【課題】発振横モードを制御しつつ、電流通過領域の中心に対する光学フィルタの重心の位置ずれ量の大きさが０．１μｍ以下の面発光レーザ素子を安定的に量産する。
【解決手段】 積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。次に、出射領域の全体に対応する領域を保護する第２のレジストパターン１２３を形成し、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンをエッチングマスクとして積層体をエッチングし、メサ構造体を形成する。そして、被選択酸化層を選択的に酸化させ、酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を作成し、積層体の上面に、光学的厚さが２λ／４の誘電体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】プリンタヘッドに用いるガウス光分布を有し、高温に強い半導体レーザ・ダイオード、及びそれを採用したプリンタヘッド及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ・ダイオードであって、ｎ型分散ブラッグ反射器と、ｐ型分散ブラッグ反射器と、前記ｎ型分散ブラッグ反射器とｐ型分散ブラッグ反射器との間に配置される活性層とを含む共振器と、前記共振器の側面の外周囲に備わる凹凸パターンとを有する。 （もっと読む）

【課題】安定的にシングルモード発振を得ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１では、光が通過する光通過面に、光軸を囲むように光屈曲部１０と光強度低減部１１とが設けられている。これにより、光軸の周辺に発生する高次モード光Ｌ２を光屈曲部１０において外側に屈曲させることができるので、光軸に沿った高次モード光Ｌ２の出射を抑制することができる。また、光屈曲部１０の反射によって結晶内を外側に進む光は、光強度低減部１１において干渉されることで強度が低減される。そのため、高次モード光Ｌ２が戻り光となって活性層６へ再入射することを防止することができる。従って、高次モード光Ｌ２を抑制することができると共に、レーザ光のノイズ発生を低減することができるので、安定的にシングルモード発振を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりで、信頼性の高い面発光型半導体レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と、半導体材料により構成される活性層と、半導体材料の一部の領域を酸化することにより電流狭窄構造が形成される選択酸化層、上部反射鏡を有し、半導体基板には下部電極が、上部反射鏡には上部電極が接続され、上部電極と下部電極の間に電流を流すことにより、半導体基板面に対し垂直にレーザー光を発する面発光型半導体レーザーにおいて、上部反射鏡、選択酸化層、活性層をエッチングすることによりメサ構造領域と電極パッド領域を形成し、メサ構造領域及び電極パッド領域には、第１の誘電体層と、第２の誘電体層が形成されており、電極パッド領域に形成される第２の誘電体層は、第１の誘電体層よりも狭い領域に形成されていることを特徴とする面発光型半導体レーザーを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を特性を劣化させずに、良好な発光特性を提供できる、垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の主面１１ａ上に第１の分布ブラッグ反射器１３を作製する。分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３上に、第１のｎ型スペーサ半導体層１５、活性層１７、及びｐ型スペーサ層１９を成長する。次いで、原料ガス及び炭素ドーパントを成長炉１０に供給しトンネル接合のためのｐ型高濃度半導体層２１をｐ型スペーサ半導体層１９上に成長する。ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。熱処理２５を行った後に、原料ガス及びｎ型ドーパントを成長炉１０に供給して、トンネル接合のためのｎ型高濃度半導体層２７を成長する。熱処理温度Ｔ_ＴＨは摂氏５００度〜６００度の範囲である。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する面発光レーザ素子を製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７を積層する。そして、分離用の溝１５２を形成することによって露出した下部半導体ＤＢＲ１０３の最表面を不動態化する。そして、不動態化によって生成された酸化膜１５３を、誘電体であるＳｉＮ、ＳｉＯＮ及びＳｉＯ_２のいずれかからなるパッシベーション膜１１１で被覆する。この場合、信頼性を従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体層の製造方法、不純物の不活性化が抑制された半導体層、簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体レーザの製造方法、および不純物の不活性化が抑制された半導体層を備えた半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ₁）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。ＡｓＨ₃については、プロセス温度が５００℃以上となっている時に供給を停止する。このとき、ＡｓＨ₃に代わる新たなガス、例えば、有機Ａｓや窒素などを別途供給しない。 （もっと読む）

【課題】高出力のシングルモード発振を簡易な構成かつ低閾値電流で実現することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】メサ部１７内には、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＰ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ＜１）系の材料（赤色系の材料）からなる活性層１３と、面内の中央領域に未酸化領域１８Ｂを有すると共に、未酸化領域１８Ｂの周縁に環状の酸化領域１８Ａを有する電流狭窄層１８とが設けられている。メサ部１７の上面には、未酸化領域１８Ｂに対応して高反射領域２３Ａを有すると共に、高反射領域２３Ａの周縁に環状の低反射領域２３Ｂを有する横モード調整層３０が設けられている。酸化領域１８Ｂの直径Ｄ_oxおよび未酸化領域１８Ｂの直径Ｄ_hrは０．８＜Ｄ_hr／Ｄ_ox＜１．５を満たしている。 （もっと読む）

【課題】低コストで高い歩留まりの面発光半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体材料により構成される活性層を、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される２つの反射鏡によって上下から挟み込まれた積層体を半導体基板の表面上に形成してなり、該半導体基板の前記積層体を形成した面と反対側の面に下部電極が接続され、前記積層体の上部の反射鏡表面に上部電極が接続され、前記電極の間に電流を流すことにより、前記半導体基板面に対して垂直にレーザ光を発する面発光半導体レーザにおいて、該面発光半導体レーザは上側の反射鏡に形成された半導体膜の一部の領域を酸化することにより、電流狭窄構造が形成される選択酸化層を有するとともに、前記活性層と前記選択酸化層と前記上側の反射鏡領域においてメサ構造が形成されており、該メサ構造の側壁面に、前記選択酸化層の前記積層体の上部からの深さ方向位置を検出する検出部を設ける。 （もっと読む）

【課題】閾値電流が低く、スロープ効率の高い面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性層を挟んで配置された下部多層膜反射鏡と上部多層膜反射鏡とによって構成される光共振器構造を有する、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料からなる面発光レーザ素子であって、光が存在あるいは通過する領域に配置され、Ｃが添加されるとともに、前記Ｃの添加によって発生する前記基板に対する引っ張り歪を補償して該基板に対する圧縮歪を発生させる量の歪補償元素を結晶組成として含むｐ型半導体層を備える。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高めることができる半導体発光素子、光ピックアップ装置、光源装置および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、ウルツ鉱型結晶構造の無極性面と当該無極性面に沿った方向とは直交する有極性面とを有する下地層１と、下地層１の当該無極性面である成長面１Ａ上に形成されており、当該無極性面１Ａにおける下地層１の格子定数とは異なる格子定数を有するIII族窒化物半導体からなる複数の量子細線活性層２とを含み、量子細線活性層２は、前記有極性面の法線方向（ｃ軸方向）に伸長するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓを含む活性層を備える光半導体素子において、Ｇｅの拡散が少なく、良好なデバイス特性が得られるようにする。
【解決手段】光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】装置の高出力化と低コスト化とを両立することが可能な光源装置を提供する。
【解決手段】発光部１１と、発光部１１を駆動するための一対の電極１３、１５と、発光部１１の射出端面から射出された光の一部を反射させる外部共振器と、を備える。発光部は、光を発する活性層１４４と、内部共振器と、所定の波長の光を回折させる回折光学層１４５、１４６とを有する。外部共振器は、所定の波長の光を反射させる外部ミラーを有する。活性層１４４から発せられた光をレーザー発振させるレーザー共振器が、内部共振器、外部共振器及び回折光学層により構成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物系共振器半導体構造の両側に分布型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を設ける。
【解決手段】第１の分布型ブラッグ反射器１２２を有する窒化物系共振器半導体構造１４０がサファイア基板上に設けられ、第１の分布型ブラッグ反射器１２２に第２の基板１２８が結合され、レーザアシスト・エピタキシャル・リフトオフによってサファイア基板が除去され、ＶＣＳＥＬ構造の、第１の分布型ブラッグ反射器１２２とは反対側に、第２のブラッグ反射器１４２が設けられる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓコンタクト層の厚さが２０ｎｍ程度以下である７８０ｎｍ帯又は７８０ｎｍ帯以下に発光波長を有する面発光レーザにおいて、ＧａＡｓコンタクト層がダメージを受けることによるコンタクト抵抗の増大や黒色化現象を回避し、低抵抗で安定した特性が得られる面発光レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１上に、下部半導体多層膜反射鏡３、下部スペーサ層４、活性層５、上部スペーサ層６、上部半導体多層膜反射鏡８、コンタクト層９を順に積層した積層膜を形成する積層膜形成工程と、コンタクト層９上に化合物半導体を含む第１の保護膜１０を形成する第１の保護膜形成工程と、積層膜の形状を加工する形状加工工程と、形状加工工程の後、第１の保護膜１０をエッチングしてコンタクト層９を露出させる第１の保護膜エッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。積層構造２０は柱状のメサ部２１を有する。下部ＤＢＲミラー層１１内の下部第２ＤＢＲミラー層１３は、発光領域１６Ａと対応する領域の周辺に酸化部３０を有する。酸化部３０は、発光領域１６Ａを中心にして回転する方向に不均一に分布する一対の酸化部３１，３２からなる。酸化部３１，３２は、低屈折率層１３Ａの中の相対的に酸化されやすい複数の屈折率層を酸化することにより複数の酸化層３１Ａ，３２Ａとして形成されている。酸化層３１Ａ，３２Ａの不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１６に発生する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗動作で単峰の光プロファイルのレーザ発振が可能であり、低コストで製造可能な、面発光レーザを提供する。
【解決手段】低屈折領域と高屈折領域との複数のペアから構成される第１多層反射膜と、第１多層反射膜上の活性層と、この活性層上の電流狭窄構造と、この電流狭窄構造上のスペーサ層と、このスペーサ層上に設けられた、低屈折領域と高屈折領域との複数のペアから構成される第２多層反射膜とを有し、前記電流狭窄構造は、第１導電型半導体層と、この第１導電型半導体層上の第２導電型半導体層と、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とで形成されるトンネル接合領域と、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に設けられた電流ブロック層とを有する、面発光レーザ。 （もっと読む）

【課題】偏光の安定を図ることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の電流狭窄層１０６と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有している。基板上には、上部ＤＢＲ１０８から下部ＤＢＲ１０２に至るポストＰが形成され、ポストＰの頂部には、出射領域１１２を挟んで対向する位置に２つの凹部１１０Ａ、１１０Ｂが形成されている。２つの凹部１１０Ａ、１１０Ｂの出射領域１１２側の側壁には凹凸を含むフィン形状１３０がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】電流を供給する電極が固定の半導体発光素子と比べて、温度による発光効率の低下を防ぐことができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１の制御部１２０は、高温時と低温時でｐ側及びｎ側電極の組み合わせを変更し、例えば、低温時には、ｐ側電極１４ａとｎ側電極１６ａ、ｐ側電極１４ｂとｎ側電極１６ｂとを組み合わせて第１の電極対を構成する。半導体発光装置１は、電流経路が電流通過領域１０の中心部付近を経由するので、電流狭窄径（Ｏｘ）における電流密度が均一となり、低温時の発光効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は波長の異なる複数種のレーザ光を生成できる多波長レーザ素子及びその製造方法に関し、消費電力の低減を図ることを課題とする。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に下部ミラー層１８〜２１を積層してなる第１のミラー部１２と、活性層２２を有し第１のミラー部１２上に積層された活性層部１３と、この活性層部１３上に上部ミラー層２５〜２８を積層してなる第２のミラー部１４と、活性層部１３に給電を行うための一対の電極１５，１６とを有する。また、活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分に第１の電極１６を形成し、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分に第２の電極１５を形成する。 （もっと読む）