Ａｌ_Ｘ３ＧａＡｓ電流ブロック層５、ｐ側多層反射膜６、ｐ型ＧａＡｓ層７等が順に積層されており、一部がメサエッチングされて略円柱状のメサ領域２０と外部領域２１を形成している。メサ領域２０上にはｐ電極１９が設けられる。このｐ電極１０は、コンタクト電極部１０ａ、引き出し配線部１０ｂ、ボンディング用電極部１０ｃの各部から構成されており、ボンディング用電極部１０ｃは、外部領域２１上に形成される。また、ｐ電極１０は、一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高コスト化及びビーム形状の劣化を招くことなく、安定した偏光状態を得る。
【解決手段】 主面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］方向に向かって１５度傾斜している基板上に積層体が積層され、該積層体に含まれる酸化狭窄構造体の酸化層１０８ａ近傍の少なくとも一部に、酸化による歪み場を有し、該歪み場は、Ｘ軸方向とＹ軸方向とで歪みの大きさが互いに異なっている。この場合に、活性層における量子井戸の光学特性は、基板による光学異方性と、酸化層１０８ａ近傍の歪み場による光学異方性とを加算して有することができる。従って、高コスト化及びビーム形状の劣化を招くことなく、安定した偏光状態を得ることが可能となる。 （もっと読む）