【課題】本発明は、クラックの発生を防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。
【解決手段】本発明は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板において、丘の両端部双方にＳｉＯ₂壁を形成し、丘表面の上面成長部からマイグレーションにより窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子が掘り込み領域内に移動して窒化物半導体薄膜を形成することを抑制することで、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成でき、歩留まり良く半導体素子を製造できる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの半導体基板（１０）と、所定の波長域の放射を生成する、半導体基板（１０）上に配置された少なくとも１つのアクティブ層（２０）と、アクティブ層（２０）の一端部に、当該アクティブ層に垂直に配置され、アクティブ層（２０）内で生成された放射の一部が出射する少なくとも１つのレーザーミラー（４０）とを備える半導体レーザーに関する。レーザーミラー（４０）には、レーザーミラー（４０）を通って出射する放射の光出力‐電流‐特性曲線の上昇を低減させることに適した吸収性材料層（５０，６０）が備えられている。 （もっと読む）

【課題】共振器端面に形成する端面コート膜の主面への回り込み量が設計通りの量に制御された発光素子や、当該発光素子を容易に得ることを可能とする発光素子の製造方法、当該発光素子を備える発光装置を提供する
【解決手段】発光素子１の共振器端面に誘電体から成る端面コート膜１６ａ，１６ｂを形成する際に、その一部を主面に回り込ませるように形成する。また、主面上には金属から成るマーカー１５ａ，１５ｂを形成する。端面コート膜１６ａ，１６ｂの端部がマーカー上となる場合、当該端部を視認することができる。そのため、マーカー１５ａ，１５ｂを視認することで、端面コート膜１６ａ，１６ｂの回り込み量を確認することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】劈開が容易で且つ微小リーク電流を抑制した窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０１の上に順次積層されたｎ型クラッド層１０３、活性層１０５及びｐ型クラッド層１０８を含み、共振器を構成する半導体層積層体１００を備えている。半導体層積層体１００は、光を出射する前方端面１０８と前方端面１０８と反対側の後方端面１０９との間にストライプ状に延びるリッジ部１１０と、リッジ部１１０の両側方に形成された第１溝部１１２と、第１溝部１１２によりリッジ部１１０と分離された台座部１１３と、台座部１１３における前方端面１０８及び後方端面１０９を含む領域にそれぞれ形成され、第１溝部１１２と分離した第２溝部１１４とを有している。第２溝部１１４の深さは、第１溝部１１２よりも深い。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンおよび表面モフォロジー（平坦性）を改善することにより、発光効率および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体各層１２〜１８とを備えている。成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１２〜１８は、ＡｌＧａＮからなる下部クラッド層１２を含んでいる。そして、この下部クラッド層１２が、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａと接するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化や構造上の問題に起因するビームの長波長化を抑制し、各発光部において所望の発振波長を得ることのできる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】リッジ部１１Ａ〜１１Ｈにはそれぞれ帯状の上部電極１３が設けられ、これら上部電極１３は絶縁膜１５により覆われている。絶縁膜１５には上部電極１３毎に配線層１８と上部電極１３との電気的接続のためのコンタクト用開口１と共に、放熱用の窓領域１９（１９Ａ〜１９Ｈ）が設けられている。中央のリッジ部１１Ｄ，１１Ｅの窓領域１９Ｄ，１９Ｅが相対的に狭く、両端側のリッジ部１１Ａ，１１Ｈの窓領域１９Ａ，１９Ｈが相対的に広くなっている。窓領域１９Ａ〜１９Ｈの面積に変化を持たせて放熱機能を制御することにより、ビームの長波長化が抑制され、発振波長が均一化される。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることが可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００の製造方法は、表面にｐ側電極１７を有するバー状態の青紫色半導体レーザ素子１０とバー状態の２波長半導体レーザ素子７０とが接合されたバー状態の半導体レーザ素子１００を形成する工程と、青紫色半導体レーザ素子１０の側面１０ａが、２波長半導体レーザ素子７０の側面７０ａが形成される位置からはみ出ると同時に、側面７０ｂが、青紫色半導体レーザ素子１０の側面１０ｂが形成される位置からはみ出るとともに、ｐ側電極１７が、青紫色半導体レーザ素子１０のはみ出し領域５に位置するようにバー状態の半導体レーザ素子１００を分割する工程と、この分割工程の後に、ｐ側電極１７（ワイヤボンド部１７ａ）の部分に、金属線８１をボンディングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】電極による光吸収を抑制した信頼性の高い半導体素子を提供すること及び簡便な半導体素子の製造工程を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に積層された半導体層と、前記半導体層の表面に形成されたストライプ状のリッジと、前記リッジ上に形成された電極と、を備えてなる半導体素子であって、電極は、リッジの上面に対して平坦部と、該平坦部の両側に傾斜部とを有しており、リッジの側面から前記電極の傾斜部に至る領域に保護膜を被覆している。 （もっと読む）

【課題】端面保護膜として、酸化による劣化が少ない保護膜材料および保護膜の構成を提供する。
【解決手段】発光層を含む窒化物半導体の多層膜を備えた窒化物半導体レーザ１であって、多層膜は、レーザの共振器面である少なくとも２つのへき開端面を有しており、へき開端面のうちレーザ光が出射する光出射面は、該光出射面側から第一の保護膜１１３、第二の保護膜１１４、第三の保護膜１１５の順に積層した少なくとも３つの保護膜によって被覆されており、第一の保護膜は、アルミ窒化物からなる結晶性薄膜であり、第二の保護膜はＳｉを含むアルミ酸化物であり、第三の保護膜は非晶質の酸窒化物からなる。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、基板１０２と、その上方に形成された第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、を含み、活性層は、第１側面と、第１側面に平行な第２側面１０７と、を有し、活性層のうちの少なくとも一部は、第１利得領域１４０と、第２利得領域１４２と、を構成し、第１利得領域および前記第２利得領域に生じる光の波長帯において、第１側面の反射率は、第２側面の反射率よりも高く、第１利得領域および第２利得領域の各々では、第１側面側から平面的に見て、第１側面側の端面と、第２側面側の端面とは、重ならず、第１利得領域の第１側面側の端面の少なくとも一部と、第２利得領域の第１側面側の端面の少なくとも一部とは、重なっており、第１利得領域の長さと、前記第２利得領域の長さは、等しい。 （もっと読む）

【課題】一定の動作電流において、動作温度の変化に伴う光出力の変動を抑制することが可能な半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の量子ドット３６を有する量子ドット活性層１４と量子ドット活性層１４を挟む下部クラッド層１２、上部クラッド層１６とを含む半導体層１８と、量子ドット活性層１４から出射されるレーザ光の出射端面３５を覆うように半導体層１８の端面２８に設けられた反射膜３２ａと、を具備し、反射膜３２ａは、動作電流を一定にした場合におけるレーザ光の光出力の温度依存を打ち消すように変化する反射率を有する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、クラックの発生を抑制できる構造の半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造２が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。ガイド層１５，１７はＩｎＧａＮからなり、クラッド層１４，１８は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｘ＋ｙ＜１）からなる。 （もっと読む）

【課題】リッジストライプ型窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法で、リッジ上面において誘電体に開口部を設ける際に、開口部のセンターをリッジのセンターが一致していなくとも、レーザの水平遠視野像の対称性が崩れることがないようにする。
【解決手段】リッジストライプ型窒化ガリウム系半導体レーザにおいて、リッジの上面の全体を覆う第一の上部電極層１３と、第一の上部電極層に覆われていない部分を覆う第一の誘電体層４３と、第一の上部電極層の全体を覆う中間電極層３３と、中間電極層よりも幅の狭い開口部８３を有し、中間電極層を覆ってその一部を開口部より露出させる第二の誘電体層５３と、第二の誘電体層の開口部よりも広い幅を有し、第二の誘電体層の開口部より露出した中間電極層を覆う第二の上部電極層２３を設ける製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】高出力時においても、十分な信頼性を得ることが可能な窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子は、基板１０上に形成された窒化物半導体層（半導体レーザ素子部５０）と、窒化物半導体層（半導体レーザ素子部５０）に形成された共振器端面１１０と、共振器端面１１０上に形成されたＡｒを含むコーティング膜２００とを備えている。このコーティング膜２００には、共振器端面１１０に接する領域からその近傍にかけて、Ａｒ含有量の低い低Ａｒ領域２１０が設けられており、この低Ａｒ領域２１０に対して共振器端面１１０とは反対側に、低Ａｒ領域２１０よりＡｒ含有量が高い高Ａｒ領域２２０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】周囲温度や注入電流の変化に対して発振波長変化の少ない光半導体装置を構成する。
【解決手段】この発明に係る光半導体装置は第1の端面に高反射率膜が配設された共振器を有し、利得が極大値となる第1の波長を有する半導体レーザと、この半導体レーザの共振器の第２の端面上に配設され、反射率が極小値となる第２の波長が第1の波長より長くかつ反射率が４％以下である低反射率膜とを備え、第1の波長近傍における波長変化に対するミラー損失の変化率が０．１３ｃｍ^−１／ｎｍ以上としたもので、周囲温度及び注入電流が変化した場合における半導体レーザ装置の発振波長の変化を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】リッジ構造を有する半導体レーザ素子において、リッジ部の付け根付近に生じる応力を低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型ＩｎＰ基板３と、ｎ型ＩｎＰ基板３上に設けられた活性層１２を含む下部半導体積層部４と、下部半導体積層部４上において所定方向に延びる所定領域上に設けられ、リッジ形状を有しておりｐ型クラッド層１８を含むリッジ部５と、リッジ部５の側面上から下部半導体積層部４上の所定領域を除く領域上にわたって設けられた絶縁性の保護膜２５とを備える。下部半導体積層部４は、引っ張り歪みを有し活性層１２とリッジ部５との間に設けられた伸張歪応力付加層１４を更に含み、ｎ型ＩｎＰ基板３に対して負の格子不整合度を有する。 （もっと読む）

【課題】波長依存性のあるフォトダイオードを用い、ＡＰＣ駆動するのに十分な仕様を有する半導体レーザ装置を提供することである。
【解決手段】半導体レーザ装置１０は、対向する共振器端面である出射面１００ａ及び反射面１００ｂを有する半導体レーザチップ１００と、反射面１００ｂ側から出射した光を検出するフォトダイオード４０とを備え、フォトダイオード４０は、その感度が波長が長くなるにつれて高くなる関係にある波長帯域で使用され、出射面１００ａに第１誘電体多層膜が、反射面１００ｂに第２誘電体多層膜がそれぞれ形成され、第１誘電体多層膜の反射率ピーク波長をλ_f、第２誘電体多層膜の反射率ピーク波長をλ_rとすると、λ_f＜λ_rである構成とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１０００は、活性層２５を有し、共振器端面２ａ及び２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａ及び２ｂ上に形成されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）又はハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌＯ）からなる酸化膜８２及び９２を有する端面コート膜８及び９とを備え、端面コート膜８及び９は、共振器端面２ａ及び２ｂと酸化膜８２及び酸化膜９２との間に、共振器端面２ａ及び２ｂに接触するように形成された窒化膜８１及び窒化膜９１をさらに有している。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。上記ｎ型ＧａＮ基板１０は、成長主面１０ａから厚み方向に掘り込まれた凹部２（掘り込み領域３）と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域４とを含んでいる。また、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成された窒化物半導体層２０は、凹部２（掘り込み領域３）に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域５と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域６とを有している。そして、上記発光部形成領域６にリッジ部２８が形成されている。 （もっと読む）