【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子を安定的に動作させることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体レーザ素子）は、活性層２５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された無機誘電体層３０と、無機誘電体層３０の共振器端面２ａとは反対側の表面上に形成されたフッ化高分子層３８とを備える。そして、無機誘電体層３０の厚みは、フッ化高分子層３８の厚みよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ−側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】より一層高い光出力を達成し得る、ＧａＮ系化合物半導体から成る半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器２００は、（ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、第３化合物半導体層、第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、（ｂ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極２６２、並びに、（ｃ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極を備え、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、光出射端面２０３におけるリッジストライプ構造の幅をＷ_out、光入射端面２０１におけるリッジストライプ構造の幅をＷ_inとしたとき、Ｗ_out＞Ｗ_inを満足し、半導体光増幅器の軸線ＡＸ₁に沿って光出射端面２０１から積層構造体の内側の領域には、キャリア非注入領域２０５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＨＲ膜端面の反射率を下げることなくＨＲ膜端面の放熱を向上させることや、リッジの放熱を向上させることにより、安定動作のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザ素子などの半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】誘電体多層膜から成るＨＲ膜１８を一方の端面に備えた半導体レーザ２３と、低屈折率調整膜１８ｃを一方の端面に備えた透明放熱ブロック１９とを有し、且つ、半導体レーザ２３に備えたＨＲ膜１８に透明放熱ブロック１９に備えた低屈折率調整膜１８ｃを接触させて成る高反射膜構造２４を有していることを特徴とする半導体レーザ素子２２の構成とする。また、半導体レーザと、側面電極とこの側面電極につながっている上面電極パッドとを備えた放熱ブロックとを有し、且つ、半導体レーザの表面電極に放熱ブロックの側面電極を接触させて成る放熱構造を有していることを特徴とする半導体レーザ素子の構成とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低く、コスト低減を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体からなる活性層１２と、活性層１２の上面上に形成されたｐ型クラッド層１４と、ｐ型クラッド層１４の一部に形成されたリッジ部１６と、ｐ型クラッド層１４上における少なくともリッジ部１６の外側の領域に形成された、光吸収作用を有する導電性膜１８とを備えている。そして、リッジ部１６のリッジ幅Ｗが、２μｍ以上６μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】共振器ミラーにおける平坦性を向上可能であると共にしきい値電流の低減を可能にする、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板生産物ＳＰのスクライブ溝６５ａの向きを支持装置７１のエッジ７１ｂの延在方向に合わせて、基板生産物ＳＰを支持装置７１に設置する。エッジ７１ｂに沿って延びる基準線（Ｘ座標Ａ１、Ｂ１）を境に基板生産物ＳＰは第１〜第３の領域７０ａ、７０ｂ、７０ｃに分けられる。基板生産物ＳＰの第１及び第２の領域７０ａ、７０ｂを支持面７１ａ、７１ｃで支持しながら第３の領域７０ｃへ押圧することにより基板生産物ＳＰの分離を行って、別の基板生産物ＳＰ１及びレーザバーＬＢ１を形成する。支持面７０ａ、７０ｃのエッジ７０ｂ、７０ｄとの間の中心線ＣＮＴから距離ＳＨＦＴだけ離した位置にブレード６９を基板生産物に押し当てる。 （もっと読む）

【課題】共振器ミラーにおける平坦性を向上可能であると共にしきい値電流の低減を可能にする、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板生産物ＳＰのスクライブ溝６５ａの向きを支持装置７１のエッジ７１ｂの延在方向に合わせて、基板生産物ＳＰを支持装置７１のエッジ７１ｂを基準にして位置決めする。エッジ７１ｂに沿って延びる基準線（Ｘ座標Ａ１）を境に基板生産物ＳＰは第１の領域７０ａ及び第２の領域７０ｂに分けられる。基板生産物ＳＰの第１の領域７０ａを支持面７０ａで支持しながら第２の領域７０ｂへ押圧することにより基板生産物ＳＰの分離を行って、別の基板生産物ＳＰ１及びレーザバーＬＢ１を形成する。エッジ７１ｂの延在方向にブレイキング装置６９のエッジ６９ａの向きを合わせて、第２の面６３ｂに交差する方向からブレイキング装置６９のエッジ６９ａを基板生産物ＳＰに押し当てる。 （もっと読む）

【課題】所望の出射ビーム形状が得られ、電流注入効率が悪くなることが抑制できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ側電極１１３と、ｎ側電極１１７と、誘電体上部ＢＤＲミラー１１６と、下部ＤＢＲミラー１０２と、活性層１０５を有する共振器１１０と、を備え、上部ＢＤＲミラー１１６と、ｐ側電極１１３と、共振器１１０と、下部ＤＢＲミラー１０２はこの順に配置され、誘電体上部ＢＤＲミラー１１６の上面にフレネルゾーンを形成する同心円状の溝１２１、１２２、１２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】演色性の高い半導体発光素子および発光装置を提供することを可能にする。
【解決手段】本実施形態による発光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｎ型ＧａＮ層と、前記ｎ型ＧａＮ層上に設けられ、障壁層と井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層と、前記発光層上に設けられたｐ型ＧａＮからなるコンタクト層と、を備え、前記障壁層および前記井戸層の平均屈折率が前記発光層の上下の層の平均屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と半導体光検出素子との間で電気的なクロストークが生じるのを抑制することの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子４０と、半導体光検出素子１０との間に、絶縁層２０および金属層３０が挿入されている。絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 （もっと読む）

【課題】膜剥がれなどを起こすことなく、膜数の多い（誘電体多層膜の層数が多い）高反射膜構造を実現することが可能なリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザ素子などの半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＤＦＢレーザ素子２２を、前端面にＡＲ膜１４を備え、後端面に低屈折率膜１８ａと高屈折率膜１８ｂのペア膜を例えば３ペア有する構造の誘電体多層膜から成るＨＲ膜１８Ａを備えたＤＦＢレーザ３０と、一方の端面に低屈折率膜１８ａと高屈折率膜１８ｂのペア膜を例えば２ペア有する構造の誘電体多層膜から成るＨＲ膜１８Ｂを備えた透明ブロックであるＩｎＰブロック１９とを有し、且つ、ＤＦＢレーザ３０に備えたＨＲ膜１８ＡにＩｎＰブロック１９に備えたＨＲ膜１８Ｂを接触させて成るＨＲ膜構造１８を有する構成とする。また、ＨＲ膜１８ＢとＩｎＰブロック１９の間に低屈折率調整膜１８ｃを備える。 （もっと読む）

【課題】単一横モードで、偏光方向が安定している、高出力面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板１１１上に下部ＤＢＲ層１１２と活性層１１４と上部ＤＢＲ層１１５を形成し、前記活性層及び前記上部ＤＢＲ層に形成したメサ１３０と、中央部分に開口部を有する上部電極１１８と、前記基板の裏面に形成された下部電極１１９とを有する面発光レーザにおいて、前記開口部内における光強度プロファイルのうち、基本横モード光のプロファイルの高い強度を示す領域である光出力中心部を含む第１の領域１５１と、前記開口部内における前記第１の領域以外の領域となる第２の領域１５２と、を有し、前記第１の領域は、前記光出力中心部と、前記光出力中心部から外側に突出する３つ以上の凸部１５１ｂを有し、前記第１の領域の反射率よりも前記第２の領域の反射率が高くなるように、前記第１の領域または前記第２の領域の少なくともいずれか一方に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高出力で安定した半導体レーザアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザアレイ１００は、レーザ光の出射方向と平行に長尺な凹状の段差部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃを主面に有する基板１０１と、積層構造体と、段差部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃと平行に形成された複数の光導波路１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃとを備え、複数の光導波路１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃのうちの少なくとも１の光導波路の幅方向の中心から段差部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃの幅方向の中心までの距離は、複数の光導波路１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃのうちの他の光導波路の幅方向の中心から段差部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃの幅方向の中心までの距離と異なる。 （もっと読む）

【課題】結露することがなく、信頼性の高い面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザ素子と、前記面発光レーザの光をモニタするための受光素子と、前記面発光レーザ素子及び前記受光素子を設置するための領域が設けられているパッケージと、透明な材料により形成された窓部を有し、前記面発光レーザ及び受光素子を覆うため、前記パッケージと接続するためのリッド接続部を有するリッドと、を有し、前記パッケージには、前記リッド接続部と接続されるパッケージ接続部が設けられており、前記面発光レーザから出射された光が前記窓部において反射し、前記面発光レーザに入射することなく前記受光素子に入射するように、前記リッドは前記パッケージに接続されており、前記リッドまたは、前記パッケージと前記リッドとの間には水分を透過する水分透過領域が設けられていることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ特性が改善された信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００は、導電性を有する窒化物半導体基板１０と、窒化物半導体基板１０上に形成されたｎ型半導体層２０ａと、ｎ型半導体層２０ａ上に形成された活性層２４と、活性層２４上に形成されたｐ型半導体層２０ｂと、ｐ型半導体層２０ｂの一部に形成されたリッジ部２９と、ｐ型半導体層２０ｂの一部にその厚み方向に掘り込まれることによって形成され、少なくともｎ型半導体層２０ａに達する深さを有する掘り込み部４０と、掘り込み部４０に形成された抵抗材料層５０と、ｐ型半導体層２０ｂ上に形成され、リッジ部２９と電気的に接続されたｐ側電極３２とを備えている。そして、上記ｐ側電極３２が、掘り込み部４０に形成された抵抗材料層５０を介して、ｎ型半導体層２０ａと電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、放熱性に優れる高出力の半導体レーザ装置を提供する
【解決手段】活性層と、活性層上のｐ型半導体層と、ｐ型半導体層を掘り込んで形成される一対の溝部と、ｐ型半導体層に形成され、一対の溝部に挟まれるリッジ形状のストライプと、溝部を埋め込む絶縁物の埋め込み層を備え、溝部の底面がストライプから離れるに従い浅くなることを特徴とする半導体レーザ装置 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の側面に配置される保護膜として最適な材料を確保して、配置することにより、密着性、放熱性、光出射効率及び／又はリップル低減等において良好な特性を与えることができる、より信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に積層される窒化物半導体層と、窒化物半導体層の上方に配置されたＳｉとＣとを含む第１保護膜１７と、第１保護膜１７と接して、窒化物半導体層と電気的に接続する電極１９とを有し、第１保護膜１７は、電極１９との界面に、電極１９を構成する少なくとも一部の元素と第１保護膜１７を構成する少なくとも一部の元素とが混在した混在層１８を有する窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】設計の自由度の高い光半導体素子のコーティング膜の設計方法を提供する。
【解決手段】この発明に係る光半導体のコーティング膜の設計方法は、等価屈折率ｎｃを有する半導体レーザ１２の一方の端面に、屈折率ｎ1、膜厚ａ0×ｄ1の被覆膜と屈折率ｎ2、膜厚ａ0×ｄ2の被覆膜との基底コーティング膜対２２の上に、屈折率ｎ1、膜厚ａ1×ｄ1の被覆膜と屈折率ｎ2、膜厚ａ1×ｄ2の被覆膜とを一対とした第１コーティング膜対２４を重ねて、半導体レーザのレーザ光の波長λ０に対して、振幅反射率の実部及び虚部をゼロとするとともにｎ1，ｎ2のいずれか一方のみがｎcとｎ0との積の平方根より小さく、かつ被覆膜層各層のそれぞれの屈折率と膜厚との積により規定される値の総和をλ0／４の整数倍以外の値で、かつλ0／４より大きくしたものである。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心軸を高精度に位置合わせでき、作製過程において、表面への損傷の軽減が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】積層された半導体層の上に表面レリーフ構造を備え、メサ構造に構成された面発光レーザの製造方法であって、半導体層の上に、第一の誘電体膜４１６と、メサ構造を画定するための第１のパターンと表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンとを有する第一のレジスト膜４１８と、を形成する第一の工程と、第一の工程の後に、第２のパターンを覆い、第１のパターンを露出するように、第二のレジスト膜４２６を形成する第二工程と、第二の工程の後に、第二のレジスト膜をマスクとして、第１のパターンにおける半導体層を除去し、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、を有し、第１のパターン４２０と第２のパターン４２２は同一工程により形成される。 （もっと読む）