【課題】 本願発明は、十分な光出力を確保しつつ、電子写真装置の光源として好適な面発光レーザおよび該面発光レーザを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】 上部ミラーの上部に第１の表面段差構造を有し、第１の領域における光路長と、第２の領域における光路長との差Ｌが、（１／４＋Ｎ）λ＜｜Ｌ｜＜（３／４＋Ｎ）λ（Ｎは整数）を満たす。 （もっと読む）

【課題】ワイヤレス接続により、薄型パッケージ化の容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に順次配置された第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８・表面電極層２０と、基板１０の裏面に配置された裏面電極層２２と、基板１０・第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８の第１劈開面４２ａに沿って形成され、第１劈開面４２ａおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第１絶縁層２４ａと、第１劈開面４２ａに対向する第２劈開面４２ｂに沿って形成され、第２劈開面４２ｂおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第２絶縁層２４ｂと、第１絶縁層２４ａ上および表面電極層２０上の一部に配置された第１電極層２６Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】内側金属電極層を酸化から保護することにより、素子の抵抗値の上昇を防止して、動作電流などの素子特性の悪化を防止する。
【解決手段】内側金属電極層１３５と空気が接触する端面を含む部分を誘電体膜１４０，１４１でカバーすることにより、大気と内側金属電極層１３５との接触を完全に遮断することができる。したがって、従来のように内側金属電極層１３５の空気接触による酸化を防ぐことができるため、内側金属電極層１３５の酸化による劣化の発生を抑制できて、信頼性に優れた半導体レーザ素子２００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】端面コート膜の剥離を抑制し、安定性の高い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子１００は、ｎ型ＧａＮからなる基板１の上面上に形成された窒化物系半導体からなる半導体素子層２を備え、レーザ光出射方向に対して直交する一対の共振器端面（出射側共振器面２ａ及び反射側共振器面２ｂ）が形成されている。出射側共振器面２ａ上には、ＡｌＮ層５１、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ層５２、Ａｌ_２Ｏ_３層５３、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ層５４及びＡｌ_２Ｏ_３層５５が順次形成されている。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザとハイメサリッジ型変調器との間の光の反射を抑える。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が設けられている。光の進行方向において埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が結合されている。埋め込み型半導体レーザ１２は、活性層１６を持つ導波路リッジ１８と、導波路リッジ１８の両サイドを埋め込む埋め込み層２０とを有する。ハイメサリッジ型変調器１４は、変調層２２を持つハイメサリッジ２４と、ハイメサリッジ２４の側面に接するシリコン窒化膜２６と、シリコン窒化膜２６上に設けられたシリコン酸化膜２８とを有する。シリコン窒化膜２６とシリコン酸化膜２８の合計膜厚は１μｍ以上である。これにより、ハイメサリッジ型変調器１４の等価屈折率は、埋め込み型半導体レーザ１２の等価屈折率の０．９９８倍から１．０倍になる。 （もっと読む）

【課題】出射端面の最表面に汚染物質が付着することを確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された端面コート膜８とを備え、端面コート膜８は、端面コート膜８の最表面３ａに配置されたＴｉＯ_２膜３７と、ＴｉＯ_２膜３７と共振器端面２ａとの間に配置されたＳｉＯ_２膜３５とを含む。そして、活性層１５が発するレーザ光の波長がλ、ＳｉＯ_２膜３５の屈折率がｎである場合に、ＳｉＯ_２膜３５の厚みは、ｍ×λ／（２×ｎ）（ただし、ｍは整数）により規定される厚みに設定されるとともに１μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】出射端面の最表面に汚染物質が付着することを確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された端面コート膜８とを備え、端面コート膜８は、共振器端面２ａにおける反射率を制御するＳｉＯ_２膜３３およびＡｌ_２Ｏ_３膜３４と、ＳｉＯ_２膜３３およびＡｌ_２Ｏ_３膜３４の合計厚みよりも大きい厚みを有するＳｉＯ_２膜３５とを含む。そして、活性層１５が発するレーザ光の波長がλ、ＳｉＯ_２膜３５の屈折率がｎである場合に、ＳｉＯ_２膜３５の厚みは、ｍ×λ／（２×ｎ）（ただし、ｍは整数）により規定される厚みに設定されるとともに１μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】端面保護膜により発生する応力が緩和され長期信頼性を確保することが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４をこの順に含む半導体層２０（レーザ構造部）を積層し、上部クラッド層２３の上部に帯状の突条部（リッジ）２０Ａを形成する。突条部２０Ａの上面，側面および裾部に上部電極３１を形成すると共に、基板１０の裏面に下部電極３２を形成する。前端面Ｓ１の突条部２０Ａの両側に２対の凹部２０Ｂ設けたのち、前端面Ｓ１の表面に保護膜４１を形成する。これにより前端面Ｓ１に形成する保護膜４１の接触面積が少なくなり、前端面Ｓ１に発生する応力が低減される。 （もっと読む）

【課題】電極パッドとＢＣＢ樹脂との接合強度を高めることができる半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、光を発生、吸収、若しくは導波する層を含む半導体光素子２上にＢＣＢ樹脂領域４を形成する樹脂層形成工程と、酸素原子を含むガスから生成された誘導結合プラズマＰ１によってＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａを処理することにより、ＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａに凹凸を形成するとともにＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａ上にシリコン酸化膜６を形成するプラズマ処理工程と、金属からなる電極パッドをＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａ上に形成する電極パッド形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−Ｌカーブの温度変換を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】伝搬定数同調コア２３は活性導波路コア２５に中間半導体層２１を介して光学的に結合される。導波路コア１７は例えば伝搬定数同調コア２３を含み、導波路コア１９は活性導波路コア２５を含む。伝搬定数同調コア２３に係るフォトルミネセンス波長は活性層２７に係るフォトルミネセンス波長より短い。活性導波路コア２５に係る分散特性は伝搬定数同調コア２３に係る分散特性と異なる。活性導波路コア２５における光伝搬に係る位相速度は、ある波長で、伝搬定数同調コア２３における光伝搬に係る位相速度に等しくなる。活性導波路コア２５及び伝搬定数同調コア２３における位相速度に等しくなる波長でレーザ発振が生じる。導波路コア１７、１９の端面はそれぞれ基準面Ｒ１、Ｒ２に沿って延在し、第１の基準面Ｒ１は第２の基準面Ｒ２に対して傾斜する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡略な多層端面コート膜を利用することによって多波長レーザ装置のＣＯＤレベルの低下を抑制し、信頼性の高い多波長半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】同一の半導体基板上に第１と第２のレーザ発振部を含むモノリシック型の多波長半導体レーザ装置において、第１と第２のレーザ発振部がそれぞれ発振波長λ１とλ２（λ１＜λ２）を有し、このレーザ装置の光出射端面上には順次積層された第１、第２および第３の誘電体層を含む端面コート膜が形成されており、第１誘電体層は５〜１０ｎｍの範囲内の厚さｄ１と屈折率ｎ１を有し、第２誘電体層は厚さｄ２と屈折率ｎ２を有し、第３誘電体層は厚さｄ３と屈折率ｎ３を有し、そして端面コート膜は波長λ１の光に対して６〜１０％の範囲内の反射率を有しかつ波長λ２の光に対して４〜６％の範囲内の反射率を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体成長膜と支持体との間に高い絶縁性及び熱伝導性を有する絶縁膜を形成することによって半導体発光装置の耐電圧性及び放熱性の向上を図ることができる半導体発光装置の製造方法及びこれによって製造される半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】成長用基板上に半導体成長膜を形成する工程と、半導体成長膜上に金属膜を形成する工程と、金属膜上に少なくとも互いに隣接する第１絶縁層及び第２絶縁層を有する多層絶縁膜を形成する工程と、多層絶縁膜上に支持体を形成する工程と、を有し、第１絶縁層及び第２絶縁層のそれぞれに内在するピンホールは、第１絶縁層と第２絶縁層との界面において不連続であること。 （もっと読む）

【課題】共振器の端面の酸化を防ぐとともに、高い信頼性を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子は、端面コート膜１１６と共振器の端面１１３の間に、窒化アルミニウムからなる分離層１１５を含む。分離層１１５は、端面コート膜１１６側で、酸窒化アルミニウムを含む。端面コート膜１１６は酸化物である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メサ構造の端面に形成した誘電体膜が活性層の近傍で剥がれることを抑制できる光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る光素子は、基板上に形成されたメサ構造であってその内部に活性層を含むものと、該メサ構造の端面に重なるように形成された誘電体膜と、を備えるものである。そして、該メサ構造の端面は、３箇所以上の角部を有するように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高温かつ高出力の駆動においても十分な信頼性を得ることができる窒化物半導体発光素子およびその窒化物半導体発光素子を製造するための窒化物半導体発光素子の製造方法、ならびに信頼性を向上することができる窒化物半導体トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】 光出射部にコート膜が形成されており、コート膜はアルミニウムの窒化物結晶またはアルミニウムの酸窒化物結晶を含む窒化物半導体発光素子と、その窒化物半導体発光素子の製造方法である。また、窒化物半導体層と窒化物半導体層に接するゲート絶縁膜とを含み、ゲート絶縁膜がアルミニウムの窒化物結晶またはアルミニウムの酸窒化物結晶を含む窒化物半導体トランジスタ素子である。 （もっと読む）

【課題】
本発明では、共振器面の劣化を抑制し、素子の寿命特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層と、前記共振器面に略垂直な窒化物半導体層の上面に、共振器面側の端部が共振器面から離間して設けられた絶縁膜とを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記共振器面から窒化物半導体層の上面及び絶縁膜の表面にかけて形成された第１膜を有し、該第１膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で、前記絶縁膜と異なる材料で形成され、窒化物半導体層と接触する第１領域と絶縁膜と接触する第２領域とを有する窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤに対する大きな耐性を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第１の端面（Ｃ＋側）２６上の第１の誘電体多層膜４３ａの厚さが、第２の端面（Ｃ−側）２８上の第２の誘電体多層膜４３ｂの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層されている。そして、下部半導体ＤＢＲが含まれるベース部の外形は、基板の表面に直交する方向からみたとき、角部が無くマクロ的に滑らかな形状であり、下部半導体ＤＢＲのエッチング面は、不動態化膜１１５と保護層１１１とによって被覆されている。この場合は、不動態化膜１１５にクラックが入るのを抑制でき、従来よりも信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ−側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤに対する大きな耐性を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第１の端面（Ｃ＋側）２６上の第１の誘電体多層膜４３ａの厚さが、第２の端面（Ｃ−側）２８上の第２の誘電体多層膜４３ｂの厚さより薄い。 （もっと読む）