【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】容易且つ確実にＴＥ−ＴＭ偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とする光半導体装置を実現する。
【解決手段】ＳＯＡは、半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、量子ドット３を有する光学的に結合した単一の活性層５を備えた光導波路１１とを含み、光導波路１１は、ＴＥモード偏波利得及びＴＭモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第１の領域１１ａと、他方が一方よりも大きい第２の領域１１ｂとを備えており、全体としてＴＥモード偏波利得とＴＭモード偏波利得との差が所定範囲内に調節されている。 （もっと読む）

【課題】利得、飽和出力の低下を抑制する半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器は、半導体基板１と、その上方に形成されバリア層２に挟まれたコラムナ量子ドット層を複数層含み、各コラムナ量子ドット層は、量子ドット層とサイドバリア層７とを交互に成長し、サイドバリア層が量子ドットの側面を囲む活性層２１と、活性層上方に形成されたクラッド層２５と、クラッド層と半導体基板に接続された電極１６、２７と、を有し、複数のサイドバリア層を積層した積層部のバンド構造の価電子帯のバンド端準位が、エネルギ的に、バリア層２の価電子帯のバンド端準位と同等であるか、より高く、さらに、コラムナ量子ドット層の最上のサイドバリア層とその第２導電型電極側のバリア層との間に配置され、価電子帯のバンド端準位が、バリア層の価電子帯のバンド端準位よりも高く、サイドバリア層の価電子帯のバンド端準位よりも低い中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】量子ドット層の多段積層とＰＬ波長の長波化を両立しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、圧縮歪みを有する複数の量子ドット層が互いに電子的に結合されるようにバリア層を介して積層されたコラムナ量子ドット層を有する。複数の量子ドット層間に形成されたそれぞれのバリア層は、引張り歪みを有する第１バリア層と、第１バリア層上に形成され、引張り歪みを有する第２バリア層と、第２バリア層上に形成され、引張り歪みを有する第３バリア層とを有する。第１バリア層及び前記第３バリア層の引張り歪量は、第２バリア層の引張り歪量よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】光増幅素子から半導体レーザへの熱伝導の影響による半導体レーザの発振波長の変動を抑制することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】回折格子４ａ及び第１の活性層３を含む第１の導波路１３ａ、及び第１の導波路１３ａの上方に形成される第１の電極８ａを有する半導体レーザ１３と、第１の導波路１３aの第１の活性層３に連接する第２の活性層３を含む第２の導波路１４ａ、及び第２の導波路１４の上方に形成される第２の電極８ｂを有する光半導体増幅素子１３と、半導体レーザ１３に熱的に接続され、電流注入領域２〜５と第３の電極８ｃを有する温度調整素子１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光の波長変換に伴う光や熱による特性低下や変質を抑制して、大きな光量を安定に出力できると共に、高速で光変調ができる光源装置を提供すること。
【解決手段】レーザダイオード１０と、該レーザダイオード１０から放射された励起光を導光する光ファイバ１４と、該光ファイバ１４により導光された励起光を所望の波長変換光に波長変換して出射する波長変換ユニット１６と、を備える光源装置において、波長変換ユニット１６を、少なくとも半導体部材２４を有するものとし、該半導体部材２４は、励起光を所望の波長変換光に変換する半導体活性層２８を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】構造の簡素化が図られた多光周波数発生光源を提供する。
【解決手段】多光周波数発生光源は，光共振器と，前記光共振器内に配置され，発生する光周波数が互いに異なり，かつ光学的，電気的に結合されない複数の微少発光体を含む発光部材と，前記光共振器内に前記発光部材と共に配置され，複数または単一の光周波数を選択するための光学部材とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を維持しながら光パワーモニタとしての機能を併せ持つ光パワーモニタ集積ＤＦＢレーザを提供する。
【解決手段】分布ブラッグ反射領域が集積された半導体レーザにおいて、前記半導体レーザの導波路の活性層が細線構造を有し、前記分布ブラッグ反射領域の吸収電流により前記半導体レーザの出力をモニタすることとした。 （もっと読む）

【課題】 量子光半導体装置に関し、近接積層型の量子ドットのエネルギーバンドギャップを小さくして長波長化に対応させるとともに、エネルギーバンドギャップのばらつきを小さくする。
【解決手段】 量子構造を、圧縮歪を受けた島状形状半導体結晶と、島状形状半導体結晶を被うように形成された第１の中間層と、第１の中間層上に設けた第２の中間層とを順次繰り返して積層した繰り返し積層構造とし、第１の中間層は、島状形状半導体結晶より大きなエネルギーバンドギャップを有するＡｌＡｓを含む第１の半導体層状結晶からなり、第２の中間層は、島状形状半導体結晶より大きなエネルギーバンドギャップを有するＡｌＡｓを含まない第２の半導体層状結晶よりなり、第１の中間層及び第２の中間層を介して整列した島状形状半導体結晶の間隔がキャリアのエネルギー的な結合が生じる間隔となるように、半導体基板の主面に垂直な方向に実質的に整列させる。 （もっと読む）

【課題】垂直方向の遠視野像を狭くすること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に設けられたｎ型の下部クラッド層１２と、下部クラッド層１２上に設けられ、複数の量子ドット３８が形成された量子ドット層３０と複数の量子ドットを覆うバリア層３２とが交互に複数積層された量子ドット活性層１４と、量子ドット活性層上に設けられたｐ型の上部クラッド層１６と、を備え、量子ドット活性層は、複数のバリア層のうち最も高い屈折率を有するバリア層よりも下部クラッド層側及び上部クラッド層側にあるバリア層の少なくとも一方で、バリア層の屈折率が、最も高い屈折率を有するバリア層から下部クラッド層又は上部クラッド層に最も近いバリア層に向かって低下する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】コラムナ量子ドットの上方に、高品質な半導体層を成長させるのに適した半導体素子、及び、そのような半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、半導体基板と、半導体基板上方に形成されたコラムナ量子ドットとを有し、コラムナ量子ドットは、第１量子ドットと、第１量子ドット上に積層され半導体基板に対し引張歪量を持つ第１スペーサ層とで形成された第１部と、第２量子ドットと、第２量子ドット上に積層され半導体基板に対し第１スペーサ層より大きい引張歪量を持つ第２スペーサ層とで形成された第２部とが、厚さ方向に交互に配置された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】素子を駆動したときに素子内部で発生する熱を速やかに素子外へ排出することができ、かつ、それを行うためのコストや消費電力の上昇を抑えることができる半導体素子、半導体光素子及び半導体集積素子を提供する。
【解決手段】例えば、ｎ型半導体基板１３上に形成された、ｐ型半導体層１７とｎ型半導体層１２の間の活性層１１の領域で、電子とホールが再結合することにより動作する半導体レーザにおいて、電子とホールが再結合する活性層１１の領域よりもｎ型半導体基板１３側に、トンネル接合層１６を形成した構成とする。 （もっと読む）

【課題】
非侵襲計測に分類される従来のＭＥＧにない空間分解能と時間分解能を極限まで追求できるようにすること。
【解決手段】
本発明の脳神経細胞の神経活動に伴う一次的変化の磁界分布を計測する外部環境磁場を除去する磁気シールド容器に負帰還半導体レーザからなる光ポンピングＣｓ磁力計を内蔵した非接触型の生体機能診断装置を構成してなる。
【効果】
以上のとおり、本発明の生体機能診断装置は、脳神経細胞の神経活動に伴う一次的変化の磁界分布を１０^−１３Ｔ〜１０^−１４Ｔ以下の誘発脳磁界の検出ができることから、ブレインコンピュータへの転用も可能となり、その工業的価値は極めて高い （もっと読む）

【課題】ＢＣＢ樹脂による埋め込みで良好な信頼性の半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子ＤＶでは、半導体領域６３は、リッジ構造６３ａ及びトレンチ６３ｂ、６３ｃを含み、トレンチ６３ｂ、６３ｃはリッジ構造６３ａ及び突出部６３ｓによって規定される。保護層６５はリッジ構造上面６３ｐの位置に開口３４ｃを有する。非感光性ＢＣＢ樹脂体６７は、リッジ構造上面６３ｐに開口６７ｃを有し、また突出部６３ｓ上に設けられると共にトレンチ６３ｂ、６３ｃに満たされてリッジ構造６３ａを埋め込む。電極６９は、リッジ構造６３ａに接触を成す。非感光性ＢＣＢ樹脂体６７の厚さＤ２は突出部６３ｓの上において２．０μｍ未満である。素子端面ＥＦは、支持基体裏面６１ｂのエッジから非感光性ＢＣＢ樹脂体６７の上面６７ｄのエッジまで延在する。素子端面ＥＦは、破断面６７ｃｖ、へき開面６１ｃｖ、及びへき開面６３ｃｖを含む。 （もっと読む）

【課題】光子発生装置が発光する光の単色性が低い。
【解決手段】本発明の光子発生装置は、半導体材料からなる第１のナノ構造体と、半導体材料からなり、第１のナノ構造体の隣にギャップを挟んで配置された第２のナノ構造体と、ギャップに配置され、第１のナノ構造体と第２のナノ構造体とに挟持されたコロイド量子ドットとを有し、第１のナノ構造体と前記第２のナノ構造体とに挟持されたコロイド量子ドットは１つのみである。 （もっと読む）

【課題】室温で共振器ポラリトン状態を動作させることを可能にする、コア・シェル型量子ドットの配列構造を提供する。
【解決手段】半導体から成るコア１と、このコア１の周囲に接して形成されたシェル２とによる、コア・シェル型量子ドット１１を用いて、複数個のコア・シェル型量子ドット１１が、双極子相互作用が働く範囲内の間隔で配列された、コア・シェル型量子ドットの配列構造２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】不純物に起因した光半導体素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】凹部１１及び凸部１２が形成された第１半導体層１０の上に、不純物を含む第２半導体層２０を形成して、凹部１１及び凸部１２を被覆する。第２半導体層２０には、凹部１１内に形成された、第１濃度の不純物を含む第１領域２１、凹部１１内で、第１領域２１上方に形成された、第１濃度よりも低い第２濃度の不純物を含む第２領域２２、及び、凸部１２上方に形成された、不純物を含む第３領域２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 コラムナ量子ドット層を多段に積み重ねる際に、良好な結晶状態を保って結晶成長させることが困難である。
【解決手段】 半導体基板の上に、面内方向に分布する複数のコラムナ量子ドットが形成されている。半導体基板の上に、コラムナ量子ドットの間を埋めるサイドバリア層が形成されている。コラムナ量子ドットの各々は、積み重ねられた複数の量子ドットを含む。サイドバリア層の格子定数は、半導体基板の格子定数よりも小さく、かつ半導体基板から遠ざかるに従って小さくなる。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥによりＩｎＰ基板上に等方的な形状の量子ドットを形成することのできる量子ドットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ法により量子ドットを形成する量子ドットの製造方法において、ＩｎＰ基板上にIII−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させ下地結晶層を形成する下地結晶層形成工程と、前記下地結晶層上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる量子ドットを形成する量子ドット形成工程と、前記量子ドット上にIII−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させ埋込結晶層を形成する埋込結晶層形成工程と、を有し、前記下地結晶層及び前記埋込結晶層を形成する材料と、前記量子ドットを形成する材料とは異なる組成または異なる組成比の材料であって、前記量子ドットは、砒素を含む材料により形成されるものであって、前記量子ドット形成工程において、前記砒素は砒素分子線発生装置よりＡｓ_２分子を含む状態で供給されることを特徴とする量子ドットの製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）