【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを不純物の制御性良く実現した半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子は、半導体基板１１上に形成されたｎ−クラッド層１３、活性層１５、ｐ−クラッド層１７、ｐ−コンタクト層１８、上部電極２０および電流狭窄層１７ａを備えた端面発光型の半導体レーザ素子であって、少なくともレーザ光の出射側端面近傍に非窓領域よりも大きいバンドギャップを持つ窓領域２３を有し、ｐ−コンタクト層１８の窓領域２３のｐ型不純物濃度が、ｐ−コンタクト層１８の非窓領域２４のｐ型不純物濃度よりも２×１０^１７ｃｍ^−３以上低く、電流狭窄層１７ａは、該電流狭窄層１７ａの上下に形成される層の格子定数よりも大きな格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】グレーティングカプラへのレーザ光の結合効率が向上すると共に実装精度も向上させることが可能な面発光レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層２０上に光透過性の厚い絶縁膜２８を形成し、この絶縁膜２８から半導体層２０中のｎ型ＤＢＲ層２１に達する円環形状の溝２８Ａを形成する。マスク（レジスト層３４を絶縁膜２８上に形成すると共に溝２８Ａにも充填させ、このレジスト層３４の溝２８Ａの近傍位置に開口３４Ａを設ける。この開口３４Ａからエッチング液を導入し絶縁膜２８を加工することによって、傾斜した光出射面３Ａを有するプリズム３を形成する。これにより素子本体２の光出射面２０Ａに対して垂直な方向よりも傾いたレーザ光を出射する面発光レーザ素子１が得られる。 （もっと読む）

【課題】高出力、かつ真円状のビームを得ることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８および横モード調整層１９が設けられている。電流狭窄層１８は、横モード調整層１９よりも活性層１３寄りに形成され、横モード調整層１９は、電流狭窄層１８よりも活性層１３から離れて形成されている。電流狭窄層１８の中央領域に、直径の大きな電流注入領域１９Ｂが形成され、横モード調整層１９の中央領域に、直径の小さな光透過領域１９Ａが形成されている。横モード調整層１９のうち中央領域以外の領域に電流注入領域１９Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＩｎＰ基板のＺｎ濃度（２〜４×１０１８ｃｍ−３）は、ｐ型クラッド層のＺｎ濃度（１×１０１８ｃｍ−３）よりも高い。このため、熱処理によってｐ型ＩｎＰ基板のＺｎがｐ型クラッド層に拡散し、さらにｐ型クラッド層の上部にある活性層まで拡散して、発光効率を低下させるという問題があった。特に、埋込構造の半導体光素子では、結晶成長の回数が多いことから高温の熱処理の回数が多く、この問題が顕著であった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、基板からのＺｎの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板１０とｐ型ＩｎＰクラッド層１６の間に、ＲｕがドープされたＩｎＰ拡散防止層１４を設けることにより、ｐ型ＩｎＰ基板１０やｐ型ＩｎＰバッファ層１２から活性層２０へのＺｎの拡散を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】
成長中断による、Ａｌを含むIII-V族化合物半導体層への酸素の取り込みを抑制した半導体装置を提供すること。
【解決手段】
Ａｌを構成元素として含む第１のIII-V族化合物半導体によって半導体基板上に形成された第１の半導体層と、厚さが２原子層以上８原子層以下のＡｌを構成元素として含まない第２のIII-V族化合物半導体で形成され、且つ前記第１の半導体層の上面又は前記第１の半導体層の内部に配置された表面保護層とを有する半導体積層構造と、第３のIII-V族化合物半導体で形成され、且つ前記半導体積層構造の上面に形成された第２の半導体層を具備すること。 （もっと読む）

【課題】開口を有する電極が半導体層上に設けられ、その開口に誘電体層が設けられた構造の半導体発光素子において、半導体層と電極の開口側端部との界面近傍の半導体層に歪が生じるのを抑制する。
【解決手段】活性層１０６と、活性層に電流を注入する第１の電極１２１および第２の電極１３１と、活性層と第１の電極との間の半導体層１１５と、半導体層上に設けられ、活性層からの光が通る誘電体層１４１と、を備え、第１の電極は半導体層上に設けられ、共に活性層からの光が通る開口１２５を有し、半導体層と接触して設けられた第１の電極層１２２と、第１の電極層上に設けられた第２の電極層１２３とを備え、第１の電極層は第２の電極層よりも半導体層との反応性が小さく、誘電体層は開口内に設けられ、第１の電極層の開口側端部が、半導体層１１５上から誘電体層１４１上に延在している。 （もっと読む）

【課題】不純物を直接ドーピングしても良好な結晶性を得ることができる量子ドットの形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓバッファ層の厚さが所定値に達すると、Ｉｎ及びＡｓの原料を供給し始める。この結果、ぬれ層が成長し始める。ぬれ層の成長開始から１２０秒程度経過すると、核生成が生じる（段階Ａ）。更に５秒間程度経過すると、核生成が停止し、各核を起点として量子ドットに原料が凝集し始める（段階Ｂ）。この段階においてＳｉの供給を開始し、量子ドットに不純物としてＳｉをドーピングする。更に３０秒間程度経過すると、量子ドットの凝集が停止し始める（段階Ｃ）。凝集が停止し始める時に不純物の供給を停止する。つまり、Ｓｉのドーピングを停止する。その後、不純物の供給を停止してから４５秒間経過した時にＩｎの供給を停止し、Ｇａの供給を再開することにより、キャップ層の形成を開始する。 （もっと読む）

【課題】従来のｐ型III族窒化物半導体超格子からなるｐ型半導体よりも低抵抗のｐ型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するｐ型III族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】このｐ型III族窒化物半導体は、サファイア基板２０上に低温ＧａＮバッファー層２１，ＧａＮ層２２が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、Ｉｎ_0.04Ａｌ_0.2Ｇａ_0.76Ｎ層とｐ型Ｉｎ_0.1Ａｌ_0.04Ｇａ_0.86Ｎ層との超格子構造からなるｐ型III族窒化物半導体２３である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で低閾値電流で高出力動作ができると共に、信頼性が高く低コストな半導体レーザ素子とその製造方法および光ディスク装置および光伝送システムを提供する。
【解決手段】ドーピング濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上のｐ⁺-ＧaＡsコンタクト層１１３上およびドーピング濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下のｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９上にｐ側電極１１４を形成する。ｐ側電極１１４と接する各々の半導体層の界面に、ｐ側電極１１４の材料と各々の半導体層材料とが合金化した化合物層１１５を形成する。ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９と多重歪量子井戸活性層１０６との間に、ドーピング濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）

【課題】良好な表面モホロジーを保ちつつ、コンタクト抵抗を低減することができる集積型半導体光素子を得る。
【解決手段】半導体レーザ１（第１の半導体光素子）と光変調器２（第２の半導体光素子）が、同一のｎ型ＩｎＰ基板３（ＩｎＰ基板）上に集積されている。半導体レーザ１と光変調器２はバットジョイント接合されている。半導体レーザ１と光変調器２は、Ｂｅがドープされたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４を有する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０^１８ｃｍ^−３以上、厚みが３００ｎｍより薄い。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子のｐ型層における不純物濃度を制御して半導体素子の駆動電圧を低減し、高い信頼性の窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体からなる第１の層と、ｐ型窒化物半導体からなる第２の層と、第１の層と第２の層の間に発光層を備える窒化物半導体レーザ素子であって、発光層は、ＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、ＡｌＧａＮからなる障壁層とで構成される量子井戸構造を有し、第２の層は、ｐ型不純物濃度が第２の層の中で変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧および消費電力が低減されて長期間の使用における信頼性にも優れた窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上において１以上のｎ型窒化物半導体層、発光層、および１以上のｐ型窒化物半導体層が順次積層される窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、発光層はＡｌＧａＩｎＮ井戸層とＡｌＧａＮ障壁層を含む量子井戸構造を有し、１以上のｐ型窒化物半導体層はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層を含み、このｐ型ＡｌＧａＮクラッド層が厚さ方向に０．０４μｍ／ｍｉｎ以下の速度で結晶成長させられる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少させる窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子２００は、縦横比が１．５以上の長方形の基板２０１と、その上に設けられたｎ型Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ物質から成るｎ型窒化物半導体層２０２と、ｎ型窒化物半導体層２０２の所定領域上に順に設けられた、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ物質の活性層２０３及びｐ型Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ物質のｐ型窒化物半導体層２０４と、ｐ型窒化物半導体層２０４上に設けられｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから所定間隔離間して設けられた透明電極２０５と、透明電極２０５上に設けられｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから５０〜２００μｍだけ離間されたｐ型電極パッド２０６と、ｎ型窒化物半導体層２０２上に設けられたｎ型電極パッド２０７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】キャリア・オーバーフローを抑制することにより、高温動作を可能とする半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部クラッド層１１、下部ガイド層１２、活性層１３、上部ガイド層１４、上部クラッド層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含んで構成されたＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造２０を備える。この積層構造２０は、応力源であるヒートシンク３から半田２を介して２２００ｐｐｍよりも大きく１２０００ｐｐｍ以下の圧縮応力を受けている。これにより、ヒートシンク３からの圧縮応力の大きさを下部クラッド層１１および上部クラッド層１５などから活性層１３へ与えられる応力の種類および大きさに応じて設定することにより、活性層１３における伝導帯の下端と、下部クラッド層および上部クラッド層における伝導帯の下端との間の電子障壁ΔＥｃの値を大きくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は半導体光素子の製造方法に関し動作時の素子抵抗値が設計値と一致する半導体光素子を提供する事を目的とする。
【解決手段】不純物ドープされた、第一導電型であるＢＤＲ(Band Discontinuity reduction)層形成のためのＢＤＲ層形成工程と、
ＢＤＲ層に接し、ＢＤＲ層成長後に堆積される、電極形成のための、前記不純物と同一の不純物がドープされた第一導電型であるコンタクト層形成のためのコンタクト層形成工程と、コンタクト層形成工程後に熱処理を行うための、熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、正確に制御された電流狭窄層を備えた面発光レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】面発光半導体レーザ装置は、基板１１の上に下側から順次形成された第１反射鏡１２と、活性層１３と、アルミニウムを含む材料からなる電流狭窄層１６と、第２反射鏡１７とを備えている。電流狭窄層１６は、導電性部１６Ａと、導電性部１６Ａの周囲に形成された酸化層である高抵抗部１６Ｂと、導電性部１６Ａと高抵抗部１６Ｂとの界面領域に形成され、他の領域と比べて不純物が高濃度に導入された高濃度不純物領域１９とを有している。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振のためのしきい値電流を低減可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、基板１と、キャビティ２と、ストライプ層４と、正極電極５と、負極電極６とを備える。キャビティ２は、基板１上に設けられる。そして、キャビティ２は、活性層を含み、レーザ光を出射する。ストライプ層４は、リング形状からなる平面形状を有し、キャビティ２上に形成される。正極電極５は、リング形状からなる平面形状を有し、ストライプ層４上に形成される。負極電極６は、基板１の裏面に形成される。そして、ストライプ層４は、正極電極５からキャビティ２へ注入された注入電流の拡がりを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高く、且つ低しきい値電流で高温動作に優れたリッジ導波路型光素子、特に半導体レーザの素子構造及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】 量子井戸構造を有する光学的活性領域（例えば、レーザ活性領域）の障壁層に不純物を添加して、活性層内のキャリアの横方向拡散を低減するリッジ導波路型光素子（半導体レーザ）を構成する。この変調ドープ多重量子井戸活性層構造を有するリッジ導波路型光素子を用いた光送信モジュールおよび光通信システムに応用する。
【効果】 半導体発光素子の素子性能、歩留まりを飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光モジュール、光通信システムの高性能化、低コスト化を容易に実現できる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板のＧａＮ系半導体層との界面付近に形成されたＰ型拡散領域を介し流れる電流を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置製造用基板並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、元素がイオン注入されたＳｉ基板（１０）と、Ｓｉ基板（１０）上に設けられたＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つを含む半導体層（２０）と、半導体層（２０）上に設けられた電極（２２、２４、２６）と、を具備することを特徴とする半導体装置および半導体装置製造用基板並びにその製造方法である。 （もっと読む）