【課題】単一基本横モードの出力を容易に向上可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子は、活性層１０５、共振器スペーサー層１０４，１０６、反射層１０３，１０７、並びに酸化領域１０８ｂが電流狭窄層及び抑制層として機能する選択酸化層１０８を備える。共振器スペーサー層１０４，１０６は、活性層１０５の両側に設けられる。反射層１０３，１０７は、共振器スペーサー層１０４，１０６の両側に設けられ、活性層１０５において発振した発振光を反射する。電流狭窄層は、活性層１０５へ電流を注入するときの反射層１０３，１０７の領域を制限する。抑制層は、活性層１０５において発振した高次モード成分を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりで製造することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。メサの上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層１１１ａで被覆され、該テーパ面の基板面に対するテーパ角δは、メサにおける側面の基板面に対する傾斜角θよりも小さい。この場合は、カバレージ良く配線を形成することが可能となり、製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】容量を低減しつつ熱衝撃に強い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ光を出力するレーザ素子であって、基板２０と、基板２０の表面と垂直な方向に順次形成された下部反射層３０及び上部反射層９０と、下部反射層３０及び上部反射層９０の間に形成された活性層５０と、活性層５０に流れる電流を狭窄する電流狭窄層７０とを備え、電流狭窄層７０は、基板２０の表面と平行な平行面における電流狭窄層７０の端部から、平行面に沿って電流狭窄層の中心に向かう方向に延伸して形成され、中心側に設けられた先端部と端部との間に屈曲点が無いか、または、複数の屈曲点が形成された酸化層を有するレーザ素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】表面レリーフ構造を備え、メサ構造の面発光レーザの製造方法であって、
半導体層上の第一の誘電体膜に、メサ構造を画定するための第１のパターンと表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンを同一工程により形成する工程と、
これらのパターンが形成された第一の誘電体膜を含む半導体層の上に、第二の誘電体膜を形成する工程と、
第２のパターンが形成された半導体層の上の第二の誘電体膜を残して、第二の誘電体膜を除去した際の第１のパターンを用いてメサ構造を形成し、その後に電流狭窄構造を形成する工程と、
第二の誘電体膜が除去された第一の誘電体膜の第２のパターンを用いて、表面レリーフ構造を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程における歩留りを向上させ、品質の良い面発光レーザを提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子１は、アルミニウムを含まない材料からなる基板１ａ上に、第１の半導体多層膜（下部半導体ＤＢＲ１ｂ）と活性層１ｃおよび第２の半導体多層膜（上部半導体ＤＢＲ１ｄ）からなるアルミニウムを含む半導体層１ｅを有しており、この半導体層１ｅを、基板１ａにいたる深さまでエッチングして第１の分離溝１ｆを形成し、半導体層１ｅに保護膜１ｇを形成し、第１の分離溝１ｆの中心部における基板１ａを予め定められた深さまでエッチングして第２の分離溝１ｉを形成し、この第２の分離溝１ｉに沿って分離してなる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化し、製造時間の短縮を行うことができる面発光半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、ｐ型多層膜反射層２、ｉ型多層膜反射層３、ｎ型多層膜反射層４、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型スペーサ層８、ｐ型電流ブロック層９、ｐ型多層膜反射層１０、ｐ型コンタクト層１１が積層されている。面発光レーザ部は、活性層６を半導体反射ミラーで挟んだ共振器により構成される。上部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層１０で、下部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層２とｉ型多層膜反射層３とｎ型多層膜反射層４で構成されている。光学的には、共振器の下部半導体反射ミラー内にＰＩＮ接合構造を有する受光部が形成された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザアレイにおける各面発光レーザより放出されるレーザ光の放射角を少なくとも略均一とする。
【解決手段】面発光レーザアレイ（ＶＣＳＥＬレーザアレイ）は、半導体基板９９上に、第一反射鏡９８と活性層９７および第二反射鏡９３を順次に積層し、第二の反射鏡９３上に電気的に接続された第二電極９２にはレーザ光を取り出す開口部９４を有し、第一反射鏡９８もしくは第二反射鏡９３内部もしくは隣接する部位に電流狭窄層９５を有するメサポスト状に加工されたレーザ素子（面発光レーザ：ＶＣＳＥＬ）を複数、配列してなり、特に、より中心部に位置するレーザ素子の酸化狭窄層９５の形状が、より外側に位置するレーザ素子に対してサイズが大きめに異なり、かつ、レーザ素子の第二電極９２に形成されている開口部９４が、酸化狭窄層９５のサイズに応じて当該レーザ素子により放出されるレーザ光の放射角が一定になるサイズで形成されている。 （もっと読む）

【課題】下部ＤＢＲ反射鏡等を構成するＡｌ組成の高いＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ等の層の側面からの酸化を防ぐ構造を有する面発光型レーザ技術の提供。
【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と活性層と電流狭窄層と上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程（ステップＳ１０１）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることによりメサ構造を形成するメサ構造形成工程（ステップＳ１０２）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜を半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程（ステップＳ１０３）と、素子分離溝の壁面、メサ構造の上面および側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程（ステップＳ１０４）と、再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を形成する保護膜形成工程（ステップＳ１０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスにおいて段差構造の形状が変動したとしても、この変動がＦＦＰに与える影響を抑制することができる面発光レーザ、および、該面発光レーザを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】面発光レーザ１００は、半導体基板１１０上に、下部ミラー１１２、活性層１１４、上部ミラー１１６が積層され、上部ミラー上に凸型の段差構造１５０が設けられている。その第１の領域１６０と第２の領域１６２との間の第３の領域１６５に遮光部材が配されている。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、放熱性及び耐腐食性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａと第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂから構成され、共振器構造体に近い第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂは、ｎ−Ａｌ_０．９８Ｇａ_０．０２Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３ペア有している。そして、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、３λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。また、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａの低屈折率層であるｎ−ＡｌＡｓと高屈折率層であるｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとの間の熱抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】所望の方向に偏波したレーザ光を射出できること。
【解決手段】面発光レーザ素子３００は、基板１上に下部ＤＢＲミラー２と、活性層４を含む複数の半導体層が積層され円柱状に形成されたメサポスト１５と、メサポスト１５上に形成された上部ＤＢＲミラー１３とを有し、上部ＤＢＲミラー１３の上面部に設けられたアパーチャ１３ａからレーザ光を射出する。上部ＤＢＲミラー１３の少なくとも上面部に、レーザ光に対する光透過性を有する誘電体で形成した保護膜１４を備える。保護膜１４を、全体として積層面方向の断面が円形のメサポスト１５に対し、アパーチャ１３ａを含む所定範囲内で一体に長円状に成膜されて積層し、長軸方向の端部がＰ電極８の上面部からメサポスト１５の側面部を介し、Ｎクラッド層３の上面部まで成膜する。保護膜１４は、応力付加膜として活性層４に対し長軸方向に応力を加える。 （もっと読む）

【課題】ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 １つの基板上に形成された３２個の発光部と、該３２個の発光部におけるｐ側電極と電気的に接続されている３２個の電極パッドとを備えている。そして、ヘキ開工程で、シリコーン付着現象を生じるおそれがある電極パッド１５０は、平面視において、ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法ｄよりも長くなるように設定されている。この場合は、チップ形成基板の厚さが従来よりも厚い場合であっても、保護シートの密着力を低下させることができ、ヘキ開の際に各電極パッドにシリコーンが付着するのを防止することができる。その結果、製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型結晶層をＶ／ＩＩＩ比が小さいエピタキシャル条件で形成するとともにｐ型結晶層の電気抵抗を低減する。
【解決手段】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、半導体基板はコンタクト層として機能するｐ型結晶層を有し、ｐ型結晶層が、３−５族化合物半導体からなり、２×１０^１８ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。ｐ型結晶層として、ｐ型ＧａＡｓ層が挙げられる。ｐ型結晶層が、ｐ型不純物原子として炭素原子を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする長寿命の面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭと、メサＭ内に形成され、選択的に酸化された酸化領域１０８Ａによって囲まれた導電領域１０８Ｂを有する電流狭窄層１０８と、メサＭの頂部に形成され、光出射口１１０Ａを規定する環状のｐ側電極１１０と、第１の屈折率を有し光出射口１１０Ａを覆う第１の誘電体膜１１２と、第１の屈折率よりも大きい第２の屈折率を有し、第１の誘電体膜１１２上に形成された楕円形状の第２の誘電体膜１１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の出射面の法線に対して線対称な斜め方向である２つ方向に出射されるレーザ光の強度比を制御することが可能な２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】面内方向に共振モードを有する２次元フォトニック結晶を有し、レーザ光の出射面の法線に対して線対称な斜め方向である少なくとも２つの方向に、レーザ光を出射する２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
２次元フォトニック結晶は、
２つの方向に出射するレーザ光の出射方向ベクトルを、レーザ光の出射面に射影した射影方向に垂直な方向に沿って、２次元フォトニック結晶の格子点を構成する媒質の深さあるいは高さが一定であり、
２次元フォトニック結晶の格子点を構成する媒質の深さあるいは高さが、射影方向に沿って該射影方向に平行な方向を法線とする任意の面に対して非対称に変化している。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減する。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型半導体層中のＯ原子混入量を適切な範囲とする。
【解決手段】ｐ型結晶層を有する半導体基板であって、前記ｐ型結晶層が、３族原子としてアルミニウム原子を含む３−５族化合物半導体からなり、ｐ型不純物原子として炭素原子を含み、１×１０^１７ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含み、かつ、２×１０^１７ｃｍ^−３以上、２×１０^２０ｃｍ^−３以下の濃度の酸素原子を含む半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】横モード制御のため反射率分布を与える段差構造を設けた面発光レーザにおいて、遠視野像の波面収差を抑制する。
【解決手段】面発光レーザ２００は基板２１０上に下部ミラー２１２、活性層２１４、上部ミラー２１６が積層された積層構造を有し、表面段差構造を有する第１の構造体２８０を備える。表面段差構造の上部に位置している前記基板に平行な面と、前記上部ミラーの上部境界面２４２との間の光路長が所定の値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】小型で製造が容易な光変調器付き面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ装置１０は、ＶＣＳＥＬ１０Ａと光変調器１０Ｂとを含む。ＶＣＳＥＬ１０Ａは、ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０８と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、環状のｐ側電極１１０とを有する。光変調器１０Ｂは、上部ＤＢＲ１０６上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｐ型の第１の透明半導体膜１２０と、第１の透明半導体膜１２０上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｎ型の第２の透明半導体膜１２２と、第２の透明半導体膜１２２に電気的に接続された変調電極１３０とを含む。ｐ型電極１１０は、第１の透明半導体膜１２０にも電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザを構成する基板の法線方向に対し、遠視野像（ＦＦＰ）の重心方向を傾けることが可能となる面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】基板１１０上に、下部反射鏡１１２と活性層１１４と上部反射鏡１１６が積層され、上部反射鏡１１６における光出射面１４２の上部に表面レリーフ構造１５０を備えた面発光レーザ１００であって、表面レリーフ構造１５０は、面発光レーザ１００の出射光の少なくとも一部が透過できる材料により形成され、基板１１０の法線方向に所定の光学厚さを有する複数の領域が基板１１０の面内方向に隣接して構成され、前記光学厚さの基板１１０の面内方向の分布が、面発光レーザ１００の発光領域の中心軸に対して非対称な光学厚さの分布とされている。 （もっと読む）

【課題】基本横モードの光出力を低下させることなく高次横モードの発振を抑制しつつ、素子寿命の長い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、被選択酸化層１０８を有する上部半導体ＤＢＲ１０７などが積層されている。そして、出射領域は、全面がＰ−ＳｉＮからなる光学的に透明な誘電体で被覆され、相対的に反射率が高い高反射率部分と相対的に反射率が低い低反射率部分とを有している。また、メサの上面における辺縁部は２層の誘電体層で被覆され、下側の誘電体層１１１ａは上側の誘電体層１１１ｂによって覆われており表面に露出していない。 （もっと読む）