【課題】主射出端面側において各発振波長に対する反射率を所定の範囲に容易に設定可能な多波長半導体レーザを提供する。
【解決手段】発振波長の異なる第１発光部１１および第２発光部１２と、第１発光部１１および第２発光部１２の各主射出端面に共通に形成された低反射膜１４とを有する。低反射膜１４は、第１発光部１１および第２発光部１２の側から順に、第１誘電体膜１４Ａ（屈折率ｎ１）、第２誘電体膜１４Ｂ（屈折率ｎ２）および第３誘電体膜１４Ｃ（屈折率ｎ３）を含み、屈折率ｎ１〜ｎ３は、ｎ３＜ｎ１＜ｎ２の関係を満たしている。第１誘電体膜１４Ａ、第２誘電体膜１４Ｂおよび第３誘電体膜１４Ｃの各光学膜厚の変化に対する各発振波長における反射率の変化が緩やかになる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓコンタクト層の厚さが２０ｎｍ程度以下である７８０ｎｍ帯又は７８０ｎｍ帯以下に発光波長を有する面発光レーザにおいて、ＧａＡｓコンタクト層がダメージを受けることによるコンタクト抵抗の増大や黒色化現象を回避し、低抵抗で安定した特性が得られる面発光レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１上に、下部半導体多層膜反射鏡３、下部スペーサ層４、活性層５、上部スペーサ層６、上部半導体多層膜反射鏡８、コンタクト層９を順に積層した積層膜を形成する積層膜形成工程と、コンタクト層９上に化合物半導体を含む第１の保護膜１０を形成する第１の保護膜形成工程と、積層膜の形状を加工する形状加工工程と、形状加工工程の後、第１の保護膜１０をエッチングしてコンタクト層９を露出させる第１の保護膜エッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】動作電圧を低減し、電極の剥がれを防止することができる半導体発光素子とそれを容易に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板１０（半導体基板）上に半導体層１２が設けられている。半導体層１２は活性層２６を有し、導波路リッジ４０が形成されている。ｐ側電極４４（電極）は導波路リッジ４０の頂部の全面に接触している。ＳｉＯ_２膜４６（絶縁膜）は、導波路リッジ４０の側面、ｐ側電極４４の側面、及び、ｐ側電極４４の上面の両端部分を覆い、ｐ側電極４４の上面の中央部分を覆わない。これにより、動作電圧を低減し、電極の剥がれを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減するとともに特性の優れた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った半導体素子の製造方法は、以下の工程：ＧａＮ系半導体層形成工程（Ｓ１０）、電極層形成工程（Ｓ１００）、ＧａＮ系半導体層上にＡｌ膜を形成する工程（Ｓ２０）、エッチング速度が、Ａｌ膜を構成する材料より小さい材料からなるマスク層を形成する工程（Ｓ３０、Ｓ４０）、マスク層をマスクとして用いて、リッジ部を形成する工程（Ｓ５０）、Ａｌ膜の端面の側壁の位置をマスク層の側壁の位置より後退させる工程（Ｓ６０）、エッチング速度が、Ａｌ膜を構成する材料より小さい材料からなる保護膜を、リッジ部の側面およびマスク層の上部表面上に形成する工程（Ｓ７０）、Ａｌ膜を除去することにより、マスク層および当該マスク層の上部表面上に形成された保護膜の部分を除去する工程（Ｓ８０）、を備える。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを改善し、安定した品質のレーザ素子を効率的に製造することができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に、積層半導体を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、前記基板上に積層半導体を形成する工程と、前記積層半導体の表面におけるレーザ素子形成領域の共振器方向に、該共振器の端面側から第１領域と、該第１領域よりも深さが深い第２領域と、前記第１領域よりも深さが浅い第３領域と、を順に有する補助溝を形成する工程と、前記補助溝を利用して基板及び積層半導体を分割する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の偏光と広がり角の双方の特性を両立させながら、両者を個別に制御することができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ半導体基板と、ｎ型下部ＤＢＲと、活性領域と、ｐ型の電流狭窄層と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８と、ｐ側電極１１２と、基板裏面のｎ側電極とを備えている。電流狭窄層の酸化アパーチャ１０６ｂは、長軸と短軸とを有する楕円形状を有している。ｐ側電極に形成された開口部１１２は、酸化アパーチャの方位と同じ方向に長軸と短軸を有する楕円形状であり、開口部１１２の長軸方向の端面形状１１２ａはテーパ形状に加工されている。 （もっと読む）

【課題】発光装置および受光装置をモノリシックに集積することができる受発光装置を提供する。
【解決手段】半導体層１０３は分離溝３００によって発光領域１００と受光領域２００とに分離され、活性層１０６のうちの少なくとも一部は利得領域１４０を構成し、利得領域は第１側面１０５に設けられた第１端面から第１側面に設けられた第２端面まで連続しており、第１端面から第２端面までの間に利得領域に生じる光を反射させる反射面を有し、反射面にはミラー部１７０が設けられ、第１端面から延びる第１部分１４２および第２端面から延びる第２部分１４４は第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、第１部分に生じる光の一部は反射面において反射して第２端面から出射され、第２部分に生じる光の一部は反射面において反射して第１端面から出射され、利得領域に生じる光の一部はミラー部を透過し、受光領域の半導体層１０３は透過した光を受光する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と半導体光検出素子との間で電気的なクロストークが生じるのを抑制することの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子４０と、半導体光検出素子１０との間に、絶縁層２０および金属層３０が挿入されている。絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 （もっと読む）

【課題】出力端での反射率を低減し、かつ、高速応答を可能にする。
【解決手段】導波路領域２１と窓領域２６とが設定された半導体基板と、導波路領域の半導体基板上に曲がり導波路として形成された光導波路３０と、窓領域の半導体基板上に形成された窓構造とを備えて構成される。曲がり導波路として光導波路を形成し、かつ、窓構造を設けることにより、反射率を低減すると共に、光導波路を、逆メサのリッジ導波路構造として構成することで、高速応答を可能にする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の反射率が低くなるのを抑制することが可能な多波長半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この２波長半導体レーザ装置１（多波長半導体レーザ装置）では、反射面１ｃ上に形成された高反射膜６は、一対の低屈折率層６ａおよび高屈折率層６ｂと、複数対の低屈折率層６ｃおよび高屈折率層６ｂと含む。複数の低屈折率層６ｃのうちの最外層の低屈折率層６ｄは、λ／２ｎ_L2の厚みを有する。 （もっと読む）

【課題】スペックル低減のために、他の外部部品を用いることなく発振波長幅を拡大させ、小型・低コストで高性能なディスプレイ用の光源として有効な半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザは、活性層を含む共振器構造と、前記共振器構造の端面に形成され、発振波長幅を拡大する反射膜と、を備え、前記反射膜の反射率スペクトルが、前記活性層の利得ピーク波長の近傍において極小値を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】クラッド層にリッジストライプ１１を有するセルフパルセーション半導体レーザにおいて、リッジストライプ１１のうちの共振器長方向の中央部の両側面の近傍の部分にイオン注入などにより高抵抗領域１４を形成する。高抵抗領域１４は電流狭窄領域として働き、この高抵抗領域１４が形成された部分のリッジストライプ１１ではこの高抵抗領域１４の間の部分が電流注入領域となる。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子１００では、窒化物系半導体からなる半導体
素子層２の光反射側端面２ｂ上に、光反射側端面２ｂ側から順に形成された第２変質防止
層６１、界面層６２、第２反射率制御層６３からなる第２端面コート膜６が形成されてお
り、第２変質防止層６１を構成する第１層６１ａ〜第４層６１ｄの膜厚は、それぞれ、第
２反射率制御層６３を構成する低屈折率層６３ａの膜厚より小さいとともに高屈折率層６
３ｂの膜厚より小さい。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】クラッド層にリッジストライプ１１を有する半導体レーザにおいて、リッジストライプ１１の両側面およびリッジストライプ１１の両側の底面に延在して電流狭窄用絶縁膜１４を設ける。電流狭窄用絶縁膜１４のうちの両共振器端面の近傍の部分以外の部分に、リッジストライプ１１の部分のレーザ構造の等価屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率絶縁体を含ませる。例えば、リッジストライプ１１の両側の底面に高屈折率絶縁膜１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】ビーム並行度が良好で集光性の高いレーザビームが一体化された発光素子を提供する。
【解決手段】凸面からレーザ光を出射させ、レーザ光の光軸が通過する第1レンズ１１４を備えた水平共振器面発光構造を備えたレーザ素子と、前記第1レンズ１１４を通過したレーザ光が通過する第２レンズ１１９とを備え、前記第２レンズ１１９を設けた面に対向する面と該第１のレンズ１１４を設けた面がレーザ光に対し透明な第１接着部材１２０により接着されていることを特徴とする光モジュール。 （もっと読む）

【課題】チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる発光素子、チップ及び発光素子の製造方法を提供する
【解決手段】レーザチップ１の光出射表面Ｐに、出射される光の一部を吸収する光吸収膜５を形成する、また、レーザチップ１に電流を通じたときに、光吸収膜５を介して短絡されないような構成とする。例えば、上面Ｕ及び下面Ｄに対して不連続となる光吸収膜５ａ、５ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子の製造方法は、劈開面２１ａ上に端面コート膜２４および２５を形成する工程に先立って、ｎ側電極１０の劈開面２１ａ側に位置する部分にレーザ光を照射することでｎ側電極１０の劈開面２１ａ側に位置する部分を加工することにより、ｎ側電極１０の劈開面２１ａ側がｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に向かって突出された状態にする工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】光学損傷（ＣＯＤ）の発生を抑制する半導体レーザ及びその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、光出射端面である第１端面８と、第１端面８とは反対側の第２端面９とを有する半導体レーザ装置であり、第１端面８と第２端面９のうち、少なくとも一方の端面に、窒化膜１０と、酸素及び窒素を含有しない、半導体又は絶縁体からなる分離膜１１と、低反射膜１２（高反射膜１３）と、が端面側から順に形成されている。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を保護する台座領域を有する場合においても、リップルが低減され、遠視野像の形状がガウシアン形状に近い窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０の上に順次積層されたｎ型クラッド層１３Ｂ、活性層１４及びｐ型クラッド層１５Ｂを含む半導体層積層体２０を備えている。半導体層積層体２０は、リッジ部２０ａと、溝部２０ｃによりリッジ部２０ａと分離された台座部２０ｂとを有する。リッジ部２０ａの側壁及び溝部２０ｃの底面におけるリッジ部２０ａ側の領域は、誘電体層１６に覆われている。溝部２０ｃの底面と台座部２０ｂの側壁とに跨って、誘電体層１６と比べて発光波長における消衰係数が大きい材料からなる光吸収膜３２が形成されている。台座部２０ｂの上面の高さは、リッジ部２０ｂの上面の高さ以上である。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤレベルの向上及び窒化物半導体発光装置の高出力動作時の長期信頼性を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体発光装置は、発光層を含む複数の窒化物半導体層からなり、互いに対向する共振器端面を有する積層構造体４０と、共振器端面３０の少なくとも一方に形成された誘電体からなる複数の保護膜とを備えている。複数の保護膜のうち共振器端面３０と接する第１の保護膜３１は、酸素を含まない材料からなり、第１の保護膜３１における共振器端面３０と反対側の面上に形成された第２の保護膜３２は、第１の保護膜３１よりも結晶化温度が低いアルミニウムを含む材料からなり、第２の保護膜における第１の保護膜と反対側の面上に形成され、表面が露出する第３の保護膜３３は、第２の保護膜よりも結晶化温度が高い材料からなる。 （もっと読む）