【課題】放熱性が良好で、実装が容易な面発光レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板２上に、活性層３を有するメサ構造部４と、メサ構造部４を囲む態様の絶縁層５とを設ける。レーザ光は、メサ構造部４の形成領域の上部側から半導体基板２の基板面に垂直な方向に発する。メサ構造部４に対向する面発光レーザ１の下面側に、メサ構造部４の熱を放熱する放熱層１２を形成する。面発光レーザ１をその厚み方向に絶縁層５を通して貫通する孔部８を形成し、絶縁層５の上面に、メサ構造部４から孔部８まで、メサ構造部４のｐ型の層に導通するｐ型の電極１３を形し、電極１３を孔部８の内壁を通して面発光レーザ１の下面側まで延設する。半導体基板２の底面には面発光レーザ１の下面側に形成されたｐ型の電極１３に間隔を介してメサ構造部４のｎ型の層に導通するｎ型の電極１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】静電対策を施した光送信装置を提供する。
【解決手段】光送信装置１００は、光を発光するＶＣＳＥＬ１２０と、ＶＣＳＥＬを搭載する基板１１０と、ＶＣＳＥＬ１２０と対向するように配置され、ＶＣＳＥＬから発せられた光を反射面１４６Ａから入射し、入射した光を伝送する光導波路１４０とを有する。光導波路１４０のＶＣＳＥＬ１２０と向かい合う主面には、導電膜１５０が形成され、導電膜１５０は、導電性接着剤１３２およびマウンタ１３０を介して基準電位に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の偏光と広がり角の双方の特性を両立させながら、両者を個別に制御することができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ半導体基板と、ｎ型下部ＤＢＲと、活性領域と、ｐ型の電流狭窄層と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８と、ｐ側電極１１２と、基板裏面のｎ側電極とを備えている。電流狭窄層の酸化アパーチャ１０６ｂは、長軸と短軸とを有する楕円形状を有している。ｐ側電極に形成された開口部１１２は、酸化アパーチャの方位と同じ方向に長軸と短軸を有する楕円形状であり、開口部１１２の長軸方向の端面形状１１２ａはテーパ形状に加工されている。 （もっと読む）

本発明の目的は、レーザーダイオードのパワー安定化を単純化することにある。この目的のために、ダイ及び前記ダイ上の第１のレーザーダイオード及び第２のレーザーダイオードを有する成るレーザー装置が、提供される。前記第２のレーザーダイオードは、この第１の半導体レーザーのキャビティがレーザー光を発するに十分な供給電圧が印加された場合のレージングを回避する構造又は要素を有している。
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【課題】消費電力を低く抑えつつ、寄生容量を小さくすることの可能な面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属層１１上に柱状のメサ部１７が設けられている。メサ部１７の上面には、環状の上部電極２１が設けられており、メサ部１７の側面（周囲）には、少なくとも下部ＤＢＲ層１２にまで達する複数の溝１９が設けられている。複数の溝１９は、メサ部１７を中心にして回転する方向に所定の間隙で形成されている。メサ部１７のうち活性層１４および電流狭窄層１８を含む柱状部分１７Ａは、下部ＤＢＲ層１２との対向領域内および上部ＤＢＲ層１６との対向領域内に形成されており、柱状部分１７Ａが、上部ＤＢＲ層１６の断面積よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】開口を有する電極が半導体層上に設けられ、その開口に誘電体層が設けられた構造の半導体発光素子において、半導体層と電極の開口側端部との界面近傍の半導体層に歪が生じるのを抑制する。
【解決手段】活性層１０６と、活性層に電流を注入する第１の電極１２１および第２の電極１３１と、活性層と第１の電極との間の半導体層１１５と、半導体層上に設けられ、活性層からの光が通る誘電体層１４１と、を備え、第１の電極は半導体層上に設けられ、共に活性層からの光が通る開口１２５を有し、半導体層と接触して設けられた第１の電極層１２２と、第１の電極層上に設けられた第２の電極層１２３とを備え、第１の電極層は第２の電極層よりも半導体層との反応性が小さく、誘電体層は開口内に設けられ、第１の電極層の開口側端部が、半導体層１１５上から誘電体層１４１上に延在している。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料と半導体材料との密着性を向上させることの可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、上部ＤＢＲ層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含む柱状のメサ部１７が設けられている。メサ部１７の上面には、環状の上部電極２１が設けられており、メサ部１７の周囲には、上部電極２１に電気的に接続された電極パッド２３が設けられている。電極パッド２３の直下に台座部２６が設けられている。台座部２６は、酸化半導体からなる凹凸部２６Ａと、低誘電率材料からなる埋め込み部２６Ｂとを有している。凹凸部２６Ａは凹凸構造を有しており、埋め込み部２６Ｂはその凹凸構造の凹凸を埋め込むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と半導体光検出素子との間で電気的なクロストークが生じるのを抑制することの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子４０と、半導体光検出素子１０との間に、絶縁層２０および金属層３０が挿入されている。絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザの活性層のＰＬピーク波長を精密に測定し制御することが可能な面発光レーザの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の面発光レーザの製造方法は以下の工程を有する。基板１上に、多層膜反射鏡１１と、当該多層膜反射鏡１１上に積層された、（２ｎ＋１）λ／４（ｎは自然数、λは波長）共振器長を有する共振器１２と、を有する第１のキャリブレーション構造を形成する第１の工程。第１のキャリブレーション構造における活性層５のフォトルミネッセンス測定から発光ピーク波長を求める第２の工程。活性層５の発光ピーク波長が所定の波長となるように、活性層５の形成条件を調整する第３の工程。第３の工程で得られた活性層５の形成条件に基づき、活性層を含む共振器と当該共振器の上下に設けられた多層膜反射鏡とを有する面発光レーザを形成する第４の工程。 （もっと読む）

【課題】偏波を制御可能な外部共振器型面発光レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】ミラー層が形成された第１半導体基板と、外部共振器として機能する光学薄膜が形成された第２半導体基板を備えた外部共振器型面発光レーザにおいて、前記光学薄膜又は前記ミラー層が形成された側のいずれか一方の面にレーザスポットに近接して、若しくはレーザスポットの一部を遮って金属膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】駆動系の複雑化やエネルギー効率の低下を招くことなく、スペックルノイズを低減することが可能なレーザー光源装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置１は、基本波長の光を発する活性層１４と、活性層１４から入射した基本波長の光を反射させて折り返す第１反射部１２と、第１反射部１２とともにレーザー発振を生じさせる共振器を構成し、活性層１４から入射した基本波長の光を反射させて折り返す第２反射部１７と、活性層１４の面方向において互いに独立した複数の発光領域に、活性層１４に入射する光を分割して集光する集光部１６と、を含んでいる。 （もっと読む）

半導体発光素子は、エミッタとコレクタ領域の間のベース領域を有するヘテロ結合バイポーラ発光トランジスタと、エミッタ、ベース、およびコレクタ領域それぞれで、結合電気信号ためのエミッタ、ベース、およびコレクタ電極と、前記ベース領域の中に量子サイズ領域とを備え、前記ベース領域は、前記量子サイズ領域のエミッタ側上に第１のベースサブ領域と、前記量子サイズ領域のコレクタ側上に第２のベースサブ領域を備え、前記第１と第２のベースサブ領域は非対称バンド構造を有する。２端子半導体構造から光放射を生み出すための方法は、第１の伝導型のエミッタ領域と、第１の伝導型の領域と反対に第２の伝導型のベース領域の間に第１の半導体接合、および前記ベース領域とドレイン領域との間に第２の半導体接合を含む半導体構造を提供するステップと、前記ベース領域の間に量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極を提供するステップと、前記ベース領域と前記ドレイン領域に結合されたベース／ドレイン電極を提供するステップとを含み、前記半導体構造から光放射を得るため、前記エミッタおよび前記ベース／ドレイン電極に信号を印加する。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ，偏光方向が安定している面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。そして、レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側の電極１１３と、基板１０１側に設けられたｎ側の電極１１４とを有している。また、射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた２つの小領域（第１の小領域、第２の小領域）には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜である透明層１１１Ａ及び透明層１１１Ｂが「発振波長／４」の光学的厚さで設けられている。 （もっと読む）

【課題】生産性、信頼性に優れる面発光レーザを提供すること。
【解決手段】本発明に係る面発光レーザは、第１のＤＢＲ層と、半導体層の酸化により形成された誘電体層を有する第２のＤＢＲ層と、前記第１のＤＢＲ層と前記第２のＤＢＲ層との間に形成された活性層と、前記活性層に流入する電流を狭窄するために、電流狭窄用半導体層の酸化により形成された酸化狭窄層と、を備え、前記第２のＤＢＲ層の前記半導体層の酸化速度が、前記電流狭窄用半導体層の酸化速度よりも小さいことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ビーム並行度が良好で集光性の高いレーザビームが一体化された発光素子を提供する。
【解決手段】凸面からレーザ光を出射させ、レーザ光の光軸が通過する第1レンズ１１４を備えた水平共振器面発光構造を備えたレーザ素子と、前記第1レンズ１１４を通過したレーザ光が通過する第２レンズ１１９とを備え、前記第２レンズ１１９を設けた面に対向する面と該第１のレンズ１１４を設けた面がレーザ光に対し透明な第１接着部材１２０により接着されていることを特徴とする光モジュール。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ可動ミラーの振動を抑圧することにより、波長可変レーザーチップから出射されるレーザー光のスペクトル線幅の広がりを狭くできる波長可変レーザー装置を提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳ可動ミラーを有する波長可変レーザーチップがガラス窓を有する気密パッケージ内に収納され、内部に液体が封入される波長可変レーザー装置において、前記気密パッケージの内部に、内圧の変動を軽減する安定化手段を有することを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制しつつ、基本横モードを高出力化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。メサ部１８上面に形成された横モード調整部２３において、２回回転対称または４回回転対称の４つのピークＰを含む１次モードが生じる領域との対向領域のうち、電流注入領域１５Ｂの中心点Ｃ１との対向領域を除く領域を間にして対向する２つのピークＰに対応する特定領域２３Ｄでの反射率Ｒ₂が、電流注入領域１５Ｂの中心点Ｃ１との対向領域を含む領域での反射率Ｒ₁よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザの信頼性及び電流注入効率を向上する。
【解決手段】面発光レーザは、半導体基板１０１上に順次に積層された、下部ＤＢＲミラー１０３、ｎ型の下部半導体層、活性層１０５、ｐ型の上部半導体積層、及び、上部ＤＢＲミラー１０９を含む積層構造を有する。上部半導体積層は、１×１０¹⁹cm^-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−Ｖ族半導体からなる炭素ドープ層１１５を活性層１０５の近傍に有する。炭素ドープ層１１５は、ドーパント濃度が隣接するｐ型スペーサ層１０６，１１６のドーパント濃度よりも大きく、水素を内部に含む電流狭窄部と、水素を内部に含まない電流注入部とを有する。積層方向において電流狭窄部に隣接する領域の水素濃度が、電流狭窄部の水素濃度よりも低い。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの光学モードを有する光キャビティ（１０）であって、少なくとも１つの透過性を有する反射器（１２）と、量子井戸（２１，２２）の第一の組（２０）と、上記第一の組（２０）の上記量子井戸（２１，２２）の電気的注入手段（３１，３２，３３）とを備えている光キャビティ（１０）を備えている光（２）放射システム（１）に関する。上記第一の組（２０）の上記量子井戸（２１，２２）は、それらの電子的共鳴の少なくとも１つが、上記光キャビティ（１０）の光学モードとの強結合系であるように配置されているとともに、励起子−ポラリトン混在モードに従って光（２）を放射するように配置されている。このシステム（１）において、上記光キャビティ（１０）は、上記電気的注入手段（３１，３２，３３）の直接的範囲の外側に配置されている量子井戸（４１，４２，４３，４４，４５）の第二の組（４０）を更に備え、上記第二の組（４０）は、それらの電子的共鳴の少なくとも１つが、上記光キャビティ（１０）の上記励起子−ポラリトン混在モードとの強結合系中にあるように、上記第一の組（２０）の上記量子井戸（２１，２２）に関連して配置されている。
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【課題】光出力、静電放電による耐性、生産性を改善し、単一横モードで動作する面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、下部ＤＢＲ２２には、ＡｌＡｓ等の第１の被酸化Ａｌ含有層４０が形成され、上部ＤＢＲ２６には、ＡｌＡｓ等の第２の被酸化Ａｌ含有層５０が形成され、第１の被酸化Ａｌ含有層４０は、第２の被酸化Ａｌ含有層５０よりも活性領域から離れた位置にある。第１の被酸化Ａｌ含有層４０第１の非酸化領域４４の大きさは、第２の被酸化Ａｌ含有層５０の第２の非酸化領域５４の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第１の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、第２の非酸化領域の大きさは、第２の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、第１の非酸化領域の大きさは、第２の非酸化領域の大きさと同等もしくはそれより大きい。 （もっと読む）