【課題】半導体レーザ素子と支持体の対向する方向に関する位置合わせが高精度且つ容易であり、支持体から半導体レーザ素子が剥離しにくい。
【解決手段】光学部品１は、半導体レーザ素子１０と支持体２０とを有している。半導体レーザ素子１０には、複数の半導体膜が積層され、その表面にｐ電極１０６及び高さ調整部１１４、１１５が形成されている。支持体２０は、基板２００を有しており、その表面には、基板２００側から順に、金属接着層２０１、金属配線２０２、融着金属層２０３が積層されている。支持体２０の金属配線２０２と半導体レーザ素子１０のｐ電極１０６は、融着金属層２０３を介して一体化している。 （もっと読む）

【課題】高出力動作時においても光吸収が少なく、光学破壊を起こさない端面保護膜を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、III族窒化物半導体からなり、発光端面を有する半導体積層体５０と、該半導体積層体５０における発光端面を覆うように形成された第１コート膜２３とを有している。第１コート膜２３は、アルミニウムを含む窒化物からなる結晶性膜であり、該結晶性膜は、結晶配向面における傾斜角度と回転角度とが互いに同一である複数のドメインの集合体からなり、単位面積当たりの各ドメインの境界の長さは、７μｍ^−１以下である。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】第１領域１０と、該第１領域と隣接する第２領域２０と、を含む発光装置１００であって、第１領域１０および第２領域２０に形成された基板１０２と、第１領域１０の基板の上方に形成された第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８と、第２領域２０の基板の上方に形成されたガイド層１２０とコア層１２２とを含み、前記活性層は第１側面１０５と第２側面１０７とを有し、活性層の少なくとも一部は利得領域１６０を構成し、少なくとも第２側面１０７には利得領域の端面１７２が設けられ、コア層１２２は、利得領域の第２側面１０７側の端面１７２と隣接する第３側面１２１と、第３側面１２１と反対側の第４側面１２３とを有し、利得領域に生じる光は、第２側面１０７側の端面１７２から、コア層１２２内を進行し、第４側面１２３まで至り、出射される。 （もっと読む）

【課題】光導波路の端面上に膜を備える半導体光素子及びその作製方法において、半導体基板の劈開、およびその後の取扱いの際における端面の損傷を低減する。
【解決手段】半導体光素子１は、半導体基板３上に設けられ、該半導体基板３の主面３ａに沿った光導波方向に延びる光導波路２と、光導波路２の両端に形成された端面２ａ，２ｂと、光導波方向における半導体基板３の両端に形成された劈開面３ｃ，３ｄと、光導波路２の端面２ａ，２ｂ上に設けられ、光導波路２の屈折率より小さい屈折率を有する膜１０ａ，１０ｂとを備える。膜１０ａ，１０ｂは、半導体基板３の劈開前に形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造工程を実現しながら、プロセスの安定化を図り、信頼性を向上させた半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に積層された半導体層と、前記半導体層の表面に形成されたストライプ状のリッジと、前記リッジ上に形成された電極と、を備えてなる半導体素子であって、前記リッジの側面には保護膜が被覆されており、該保護膜の先端部は前記リッジ上面よりも高い位置に形成されており、前記リッジ上面および前記保護膜の先端部上に電極を有する半導体素子。 （もっと読む）

【課題】
窒化物半導体レーザ素子において、長時間の駆動にわたっても良好な光閉じ込めを実現し、リッジ両側の保護膜の密着性を確保し、窒化物半導体レーザ素子の出力に変動を生じさせず、長寿命の窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板と、該基板上に形成され表面にリッジを有する窒化物半導体層と、該窒化物半導体層表面に設けられた絶縁性保護膜とを有する窒化物半導体レーザ素子において、前記絶縁性保護膜は、リッジの側面及び窒化物半導体層表面に接触して設けられる第１膜と、第１膜上に設けられた第２膜とを有し、第１膜と第２膜の間に空隙を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造工程を実現しながら、プロセスの安定化を図り、信頼性を向上させた半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０上に、活性層１２を含み、表面にストライプ状のリッジ１４が形成された半導体層２０と、リッジ１４上に形成された電極１５とを備えてなる半導体素子であって、電極１５は、半導体層２０とリッジ１４上面のみで接触し、かつリッジ１４上面よりも幅広であり、リッジ１４側面から電極１５上面に至り、リッジ１４上面に開口部を有する保護膜１６が形成されてなる半導体素子。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザは、少なくとも活性層(３周期多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層３０５)の光出射端面上に設けられた第１の保護膜２０１ａと、第１の保護膜２０１ａ上に設けられた第２の保護膜２０１ｂと、を備え、第１の保護膜２０１ａは、光出射端面の半導体と第２の保護膜２０１ｂとの間に設けられ、第１の保護膜２０１ａ中の半導体と直接接する層が、ルチル構造を有するＴｉＯ_２から主としてなるものである。 （もっと読む）

【課題】 寄生キャパシタンスの低減及び高温特性の劣化の抑制が可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 半導体光素子１は、第１導電型の第１半導体層３と、第１半導体層３上に設けられた活性層５と、活性層５上に設けられた第１半導体部１９ａと、側面２５ａ，２５ｂを有する第２半導体部１９ｂとを含む第２導電型半導体領域１９と、側面２５ａ及び第１半導体部１９ａ上に設けられた樹脂体９ａと、樹脂体９ａ及び第２半導体部１９ｂの上面上に設けられており、第２半導体部１９ｂと電気的に接続された電極１１と、側面２５ｂ上に設けられており、電極１１に接続された第１金属層１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】材料ロスが生じることを出来るだけ避けることができ、安価な工法で光反射膜を形成し得る半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置の製造方法は、（Ａ）化合物半導体層の積層構造体２０が形成され、第１辺、第２辺、第３辺、第４辺を有する矩形形状の基板４０を支持フィルム５０と貼り合わせて、少なくとも基板の第２辺４２から支持フィルム５０が突出した状態とし、Ｘ方向と平行に支持フィルム５０及び基板４０をけがき、基板４０を劈開し、次いで、支持フィルム５０を引き裂くことで発光素子バー６０を得た後、複数の発光素子バー６０を積層し、支持フィルム５０を加熱することでＹ方向に沿って支持フィルム５０を熱収縮させて、発光素子バー６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間に隙間を設け、各発光素子バー６０の２つのＸＺ端面６１，６２に光反射膜６３，６４を形成する各工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】ｐ側電極とｐ型コンタクト層との接触面積を容易に拡大できる半導体発光素子の製造方法を提供し、動作電圧の低い半導体発光素子を得る。
【解決手段】導波路リッジ上面４６ａに設けたオーバーハング形状のレジストパターン９１を利用して、導波路リッジ４６の上面４６ａに、絶縁膜５０の端部と段差が付くように金属膜６０を形成し、この金属膜６０をマスクとして導波路リッジ上面４６ａの絶縁膜５０をエッチングすることで、新たなマスク工程を設けることなく、絶縁膜５０に設けられた開口部５０ａの開口幅を拡大することができ、ｐ側電極７０とｐ型コンタクト層４５との接触面積を増大することができる。 （もっと読む）

光学素子は、（０００−１）に向かって約−２度乃至約２度の配向および（１１−２０）に向かって約０．５度未満の配向を特徴とするｍ個の面の無極性結晶性表面領域を有する窒化ガリウム基板部材を含んでいる。この素子は、ｍ個の面の無極性結晶性配向表面領域の一部を被覆して形成されるレーザ縞領域も有している。第１の劈開ｃ面が、上記レーザ縞領域の一端に設けられており、第２の劈開ｃ面が、上記レーザ縞領域の他端に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 （もっと読む）

【課題】高出力の半導体光増幅素子を提供すること。
【解決手段】半導体からなる受動コア領域と、前記受動コア領域の両側に位置し、前記受動コア領域よりも屈折率が低い半導体活性層からなる能動クラッド領域と、を有する光増幅導波層を備え、前記光増幅導波層において光を増幅しながら導波する。好ましくは、前記光増幅導波層は、化合物半導体からなり、化合物半導体からなる基板上に、バットジョイント成長方法を用いて前記受動コア領域と前記能動クラッド領域とをモノリシックに集積して形成したものである。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、
成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長され、Ｉｎを含む活性層１４（井戸層１４ａ）およびキャリアブロック層１５を含む窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、活性層１４（井戸層１４ａ）のＩｎ組成比が、０．１５以上０．４５以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＡＳＥ光の強度を高め低消費電力で信号光を増幅する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成された活性層を有する光導波路と、前記光導波路に信号光を入射させる端面に形成され、前記信号光を透過し、前記信号光以外の波長の光を反射する波長選択反射膜と、を有することを特徴とする半導体光増幅装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の低下や製造工程の煩雑さを生じさせることなく、低抵抗を実現できる半導体レーザ構造を提供すること。
【解決手段】（ａ）ｎ型クラッド層２、（ｂ）発光層１７、及び（ｃ）ｐ型クラッド層６を積層して成るレーザ構造単位１５を複数備えるとともに、前記レーザ構造単位１５の間に設けられたトンネル接合層７を備え、前記トンネル接合層７は、Ｚｎをドーパントとして含むｐ型導電型層７ａ、及び６族元素をドーパントとして含むｎ型導電型層７ｂから構成されることを特徴とする半導体レーザ構造１４。 （もっと読む）

【課題】本発明は、共振器端面にダメージを与えずに表面のクリーニングを行い、瞬時光学損傷への耐性が維持された信頼性の高い窒化物半導体レーザを得ることを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる窒化物半導体レーザの製造方法は、窒化物半導体層を有する窒化物半導体レーザ２００の製造方法であって、（ａ）前記窒化物半導体層に、光出射側共振器端面２０，光反射側共振器端面２１を形成する工程と、（ｂ）窒素を含むガスを熱分解してラジカル化した雰囲気に、前記光出射側共振器端面２０，光反射側共振器端面２１を暴露する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの共振器端面と反射膜との界面近傍において劣化が起こりにくく、しきい値電流が低く、歩留まりの高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】共振器端面に密着して、層厚がλ／２（λは媒質内波長）のＳｉＯ_２膜４０を配設し、このＳｉＯ_２膜４０の上に、ＳｉＯ_２膜４０に密着する第１層は層厚がλ／４のａ−Ｓｉ膜４２ａと第２層は層厚がλ／４のＳｉＯ_２膜４２ｂとから構成される二重誘電体膜４２を適宜重ねることにより、前部高反射率膜２８或いは後部高反射率膜３０を構成する。 （もっと読む）

【課題】主射出端面側において各発振波長に対する反射率を所定の範囲に容易に設定可能な多波長半導体レーザを提供する。
【解決手段】発振波長の異なる第１発光部１１および第２発光部１２と、第１発光部１１および第２発光部１２の各主射出端面に共通に形成された低反射膜１４とを有する。低反射膜１４は、第１発光部１１および第２発光部１２の側から順に、第１誘電体膜１４Ａ（屈折率ｎ１）、第２誘電体膜１４Ｂ（屈折率ｎ２）および第３誘電体膜１４Ｃ（屈折率ｎ３）を含み、屈折率ｎ１〜ｎ３は、ｎ３＜ｎ１＜ｎ２の関係を満たしている。第１誘電体膜１４Ａ、第２誘電体膜１４Ｂおよび第３誘電体膜１４Ｃの各光学膜厚の変化に対する各発振波長における反射率の変化が緩やかになる。 （もっと読む）