【課題】素子分離溝の壁面からの酸化がされにくい信頼性の高い面発光レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される下部反射鏡と、半導体膜からなる活性層と、半導体膜からなる電流狭窄層と、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることにより、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜を前記半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程と、前記素子分離溝の壁面に、絶縁体からなる絶縁体保護膜を形成する絶縁体保護膜形成工程と、前記絶縁体保護膜上に金属材料からなる金属保護膜を形成する金属膜形成工程と、を有することを特徴とする面発光型レーザーの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】動作中の温度上昇が著しく僅かな点で優れた半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体チップ１は活性層５を有しており、主放射方向６へ放射を送出する。活性層５はこの主放射方向６に対し垂直な方向で構造形成されており、これによって自然放出放射１０による半導体チップ１の加熱が低減される。 （もっと読む）

【課題】モード競合雑音を抑制できる半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】主モード１８１と高次モード１８２を有する横マルチモード半導体レーザ１００と、レンズと、を備える半導体レーザモジュールであって、高次モードの光１８２が仮想的な点光源からの光であるとした場合に、高次モードの光のニアフィールドパターンおよびファーフィールドパターンから得られる仮想的な点光源の位置１８０を高次モードの光の発光位置であるとして、半導体レーザとレンズとの距離を設定する。 （もっと読む）

【課題】高密度の結晶欠陥および表面ラフネスの発生を抑制することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】
基板１０の一面側に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４および上部ＤＢＲ層１５をこの順に積層してなる積層体２０が設けられている。積層体２０の上部、例えば、活性層１３、上部スペーサ層１４および上部ＤＢＲ層１５には柱状のメサ部１６が形成されている。基板１０は、Ｃ面（０００１）から［１−１００］方向に０度よりも大きなオフ角を有する傾斜基板によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡素な製造工程により、光検出精度を高めることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】活性層２２および半導体光検出素子１の間に、電流狭窄のための第１酸化層４１とは別に、一層以上の第２酸化層４２を設ける。自然放出光は発散成分が多いので、第２酸化層４２によって反射散乱されて、半導体光検出素子１側への伝播が抑えられる。半導体光検出素子１による自然放出光の検出レベルが低減され、光検出精度が高まる。第１酸化層４１と第２酸化層４２とを一回の酸化工程で形成することが可能となり、製造工程の簡素化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】偏光方向を制御することができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、レーザ光を出射する光出射口１１２Ａが形成されたｐ側電極１１２と、光出射口１１２Ａを部分的に覆うように形成され、レーザ光の発振波長に対して透明な材質から構成され、長手方向と短手方向に異方性を有する絶縁膜１２０とを有し、絶縁膜１２０が形成された上部ＤＢＲ１０６の反射率は、絶縁膜１２０が形成されていない上部ＤＢＲ１０６の反射率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】結晶主方向７を有する結晶構造、ビーム出射面４、半導体基体１をラテラル方向に形成している側面７を有している半導体基体を備えた面発光半導体レーザチップにおいて、エージング特性が改善されたもしくは寿命が高められた面発光半導体レーザチップ。
【解決手段】少なくとも１つの側面５が結晶主方向７に対して斜めに配置されている。 （もっと読む）

【課題】従来のものよりも素子特性のばらつきを軽減することが可能となる表面レリーフ構造を備えた面発光レーザを提供する。
【解決手段】表面レリーフ構造を備え、横モード制御が可能に構成された発振波長λの面発光レーザであって、
表面レリーフ構造は、
上部多層膜反射鏡の上に、第１の積層体による領域と、第１の積層体よりも光学的厚さが大きい第２の積層体による領域と、第１の積層体および第２の積層体よりも光学的厚さが大きい第３の積層体による領域と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層の剥離を防止することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８およびバッファ層１９が設けられている。バッファ層１９は、電流狭窄層１８に接して形成されている。バッファ層１９は、上部ＤＢＲ層１５および下部ＤＢＲ層１１よりも酸化速度が速く、かつ被酸化層１８Ｄ（図示せず）よりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成された被酸化層１９Ｄ（図示せず）を酸化することにより形成されている。バッファ層１９の厚さｄ₁は、１０ｎｍ以上となっており、電流狭窄層１８内に残留する酸化種を十分に取り込めるだけの厚さとなっている。 （もっと読む）

【課題】偏光の制御と広がり角の制御を同時に行うことができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された活性領域１０４と、活性領域１０４上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、下部ＤＢＲ１０２および上部ＤＢＲ１０６間であって、基板の主面と平行な面内において長手方向と短手方向に異方性を有する導電領域１１０Ｂが形成された電流狭窄層１１０と、上部ＤＢＲ１０６上の出射口１１２Ａ内に形成され、基板の主面と平行な面内において長手方向と短手方向に異方性を有する凸状のレンズ１２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上することができる光機能素子、光機能素子列、露光装置および光機能素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本光機能素子は、基板１と、基板１上にｐ型半導体層とｎ型半導体層をｎｐｎまたはｐｎｐの順に積層して形成された半導体素子構造２と、半導体素子構造２の基板１側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して形成した光反射層３とを有する半導体素子積層構造体を、その積層面を横切る方向に形成した溝５により分離した半導体素子積層構造体の第１の部分に形成された半導体素子部６と、溝５により分離した半導体素子積層構造体の第２の部分の光反射層３上に発光素子構造４を積層して形成された発光素子部７とを備える。 （もっと読む）

【課題】深紫外光領域の発光特性が優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０（発光ダイオード）は、基板２０と、基板２０の上に結晶成長によって順に形成されたｎ型半導体層３０、発光層４０、ｐ型半導体層５０、ｎ型半導体層３０の上に設けられたｎ側電極６０およびｐ型半導体層５０の上に形成されたｐ側電極７０を備える。基板２０はＡｌＮ基板であり、基板面に垂直な方向に対してｃ軸が５°から１５°傾斜した微傾斜基板、または基板表面に垂直な方向に対してｃ軸が４０°から７０°傾いた半極性基板である。発光層４０は、ｎ−Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層（量子井戸層）とＡｌ_０．９Ｇａ_０．１Ｎ層（バリア層）とが交互に３層ずつ積層された多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ接続特性のよい光基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層１０の第１の面１０Ａに第１の電気配線２６Ａを形成する。第１の面１０Ａに、凹部９０を形成する。受発光素子６０を、受発光部６０Ａを凹部９０の底面９０Ａと反対方向に向け、かつ、受発光部６０Ａが第１の面１０Ａよりも底面９０Ａ寄りに位置した状態で凹部９０に取着する。受発光部６０Ａを覆うように凹部９０を光透過性の封止樹脂８０で封止する。封止樹脂８０に受発光素子６０の電極６０Ｂを露出させるバイアホール３５を形成する。バイアホール３５を介して電極６０Ｂと第１の電気配線２６Ａとを接続する接続部３６を形成する。光入出力部５０Ａを有する光導波路５０を、該光入出力部５０Ａを受発光部６０Ａに向けて位置合わせした状態で第１の面１０Ａに実装する。 （もっと読む）

【課題】光クロストークが十分に抑制された高い通信品質の一芯双方向光通信が可能な、低コストかつ小型の光通信システム及び光通信システムの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、光ファイバ１０１を介して光送受信モジュール１０２及び光送受信モジュール１０３が接続されている。光送受信モジュール１０２はＶＣＳＥＬ１０４及びＰＤ１０５を有し、光送受信モジュール１０３はＶＣＳＥＬ１０６及びＰＤ１０７を有する。ＶＣＳＥＬ１０４及びＶＣＳＥＬ１０６はＤＢＲ１１２を有する。ＶＣＳＥＬ１０４のＤＢＲ１１２では、ＶＣＳＥＬ１０４で発生する信号光は反射され、ＶＣＳＥＬ１０６から入射する信号光は透過してＰＤ１０５に入射する。ＶＣＳＥＬ１０６のＤＢＲ１１２では、ＶＣＳＥＬ１０６で発生する信号光は反射され、ＶＣＳＥＬ１０４から入射する信号光は透過してＰＤ１０７に入射する。 （もっと読む）

【課題】信号品質を維持しつつ高速な偏光変調動作が可能である偏光変調レーザ装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、対向して配置されたＤＢＲ層１０２及びＤＢＲ層１１２と、ＤＢＲ層１０２とＤＢＲ層１１２との間に配置された活性層１０３とを有する共振器構造を備える。変調層１０８と変調層１１０とは共振器構造内を往復する光をそれぞれ異なる方向に偏光させる。また、変調層１０８及び変調層１１０に入力される変調信号に応じて、変調層１０８及び変調層１１０のいずれか一方向の偏光強度が選択的に大きくなる。 （もっと読む）

デバイスが提供される。本デバイスは、第１の有機発光デバイスを含み、この有機発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極の間に配置された有機発光層とをさらに含む。本デバイスはまた、第１のレーザデバイスを含み、この第１のレーザデバイスは、光共振器と、この光共振器内に配置された有機レイジング材料をさらに含む。焦点機構が、第１の有機発光デバイスによって放射される光を第１のレーザデバイス上へ集束させるように配置されている。好ましくは、焦点機構は、第１の有機発光デバイスによって放射される光よりも強度が少なくとも１０倍大きな、より好ましくは少なくとも１００倍大きな、第１のレーザデバイスへの入射光を供給する。
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【課題】高出力、かつ真円状のビームを得ることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８および横モード調整層１９が設けられている。電流狭窄層１８は、横モード調整層１９よりも活性層１３寄りに形成され、横モード調整層１９は、電流狭窄層１８よりも活性層１３から離れて形成されている。電流狭窄層１８の中央領域に、直径の大きな電流注入領域１９Ｂが形成され、横モード調整層１９の中央領域に、直径の小さな光透過領域１９Ａが形成されている。横モード調整層１９のうち中央領域以外の領域に電流注入領域１９Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザ素子の製造歩留まりを従来よりも向上させる。
【解決手段】 基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層された積層体を作成し、該積層体を上面からエッチングし、少なくとも被選択酸化層が側面に露出しているメサを形成する。そして、＋Ｚ側の面が酸化温度での積層体のそり形状に倣った形状を有するトレイ６０２１に積層体を載置し、酸化装置を用いて被選択酸化層をメサの側面から選択的に酸化させ、酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を作成する。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、発振横モードが制御された面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び被選択酸化層を有する上部反射鏡が積層された積層体を作成し、該積層体の上面に、その光学的厚さが発振波長／４の光学的に透明な誘電体層１１１ａが部分的に積層された第１の領域と、光学的に透明な誘電体層１１１ａが積層されていない第２の領域とを形成する。そして、第１の領域及び第２の領域の周囲をそれぞれ上面からエッチングし、メサ構造体を形成した後、被選択酸化層をメサ構造体の側面から選択的に酸化させ、狭窄構造体を作成する。その後、第２の領域を観察して電流通過領域１０８ｂの大きさを測定する。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制することが可能となる構造を有する面発光レーザを提供する。
【解決手段】面発光レーザであって、
基板上に設けられた下部ＤＢＲ層と、
前記下部ＤＢＲ層の上部に設けられた上部ＤＢＲ層と、
前記下部ＤＢＲ層と前記上部ＤＢＲ層との間に介在する活性層と、
前記活性層に注入される電流を狭窄するための電流狭窄層と、
前記電流狭窄層と前記活性層との間に、電流狭窄部を通過した多数キャリヤの電界印加方向への移動を抑制する障壁構造とを有し、
前記障壁構造によって、前記多数キャリヤの面内方向への拡散を増大することにより高次横モードの発振を抑制する。 （もっと読む）