【課題】駆動電圧の印加が必要な外部光源を用いることなく、発光素子の出射端面に付着した有機物を分解除去して、素子劣化を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】レーザダイオード１０（発光素子）は、出射端面１０ａから光１２を出射する。レーザダイオード１０の出射端面１０ａにＴｉＯ_２膜１６（有機物付着防止膜）が形成されている。ＴｉＯ_２膜１６は、特定の波長の光が照射されると有機物を分解除去する光触媒反応を起こす。反射鏡１８は、レーザダイオード１０から出射された光１２の一部を反射して、ＴｉＯ_２膜１６に照射する。波長変換器２０は、ＴｉＯ_２膜１６に照射される光２２の波長を、ＴｉＯ_２膜１６が光触媒反応を起こすような波長に変換する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物半導体レーザの活性層において生じるＩｎ組成不均一を抑制し、非発光中心となる欠陥を低減させ、素子の寿命を改善する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体からなる第１の層と、ｐ型窒化物半導体からなる第２の層と、第１の層と第２の層との間に設けられる、ＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、ＡｌＧａＩｎＮからなる障壁層とにより構成される多重量子井戸構造の発光層とを少なくとも備える窒化物半導体レーザ素子であって、井戸層および障壁層の少なくともいずれか一方に、ＧａＮからなる補償層を１層以上含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子に関する。 （もっと読む）

【課題】短波長シフトを低減し、長波長での発振を実現した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造２が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、活性層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。活性層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。共振器端面２１は、反射率スペクトルの中心波長λ_Cが活性層１０の自然放出光の発光ピーク波長λ_SPに対して、λ_SP−１０ｎｍ≦λ_C≦λ_SP＋１０ｎｍの関係を満たす分布ブラッグ反射鏡でコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。

【解決手段】本発明に係る発光装置１００は，第１、第２クラッド層と、活性層と、を含み、活性層の少なくとも一部は複数の利得領域を構成し、活性層の第１側面１０７の反射率は第１側面に平行な第２側面１０９の反射率より高く、複数の利得領域の各々は第１側面の垂線Ｐ１に対して傾いた方向に向かって設けられ、複数の利得領域は少なくとも１つの利得領域対１８３，１８５を成し、利得領域対の一方の第１利得領域１８０は一の方向に向かって設けられ、他方の第２利得領域１８２は他の方向に向かって設けられ、第１利得領域の第１側面側端面と第２利得領域の第１側面側端面とは重なり、利得領域対は複数配列されており、複数の利得領域対の少なくとも２つにおいて，隣り合う利得領域対の一方の第１利得領域の第２側面側端面と他方の第２利得領域の第２側面側端面とは重なる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の出射端面の劣化を抑制し、長寿命の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ本体７０と、窒化物半導体レーザ本体７０上に配置されるレーザストライプ８０と、窒化物半導体レーザ本体７０およびレーザストライプ８０のレーザ光の出射端面１００上に配置される酸素吸収層５０と、窒化物半導体レーザ本体７０およびレーザストライプ８０のレーザ光の出射端面１００と対向する反対側に配置される後端面保護膜６０とを備え、酸素吸収層５０は、ＺｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂ 、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＯＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ_x(０＜ｘ＜１)いずれかを含むことを特徴とする窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は，第１，第２クラッド層と、活性層１０８と、を含み、活性層のうちの少なくとも一部は複数の利得領域１８０，１８２を構成し、複数の利得領域に生じる光の波長帯において、活性層の第１側面１０７の反射率は第１側面に平行な第２側面１０９の反射率よりも高く、複数の利得領域の各々は、平面的に見て第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、複数の利得領域は少なくとも１つの利得領域対１８３を成し、利得領域対の一方の第１利得領域１８０は、一の方向に向かって設けられ、利得領域対の他方の第２利得領域１８２は、他の方向に向かって設けられ、第１利得領域の第１側面側の端面のうちの少なくとも一部と，第２利得領域の第１側面側の端面のうちの少なくとも一部とは重なっている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の高出力動作時における長期安定動作を実現させる。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体の多層膜を備えている。窒化物半導体の多層膜は、基板上に設けられ、窒化物半導体結晶からなり、発光層を含んでいる。この窒化物半導体の多層膜には共振器の端面が形成されており、この端面の少なくとも一方には窒化アルミニウム結晶からなる保護膜が設けられている。保護膜は、保護膜が設けられている共振器の端面を構成する窒化物半導体結晶の結晶面とは結晶軸が互いに９０度をなす結晶面を有している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子の高光出力時の長期安定動作を実現させる。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子では、基板１０上に窒化物半導体の多層膜１００が設けられている。窒化物半導体の多層膜１００は、発光層を含み、互いに略平行な２つのへき開面を有している。へき開面はどちらもレーザ共振器の端面であり、レーザ共振器の端面にはその端面に接するように保護膜７０がそれぞれ設けられている。そして、レーザ共振器の少なくとも一方の端面と保護膜７０との界面におけるシリコン密度が５×１０^１９atoms/cm³以下である。 （もっと読む）

【課題】所望の反射特性を有する端面コーティング膜を効率良く形成することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子の製造方法では、発振波長が異なる複数のサンプル１に同一の反射防止膜１１を成膜することにより、製品となる半導体レーザ素子に形成した反射防止膜の反射率を直接測定する従来の場合とは異なり、数十ｎｍにわたる広い波長範囲において反射防止膜１１の波長依存性を求めることが可能となる。したがって、波長依存性から決定される反射防止膜１１の膜構造と設計時の膜構造とを比較し、製品となる分布帰還型半導体レーザ素子への反射防止膜１１の成膜条件を補正することにより、所望の反射特性を有する反射防止膜１１を効率良く形成できる。 （もっと読む）

【課題】発振しきい値電流が小さい面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】垂直共振器型の面発光レーザ素子の製造方法であって、基板上に下部多層膜反射鏡を積層し、前記下部多層膜反射鏡上に、活性層を含むとともに最上層にコンタクト層を有する複数の半導体層を積層する積層工程と、前記コンタクト層上の一部領域に第一誘電体層を形成する第一誘電体層形成工程と、前記コンタクト層上に、中心に開口部を有する円環電極を、該開口部内に前記第一誘電体層が配置されるように形成する円環電極形成工程と、前記第一誘電体層と、該第一誘電体層と前記円環電極との間に形成された間隙とを覆うように第二誘電体層を形成する第二誘電体層形成工程と、前記円環電極をマスクとして前記積層した半導体層をメサポスト形状にエッチングするメサポスト形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 非極性面または半極性を主面とするｐ型のIII族窒化物半導体層に対して、良好なオーミックコンタクトをとることができる電極を有する窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体レーザダイオード７０において、非極性面を主面とする基板１の主面にｐ型半導体層１２を成長させる。ｐ型半導体層１２におけるｐ型ＧａＮコンタクト層１９の、絶縁層６から露出する成長主面２５は、基板１の主面に平行な非極性面である。そして、ｐ型電極４を、Ｐｔが主として含有される下層が、絶縁層６から露出するｐ型ＧａＮコンタクト層１９の成長主面２５に接触するように、絶縁層６およびｐ型ＧａＮコンタクト層１９の成長主面２５に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な光閉じ込めおよび良好な放熱特性を両方有するリッジ構造半導体レーザを提供する。
【課題解決】２つの異なる絶縁体層を有するレーザ構造であって、当該絶縁体層の一方は、良好な光閉じ込めを維持するためであって、通常はレーザリッジの側方に配置されており、他方は、放熱特性を改善するためであって、通常はリッジから離れたエッチ表面上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の一部が支持基板に遮られるのを抑制しながら、製造工程が増加するのを抑制し、かつ、高い位置決め精度で半導体素子部と支持基板とを接合する必要がない半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、劈開面１２を有する支持基板１０と、支持基板１０に接合される半導体素子部３０とを備え、支持基板１０の光出射方向側の劈開面１２と支持基板１０の半導体素子部３０に対する接合面１１とのなす角度は鈍角である。 （もっと読む）

【課題】金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー１００の前面側の共振器端面１１３に、六方晶の結晶からなる密着層１１５を積層し、密着層１１５に端面コート膜１１６を積層し、同様に背面側の共振器端面１１４にも六方晶半導体層からなる密着層１１８を積層し、密着層１１８に端面コート膜１１７を積層した構成とする。 （もっと読む）

【課題】リッジ等を熱硬化性樹脂で埋め込んだ光半導体装置の製造方法に於いて、製造工程で使用する薬液によってリッジ等の先端部が痩せ細ることを防止して、装置抵抗が増大する等の装置特性の劣化を回避すること。
【解決手段】リッジ等の形成に使用した第１の絶縁膜を残したまま、リッジ等の頂上と側面を第２の絶縁膜で覆う工程と、第２の絶縁膜が形成された半導体基板の表面を熱硬化性樹脂で覆う工程と、熱硬化性樹脂をエッチングして前記頂上を覆う第２の絶縁体を露出させる工程と、ドライエッチング法によって第２の絶縁膜をエッチングして第１の絶縁膜を露出させる工程と、第１の絶縁膜をエッチング液によって選択的にエッチングして、前記頂上を露出させる工程を具備すること。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の増加による半導体レーザ素子のサイズの増大を抑制する
【解決手段】 半導体レーザ素子１は、正方形状に壁開された半導体層２と、半導体層２の上面２ａに形成された電極３と、半導体層２の下面２ｂに形成された電極４とを備える。電極３は、正方形状の４つの電極３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄから構成され、上面２ａに縦２列・横２列に整列して配置される。また、半導体層２の４辺を構成する４つの端面２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆにはそれぞれ反射層が形成されている。そして電極３ａ，３ｂ（電極３ｃ，３ｄ）と電極４との間に順バイアスを印加すると、端面領域Ｒ１（端面領域Ｒ２）からレーザ光が出射される（矢印Ｌ１（Ｌ２）参照）。また電極３ａ，３ｃ（電極３ｂ，３ｄ）と電極４との間に順バイアスを印加すると、端面領域Ｒ３（端面領域Ｒ４）からレーザ光が出射される（矢印Ｌ３（Ｌ４）参照）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体レーザ（共振器）とコーティング膜との界面の界面準位を簡易な方法により低減した半導体レーザ素子とその製造方法に関し、半導体レーザの光出力に起因した瞬時光学損傷（ＣＯＤ）を抑制できる半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザの劈開面上にリチウム薄膜又はベリリウム薄膜からなるダングリングボンド終端膜が形成される。さらに、該ダングリングボンド終端膜上にコーティング膜が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】４３０ｎｍより長い波長領域で発光する窒化物半導体発光素子において、光出射端面をエッチングで形成してその端面に適切なコート膜を形成することによって、特性および寿命が改善された素子を提供し、また素子間の特性および寿命のばらつきを低減して素子の信頼性を高める。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板（１０１）上に形成された窒化物半導体積層構造（１０２−１０８）を含み、この窒化物半導体積層構造はインジウムを含む窒化物半導体からなる活性層（１０５）を含み、記窒化物半導体積層構造の光出射端面（１０３）がエッチングにより形成されており、光出射端面上に酸窒化物からなる端面コート膜が形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】発振波長における端面コーティング膜の反射特性を維持しつつ、素子端面の放熱性を向上させることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１では、レーザ素体Ｐの端面２０と反射防止膜１０との間に、Ａｌ_２Ｏ_３からなる熱伝導性膜２２が形成されている。熱伝導性膜２２の厚さＴ_３は、半導体レーザ素子１の発振波長をλ、波長λに対する熱伝導性膜２２の屈折率をｎ_３としたときに、Ｔ_３＝λ／２ｎ_３を満たすようになっている。このような構成により、半導体レーザ素子１では、活性層１２での光吸収などによって発生した熱が熱伝導性膜２２を介して速やかに外部に伝導し、放熱性の向上が図られる。このことは、半導体レーザ素子１の信頼性の向上に寄与する。 （もっと読む）

【課題】劣化を確実に抑制することができる半導体光素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子は、一方向に延在する導波路領域（通電領域Ａ’）が形成された半導体層（活性層４）を有する。半導体層（活性層４）の下方には、半導体層（活性層４）の導波路領域（通電領域Ａ’）を除く他の領域に面欠陥１５を形成するための面欠陥発生誘導体１０が複数離間して配置されている。半導体層（活性層４）表面側からの平面視において面欠陥発生誘導体１０と、導波路領域（通電領域Ａ’）とが離間配置されるとともに、導波路領域（通電領域Ａ’）の延在方向に沿って複数の面欠陥発生誘導体１０が点在している。 （もっと読む）