【課題】発光素子からの一次発光によって励起される二次発光の強度を任意に制御できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、基板２と、基板２上に配設して一次発光を発光する発光層３と、基板２と発光層３との間に配設した二次発光制御層４と、二次発光制御層４上に配設する反射層５と、を含み、基板２は発光層３よりも禁制帯幅の狭い半導体でなり、発光層３からの一次発光で励起する二次発光の強度を二次発光制御層４によって制御する。二次発光制御層４をブラック反射層で形成した場合、ブラック反射層の少なくとも一つの反射膜の混晶比が間接遷移となる組成を有している。二次発光制御層４の反射ピークを基板２の発光波長に合致させた構造等に適宜調整することによって発光層３からの一次発光に対する二次発光強度比を任意に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】単一横モード発振が実現できる面発光レーザを提供する。
【解決手段】面発光レーザは、レーザ共振部を構成する下部クラッド１０３、活性層１０４、上部クラッド層１０５を挟む一対のＤＢＲミラー１０２、１０９を有する。上部ＤＢＲミラー１０６内には、中央部に点欠陥を有する二次元空孔配列１１０が形成される。上部クラッド層１０５には、層内にメサ部１０６が形成され、メサ部１０６の側面は、上部クラッド層１０５の層内に形成される一対の電流ブロック層１０７、１０８によって埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】接続部の位置ずれに起因する導通不良を防ぐことが可能な光電気変換装置を提供する。
【解決手段】この光電気変換装置１は、電気信号を光信号に変換する発光素子４Ａと、この発光素子４Ａに電気信号を送信するためのＩＣ基板５Ａと、発光素子４ＡおよびＩＣ基板５Ａが実装されるマウント基板３と、発光素子４Ａと光学的に結合する導波路３１と、マウント基板３上に形成され、ＩＣ基板５Ａに電気的に接続される電気回路１２と、この電気回路１２上に配設され、当該電気回路１２を配線基板２に電気的に接続する半田ボール１０とを備えている。そして、半田ボール１０を電気回路１２の接続用電極１２ａ上に位置決めするための位置決め部１３が、マウント基板３に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光増幅器を有するリング型レーザ装置の高効率化、低価格化、及び、小型化を図る。
【解決手段】リング型レーザ装置１０は、面発光型光増幅器（ＶＣＳＯＡ）１１を含む光利得媒体と、光ファイバ１４及びフィルタ格子１２を含み、ＶＣＳＯＡ１１の出力を入力にフィードバックするリング型の共振器構造を有し、単一縦モードで発振する。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶を用いた半導体レーザにおいて、単純で造りやすい構造によって、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。
【解決手段】二次元フォトニック結晶による半導体レーザにおいて、二次元フォトニック結晶を構成する格子を矩形領域に円孔を配列させて形成し、この格子形成において矩形領域の外周部分である端部の構成を異ならせることで、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。単に矩形領域の外周部分である端部にのみにおいて構成を異ならせることによって出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとすることができ、また、格子配列は容易な円孔によって形成することができ、従来の構成のように作製が困難である三角形状や微小孔等の高い精度を要する加工を不要とすることができる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性と高電流注入効率とを同時に実現する面発光レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、ｐ型半導体層領域とｎ型半導体層領域とに挟まれるとともに、上部ミラーと下部ミラーとの間に配置された活性層を有する面発光レーザ素子であって、前記ｐ型半導体層領域内に配置され、砒素およびリンの少なくとも一方と５％以下の組成比の窒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、ｐ型の電流注入部と、該電流注入部および前記ｐ型半導体層領域よりも高濃度の水素を含む電流狭窄部とを有する電流狭窄層を備える。 （もっと読む）

【課題】発振しきい値電流が小さい面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】垂直共振器型の面発光レーザ素子の製造方法であって、基板上に下部多層膜反射鏡を積層し、前記下部多層膜反射鏡上に、活性層を含むとともに最上層にコンタクト層を有する複数の半導体層を積層する積層工程と、前記コンタクト層上の一部領域に第一誘電体層を形成する第一誘電体層形成工程と、前記コンタクト層上に、中心に開口部を有する円環電極を、該開口部内に前記第一誘電体層が配置されるように形成する円環電極形成工程と、前記第一誘電体層と、該第一誘電体層と前記円環電極との間に形成された間隙とを覆うように第二誘電体層を形成する第二誘電体層形成工程と、前記円環電極をマスクとして前記積層した半導体層をメサポスト形状にエッチングするメサポスト形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】温度依存性の低い半導体素子、半導体レーザ及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、前記基板２上に形成したSb系半導体薄膜からなる活性層４とを備える半導体素子１において、前記活性層４は、結晶方位が(111)である前記基板２の表面上に形成した。前記活性層４が、GaSb，AlGaSb，AlSb，InGaSb，及びInSbのうちいずれか１種又は２種以上で形成されるSb系半導体薄膜であり、量子井戸構造を有する。 （もっと読む）

【課題】光源装置を含む光学系の小型化を可能とし、かつ高い効率で光を射出することが可能な光源装置、その光源装置を備える画像表示装置及びモニタ装置を提供すること。
【解決手段】発光素子である半導体素子１１と、共振器である外部共振器１４と、第１面及び第２面を備える透過反射部である透過反射ミラー１２と、光路変換部である反射ミラー１５と、を有し、第１主光線と、光路変換部から射出した光束の主光線である第２主光線との間隔をＤ、第２面の垂線と第１主光線とがなす角度をθ、第１面及び第２面の間隔をｄ、第１面及び第２面の間の部材の屈折率をｎとすると、透過反射部及び光路変換部は、以下の条件式を満足するように配置される。
【数１】
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【課題】高コスト化を招くことなく、高いシングルモード出力を得る。
【解決手段】活性層１０５を含む共振器構造体、及び低屈折率層と高屈折率層を組として複数の組からなり共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３及び上部半導体ＤＢＲ１０７を基板１０１上に有するとともに、上部半導体ＤＢＲ１０７の内部に、Ａｌを含む被選択酸化層の選択酸化によって形成され、電流通過領域が酸化層によって囲まれている電流狭窄構造体を有している。この酸化層は、その厚みが電流通過領域に向かって徐々に小さくなり、活性層１０５に近い一側に第１の界面を、他側に第２の界面を有し、第２の界面が、レーザ光の射出方向に垂直な仮想面に対して、第１の界面よりも大きく傾斜している。これにより、基本横モードのスロープ効率を劣化させることなく、高次横モードの閾電流値を上げることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層を設けた半導体発光素子において、発光特性を著しく改善することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌを構成元素として含む第１の半導体層５０１の成長後に、成長室内の窒素化合物原料または窒素化合物原料中に含まれる不純物が触れる場所に残留したＡｌ原料、またはＡｌ反応物、またはＡｌ化合物、またはＡｌを除去する工程を設けており、その後、層厚がＡｌを含む第１の半導体層５０１よりも薄いＡｌを含む第２の半導体層５０２を設けてから、窒素を含む活性層２０４を形成している。 （もっと読む）

【課題】基本モードで安定した単一横モード発振が容易な面発光レーザを提供する。
【解決手段】面発光半導体レーザ１００は、発振波長がλであり、活性層１３の近傍にイオン注入型の電流狭窄層１４を有する。上部ブラッグ反射鏡１５には、円孔（空孔）が存在しない点欠陥を中央部に有する２次元円孔配列２０が形成される。電流狭窄層１４の電流開口の幅が、点欠陥に最も近接する円孔中心を結ぶ円の直径（Ｄ）以下であり、円の直径Ｄが１０．６λ以下である。 （もっと読む）

【課題】 単一縦モードかつ単一横モードで発振させるために好適な面発光レーザを提供する。
【解決手段】 第１のミラー１１０と、第２のミラー１２０と、該第１のミラー１１０と該２のミラー１２０との間に形成されている活性層１６０とを有する。また、第１のミラー１１０と活性層１６０との間には第３のミラー１３０が設けられている。第１のミラー１１０と第２のミラー１２０とにより第１の共振器が構成され、かつ、第１のミラー１１０と第３のミラー１３０とにより第２の共振器が構成されている。 （もっと読む）

【課題】波長の異なる光を分離するためにフィルタを空間的に配置すると、物理的なスペースが多く必要になるという問題を解決する。
【解決手段】波長分離型フォトダイオード７１は、隣接して設けられた少なくとも２つの面受光型フォトダイオード７３の受光面に、それぞれ異なる波長の光を選択的に透過させる、薄膜よりなる波長選択フィルタ７４をそれぞれ直接設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電流狭窄層を有する垂直共振器型面発光レーザである半導体レーザ素子において、安定したレーザ発振が可能な半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】 半導体レーザ素子は、基板１００と、基板１００の一主面に形成された第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層Ａと、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層Ａ上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層１０４と、活性層１０４に隣接して形成された化学式Ａｌ_xaＧａ_1-xaＮ（ただし、０＜ｘa＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る電流狭窄層１０６と、活性層１０４及び電流狭窄層１０６の上に形成された第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層Ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】小型化された半導体発光素子の実装が可能であり、かつ高温高湿下で安定して動作することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１００は、レーザ光を出射するＶＣＳＥＬ１２０と、ＶＣＳＥＬ１２０を搭載するガラス基板１４０と、ガラス基板１４０上においてＶＣＳＥＬ１２０の周囲を封止する樹脂１５０とを含んでいる。ＶＣＳＥＬ１２０のｐ側電極１２２は、透明電極１４２に接続され、樹脂１５０によって露出されたｎ側電極１２４は、ボンディングワイヤ１６０によってガラス基板上の配線パターン１４４に接続される。ＶＣＳＥＬ１２０のレーザ光はガラス基板１４０を透過して外部へ出射される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成で出射パターンが中空のレーザ光を出射させることができる面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ装置１０は、金属製の円盤状のステム１２と、ステム１２の上面に搭載されたサブマウント１４と、サブマウント１４上に搭載されたＶＣＳＥＬアレイ１６と、ステム１２に取り付けられたキャップ１８と、ステム１２の底面から下方に延在する複数のリード端子２０、２２、２４、２６とを含んでいる。ＶＣＳＥＬアレイ１６の同心円状に配置されたＶＣＳＥＬを選択的に駆動することにより、環状パターンＳのレーザ光をキャップ１８の上面から出射する。 （もっと読む）

【課題】発光部５の昇温による発光性能の低下を従来よりも抑えることができるＶＣＳＥＬモジュールを提供する。
【解決手段】発光基板１０の表面上に形成された発光する発光部５と、発光部５に駆動電圧を供給するために発光部５の光出射箇所の周辺に設けられた導電性材料からなる駆動電極５ｇと、駆動電極５ｇに駆動電圧を導くための導電性材料からなる配線パターンと、発光部５の光出射箇所から出射された光を透過させるように発光基板１０に対して空間を介して対向配設されたガラス板２０とを有するＶＣＳＥＬモジュールにおいて、前記配線パターンを、ガラス板２０の両面のうち、発光部５と対向する側の面、における発光部５の光出射箇所との非対向領域に形成し、配線パターンのリング電極２６と駆動電極５ｇとを導電性材料からなる接合材２９で接合した。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗の低減を図りつつ横モード制御が可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする電流狭窄層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。下部ＤＢＲ１４には、ポストＰの外側において、活性領域１６から電流狭窄層３２に到達する複数の孔３０が形成されている。電流狭窄層３２には、ｙ方向に延在する導電領域３８が形成され、上部ＤＢＲ１８の電流狭窄層４０には、ｘ方向に延在する導電領域４４が形成されている。これらの導電領域３８、４４を組み合わせることで、光のｘｙ方向を制御し、横モード制御を可能にしている。また、各導電領域３８、４４は、従来の横モード制御層の導電領域に比べ、その面積を広くすることができ、電気抵抗の低減を図っている。 （もっと読む）

【課題】電極開口部の中心軸と電流狭窄構造の径の中心軸を一致させ、かつ均一な形状のメサ構造を構成することができ、高出力で、基本モードによる単一横モード発振が可能な垂直共振器型面発光レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】メサ構造の垂直共振器型面発光レーザを製造する方法であって、
基板上の半導体層上に誘電体膜を形成する工程と、
誘電体膜に、中心軸が同一である大小二つの環状の第１のレジストパターンを形成し、これにより前記大小二つの環状のパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された誘電体膜に、小さい環状の開口パターンのみが露出するように第２のレジストパターンを形成し、該開口パターンの開口部に環状の電極を形成する工程と、
環状の電極を覆うように第３のレジストパターンを形成し、誘電体膜に形成された大きい環状の開口パターンと第３のレジストパターンを用いてメサ構造を形成する工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）