【課題】
非侵襲計測に分類される従来のＭＥＧにない空間分解能と時間分解能を極限まで追求できるようにすること。
【解決手段】
本発明の脳神経細胞の神経活動に伴う一次的変化の磁界分布を計測する外部環境磁場を除去する磁気シールド容器に負帰還半導体レーザからなる光ポンピングＣｓ磁力計を内蔵した非接触型の生体機能診断装置を構成してなる。
【効果】
以上のとおり、本発明の生体機能診断装置は、脳神経細胞の神経活動に伴う一次的変化の磁界分布を１０^−１３Ｔ〜１０^−１４Ｔ以下の誘発脳磁界の検出ができることから、ブレインコンピュータへの転用も可能となり、その工業的価値は極めて高い （もっと読む）

【課題】 本願発明は、十分な光出力を確保しつつ、電子写真装置の光源として好適な面発光レーザおよび該面発光レーザを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】 上部ミラーの上部に第１の表面段差構造を有し、第１の領域における光路長と、第２の領域における光路長との差Ｌが、（１／４＋Ｎ）λ＜｜Ｌ｜＜（３／４＋Ｎ）λ（Ｎは整数）を満たす。 （もっと読む）

【課題】放熱特性の低下を抑えつつ、内部応力に起因する信頼性の低下を抑えることができる面発光型半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、活性層１８と、アルミニウムを含み活性層１８上に設けられた半導体層３０と、アルミニウムを含み半導体層３０上に設けられたＤＢＲ部２４とを含む半導体積層構造３２のＤＢＲ部２４及び半導体層３０に対してエッチングを行うことによりメサ部３４を形成する工程と、電流狭窄のための環状の酸化領域２２ｂを半導体層３０の内部に形成するために、メサ部３４の側面から内部に向けてアルミニウムを酸化させる工程と、この工程によりＤＢＲ部２４に形成された酸化領域２４ｃに対して選択的なウェットエッチングを行う第１のエッチング工程と、ＤＢＲ部２４の周縁部をエッチングにより除去する第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ワイヤレス接続により、薄型パッケージ化の容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に順次配置された第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８・表面電極層２０と、基板１０の裏面に配置された裏面電極層２２と、基板１０・第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８の第１劈開面４２ａに沿って形成され、第１劈開面４２ａおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第１絶縁層２４ａと、第１劈開面４２ａに対向する第２劈開面４２ｂに沿って形成され、第２劈開面４２ｂおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第２絶縁層２４ｂと、第１絶縁層２４ａ上および表面電極層２０上の一部に配置された第１電極層２６Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】
種々のビームプロファイルをもつ光を安定にかつ低いしきい値で発振させ、または１本の高出力ビームを発振させることでき、さらに、このビームを空間的に振らせることが空間モード同期レーザを提供する。
【解決手段】
周期的に一次元配置された複数のレーザ光源１１１からなり、各レーザ光源はほぼ同一の発振波長のレーザ光を自由空間１３１に向けて出射するレーザアレイ１１と、自由空間１３１のレーザ光源１１から出射方向に向けて所定距離だけ離れ、レーザアレイ１１に対向するように周期的に一次元配置された複数の反射鏡からなる反射鏡アレイ１２とを備え、各反射鏡１２１からレーザ光が出射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電流経路の電気抵抗の低減を図りつつ横モード制御が可能なＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする半導体被酸化層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。下部ＤＢＲ１４には、ポストＰの外側において、その表面から半導体被酸化層３２に到達する複数の孔３０が形成されている。半導体被酸化層３２には、孔３０の側面から選択的に酸化された酸化領域３４が形成されている。下部ＤＢＲ１４には、酸化領域３４によって囲まれた非酸化領域（導電領域）による電流経路Ｋ１に加えて、酸化領域３４を回り込むような電流経路Ｋ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高速変調可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００上に形成され、基板と垂直方向にレーザ光を発する発光部１３０と、基板上に形成され、発光部で発せられた光の一部を基板と水平方向に伝播させる光伝播部１４０と、光伝播部で伝播された光を発光部に向けて反射させる反射部１５０とを備える。光伝播部は、発光部の屈折率よりも屈折率が小さいトレンチ１２０と、トレンチと反射部との間に配されたトレンチよりも屈折率が高いスローライト部１２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの低消費電力化が可能な面発光レーザ、光源、及び光モジュールを提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を挟むように形成され、第２導電型コンタクト層側に配置された第１組成傾斜層および活性層側に配置された第２組成傾斜層を備え、第１組成傾斜層および第２組成傾斜層は、積層方向において電流狭窄層からそれぞれ反対側の隣接する層に近づくにつれてそのバンドギャップエネルギーが単調減少し、隣接する層のバンドギャップエネルギーに近づくように構成され、第２導電型クラッド層はキャリアの移動度を低下させる材料を含み、第２組成傾斜層のキャリア濃度が、電流狭窄層の電流注入部のキャリア濃度以上である。 （もっと読む）

【課題】複数の活性領域へのキャリヤ注入の均一性とキャリヤの閉じ込めを向上させ、レーザ特性の改善を図ることが可能となる周期利得構造を備えた面発光レーザを提供する。
【解決手段】第１ＤＢＲ層、第１クラッド層、活性領域、第２クラッド層、電流狭窄構造、第２ＤＢＲ層を含み構成された面発光レーザであって、
前記活性領域は多重量子井戸構造を有し、該活性領域を利得領域の光強度が極大となる複数の位置に配置して構成された周期利得構造を備えると共に、インターバリヤ層が前記複数の活性領域の間に配置された構造を備え、
前記インターバリヤ層の伝導帯エネルギー下端のエネルギー準位が、前記複数の位置の前記活性領域の前記多重量子井戸構造における障壁層の伝導帯エネルギー下端のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位とされている構成とする。 （もっと読む）

【課題】接着剤等の這い上がりのない信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体層と、前記基板をチップごとに分離するため、前記半導体層に形成された素子分離溝と、前記上部半導体ＤＢＲ上に形成された電極と、を有し、前記素子分離溝の底面または側面には、撥液性膜が形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層されている。そして、下部半導体ＤＢＲが含まれるベース部の外形は、基板の表面に直交する方向からみたとき、角部が無くマクロ的に滑らかな形状であり、下部半導体ＤＢＲのエッチング面は、不動態化膜１１５と保護層１１１とによって被覆されている。この場合は、不動態化膜１１５にクラックが入るのを抑制でき、従来よりも信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた、Ａｌを含む化合物とその酸化絶縁物とを有する電流狭窄層を備える面発光レーザを提供する。
【解決手段】電流注入部１１０ａと電流狭窄部１１０ｂとを有する電流狭窄層１１０の両側に擬似的組成傾斜層１０９、１１１を設ける。擬似的組成傾斜層を形成する半導体層１７１、１７２、１７４、１７５の各層をＧａＡｓ層１７１ａ、１７２ａ、１７４ａ、１７５ａとＡｌＧａＡｓ層１７１ｂ、１７２ｂ、１７４ｂ、１７５ｂとでそれぞれ形成し、ＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層の膜厚比を変化させることによって、平均的Ａｌ組成が変化する擬似的組成傾斜層を構成し、擬似的組成傾斜層１０９、１１１内に設けたＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓ層１７３によって、電流狭窄部１１０ｂを形成する際の酸化を停止する。 （もっと読む）

【課題】半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後に大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能な窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の微細構造の製造方法であって、Ａｌを除くＩＩＩ族窒化物半導体からなる第１の半導体層１０２の主面の上にＡｌを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる第２の半導体層１０４を形成し、第２の半導体層を貫通してなる第１の半導体層に形成された細孔１０７を有する半導体構造を用意する第１の工程と、第１の工程後、半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、第１の半導体層に形成された細孔の側壁の少なくとも一部に、第１の半導体層の結晶面を形成する第２の工程と、第２の工程後、第２の半導体層の上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる第３の半導体層１１１を形成し、細孔の上部を塞ぐ第３の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード発振の位相差を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６上に形成された光出射口１１０Ａを含むｐ側電極１１０と、光出射口１１０Ａの周辺領域に形成され発振波長の光を吸収する光吸収層１１２と、発振波長の光を透過可能な材料から構成され光出射口１１０Ａの中央領域に形成された位相調整層１１４とを有する。位相調整層の膜厚は、ｄ１＝（２ａ−１）λ／２ｎ１から決定され（ａは整数、λは発振波長、ｎ１は屈折率）、光吸収層１１２の膜厚ｄ２は、（ｎ２−１）×ｄ２＋（１−ｎ１）×ｄ１＝λ×ｂ（ｂは整数、ｎ２は屈折率）の条件を満足する。 （もっと読む）

【課題】基本横モードの光出力を低下させることなく、高次横モードの発振を抑制することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 出射領域内に設けられ、該出射領域内における周辺部の反射率と中心部の反射率を異ならせる透明な誘電体層を有し、コンタクト層１０９の厚さは、出射領域内における相対的に反射率の高い領域と相対的に反射率が低い領域とで互いに異なり、コンタクト層は、上部半導体ＤＢＲの最表面高屈折率層上に設けられ、相対的に反射率が低い領域では、最表面高屈折率層とコンタクト層１０９とを合わせた光学的厚さが、「発振波長／４」の奇数倍からずれている。 （もっと読む）

【課題】基本横モード発振の位相差を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６上に形成されたｐ側電極１１０と、発振波長を透過可能な材料から構成されｐ側電極１１０の光出射口１１０Ａ内に形成された第１の絶縁膜１１２と、発振波長を透過可能な誘電体から構成され、第１の絶縁膜１１２の一部を被覆する第２の絶縁膜１１８とを有する。第２の絶縁膜１１８の膜厚は、第２の絶縁膜１１８からの光と第１の絶縁膜１１２からの光の位相差が抑制されるように調整され、かつ第２の絶縁膜１１８が被覆されている部分の反射率が第２の絶縁膜１１８が被覆されていない部分の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で高出力かつレーザ発振波長が均一である面発光レーザアレイ素子を提供すること。
【解決手段】複数の面発光レーザ素子が２次元的に配列された面発光レーザアレイ素子であって、前記各面発光レーザ素子は、隣接する他の面発光レーザ素子が多い第１領域と少ない第２領域とでの温度差によるレーザ発振波長の差異が小さくなるように層厚を設定した温度補償層を光共振器内に有する。好ましくは、前記面発光レーザ素子は、イントラキャビティ構造を有する。 （もっと読む）

【課題】光信号を送信または受信する発光素子や受光素子を静電放電による破壊から保護する光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送モジュール１０は、光信号を送信する柱状の半導体層を含む素子部２０Ａおよび柱状の導電性の半導体層を含む支持部２０Ｂが形成されたＶＣＳＥＬ２０と、素子部および支持部と対向するように配され、素子部と光学的に結合するスラブ導波路３０と、支持部上に設けられ、スラブ導波路に接触される導電性接着剤４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】電圧の上昇を抑制しながら選択酸化層とスペーサ層との界面での剥離を防止することができ、信頼性の向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、ｎ型半導体ブラッグ反射鏡と、ｐ型半導体ブラッグ反射鏡と、これらの間に設けられた活性層と、が積層され、
前記ｐ型半導体ブラッグ反射鏡は、前記活性層上に、ｐ型スペーサ層、選択酸化層を介して設けられ、該選択酸化層を酸化させて電流狭窄構造を形成した垂直共振器型面発光レーザであって、
前記選択酸化層に隣接して設けられた、該選択酸化層を酸化させる際に酸化の進行しない材料で構成された第１中間層と、
前記ｐ型スペーサ層とのバンドギャップを調整するための、該第１中間層に隣接して設けられた第２中間層及び該第２中間層に隣接して設けられた第３中間層とが、前記選択酸化層と前記ｐ型スペーサ層との間に配されている。 （もっと読む）