【課題】高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 射出領域内に、屈折率１．４５のＳｉＯ_２からなる誘電体層の上に、屈折率１．８７のＳｉＮからなる誘電体層がそれぞれλ／４の光学的厚さで積層され、反射率を高くする高反射率領域１１６を有し、該高反射率領域１１６は、射出領域の中心部を含んで設けられ、射出領域に平行な面内の互いに直交する２方向において、形状異方性を有している。また、射出領域内には、ＳｉＮからなる誘電体層がλ／４の光学的厚さで、高反射率領域１１６を取り囲むように形成され、反射率を低くする低反射率領域１１５を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体層の側面からの出射光を効率的に利用することができる、例えばＬＥＤの輝度向上を実現しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、支持基板１８の上方に半導体層１１が形成され、半導体層１１の側面に絶縁層１４が形成され、半導体層１１の側方に絶縁層１４を介して保護層１７が形成されてなる。保護層１７は、（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［式中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、及びその縮合物から選択される一つ以上の化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

【課題】 赤色半導体レーザにおいて出力向上，特性の安定化を図る。
【解決手段】 共振器の少なくとも一端にコーティング膜が設けられ、前記コーティング膜は、前記共振器端面に形成される第１層と、該第１層上に形成される第２層とを有する半導体レーザ素子の製造方法において、前記第１層の光学厚さｄ１と前記第２層の光学厚さｄ２の和がレーザ光の波長の０．４５倍から０．５５倍の厚さであり、前記第１層と前記第２層の光学膜厚比ｄ１／ｄ２は、０．５４≦ｄ１／ｄ２≦０．９５、または１．０５≦ｄ１／ｄ２≦１．８６の関係となる設計値で、前記第１層と前記第２層とを成膜する。 （もっと読む）

【課題】高い出力で単一横モード動作をさせつつ、素子抵抗を小さくすることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。そして、射出面上に射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内に、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に透明な誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、ｐ側電極１１３におけるコンタクト層１０９に接触する部分の外側の外形は角を含む形状である。この場合、メサを大きくすることなく、ｐ側電極１１３とコンタクト層１０９との接触面積を従来よりも大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。そして、レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内に、周辺部の反射率を中心部の反射率よりも低くする誘電体膜が設けられている。そして、誘電体膜の端部近傍は、射出面に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】高出力、長寿命及び低動作電圧を可能とする半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１上に第一半導体層２、活性層４、第二半導体層６及びコンタクト層７が順次積層されている。第二半導体層６及びコンタクト層７には、共振器端面間に延在するストライプ状のリッジ部６ａが設けられている。リッジ部６ａと接するように、誘電体膜８よりなる電流狭窄層８ａが形成されている。誘電体膜８は、リッジ部６ａの上面に電流を注入するための開口部を有し、当該開口部に露出したコンタクト層７に接するように第一電極９が形成され、第一電極９上に第二電極１０が形成されている。共振器端面近傍のリッジ部６ａの上面において、コンタクト層７と誘電体膜８とが接する電流非注入領域が設けられ、第一電極９及び第二電極１０は、前記電流非注入領域における前記開口部の側壁面を除く誘電体膜８の上面領域から離間して設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光ストライプ領域の幅が広くて大出力であるにも拘らず、横モードが安定して、かつ、遠視野像の光強度が、主ピークのみが強くてサイドローブが極めて小さい半導体レーザ装置と、それを用いた光無線通信システムを提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置４１は、発光ストライプ領域４８が生成すべき、あるいは生成した光電界の振幅および位相の分布を補正するｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９を備える。このｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９は、発光ストライプ領域４８の層厚方向片側に位置する層に、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部に対応するように形成されて、この層の屈折率よりも屈折率が小さい領域である。ｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９によって、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部の屈折率が、上記発光ストライプ領域４８の幅方向中央部の屈折率よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制するとともに、光量変動の少ない光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 レーザチップ１００は、面発光レーザアレイであり、各発光部は、基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、コンタクト層１０９が積層されている。そして、レーザ光の射出領域内に、該射出領域の中心部を挟むように設けられ、反射率を中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜（１１５Ａ、１１５Ｂ）を有し、Ｚ軸方向からみたときに、誘電体膜によって挟まれる領域の内側に、電流通過領域１０８ｂが位置するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子に、高出力動作持においても光吸収が少なく且つ光学破壊を起こさない端面保護膜を形成できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、互いに平行な共振器面を有する窒化物半導体層を備えている。窒化物半導体層における光出射面の共振器面は、２層以上の誘電体膜が積層した保護膜によって被覆されている。共振器面と接する第一の保護膜１１３は、希土類元素を含むアルミ窒化物の結晶性薄膜であり、第二の保護膜１１４は、アルミ酸化物のアモルファス薄膜またはアルミ酸窒化物のアモルファス薄膜であり、第一の保護膜１１３の希土類元素の原子濃度は１重量％以上である。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝の壁面からの酸化がされにくい信頼性の高い面発光レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される下部反射鏡と、半導体膜からなる活性層と、半導体膜からなる電流狭窄層と、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることにより、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜を前記半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程と、前記素子分離溝の壁面に、絶縁体からなる絶縁体保護膜を形成する絶縁体保護膜形成工程と、前記絶縁体保護膜上に金属材料からなる金属保護膜を形成する金属膜形成工程と、を有することを特徴とする面発光型レーザーの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の露出エリアを絶縁膜の開口に対して良好な位置制御性で形成できる、III族窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】コンタクト層２７及びクラッド層２５を含むIII族窒化物半導体領域２９をマスク３５ａを用いてエッチングして、III族窒化物領域３３ｃ及びエピタキシャル領域２９ｂを形成する。次いで、マスク３５ａ、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａ及びパターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に絶縁膜３９を成長する。絶縁膜３９は、マスク３５ａ上に成膜される第１の部分３９ａと、パターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に成膜される第２の部分３９ｂとを含む。引き続き、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａを絶縁膜３９に対してエッチャントを用いて選択的に除去して、リフトオフ法により、開口３９ｃを有する絶縁膜３９ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】グレーティングカプラへのレーザ光の結合効率が向上すると共に実装精度も向上させることが可能な面発光レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層２０上に光透過性の厚い絶縁膜２８を形成し、この絶縁膜２８から半導体層２０中のｎ型ＤＢＲ層２１に達する円環形状の溝２８Ａを形成する。マスク（レジスト層３４を絶縁膜２８上に形成すると共に溝２８Ａにも充填させ、このレジスト層３４の溝２８Ａの近傍位置に開口３４Ａを設ける。この開口３４Ａからエッチング液を導入し絶縁膜２８を加工することによって、傾斜した光出射面３Ａを有するプリズム３を形成する。これにより素子本体２の光出射面２０Ａに対して垂直な方向よりも傾いたレーザ光を出射する面発光レーザ素子１が得られる。 （もっと読む）

ファセットミラーを伴うキャビティを採用する半極性｛２０−２１｝ＩＩＩ族窒化物系レーザダイオード。エッチングされたファセットミラーは、レーザダイオードのキャビティまたはストライプの配向および寸法を任意に制御する能力を提供し、それによって、レーザダイオードの電気および光学特性の制御を可能にする。一実施形態において、レーザダイオードは、半極性｛２０−２１｝ＩＩＩ族窒化物系レーザダイオードである。一実施形態において、半極性｛２０−２１｝ＩＩＩ族窒化物系レーザダイオード構造は、緑色光である波長においてピーク強度を有する光を放出する。
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【課題】複数の波長の光を出射する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】六方晶系窒化物半導体からなる基板５と、基板５の主面に含まれる第１の領域上に設けられた半導体部２ｂと、基板５の主面に含まれており第１の領域に隣接する第２の領域上に設けられた半導体部４ｂとを備え、半導体部２ｂは、ＩｎＧａＮからなる井戸層を含む発光層を有し、半導体部４ｂは、ＩｎＧａＮからなる井戸層を含んでおり半導体部２ｂの発光層の発光波長と異なる発光波長の発光層を有し、基板５のうち第１の領域上の第１の部分のｃ軸方向と基板５の主面の法線方向との成す第１の角度と、基板５のうち第２の領域上の第２の部分のｃ軸方向とこの法線方向との成す第２の角度とは異なっている。 （もっと読む）

【課題】発光効率および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。上記ｎ型ＧａＮ基板１０には、成長主面１０ａから厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域３が形成されている。また、上記窒化物半導体層２０は、障壁層２３ｂを有する活性層２３を含んでいる。そして、活性層２３の障壁層２３ｂが、ＡｌとＩｎとを含む窒化物半導体から構成されている。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜したＩＩＩ族窒化物結晶基板１。 （もっと読む）

【課題】半導体層と接触する電流ブロック層が半導体層から剥離するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この第１半導体レーザ素子１０は、半導体層３と、半導体層３の表面上に形成され、半導体層３に電流通路部３ａを形成する絶縁層（ＳｉＯ_２など）からなる電流ブロック層５と、半導体層３と電流ブロック層５との間に形成され、電流ブロック層５と半導体層３との密着性と比較して、半導体層３および電流ブロック層５のそれぞれに対する密着性が高い密着層３０とを備える。そして、少なくとも密着層３０が形成された領域に対応する電流ブロック層５（領域５ｂ）の表面上に、配線用電極８を介して第２半導体レーザ素子２０や、パッド電極６を介して金属線３５などが接合される。 （もっと読む）

【課題】動作中の端面劣化による経時的なＣＯＤ光出力の低下に伴なう電流の上昇を抑制して、長時間の高出力レーザ動作に耐えうる端面保護膜を得られるようにする。
【解決手段】発光層を含む複数の窒化物半導体層からなり、互いに対向する共振器端面３０を有する積層構造体４０と、共振器端面のうちの光出射端面に形成され、ＡｌＮからなる第１の保護膜３１と、その上に形成され、屈折率がｎ１であるＡｌ_２Ｏ_３からなる第２の保護膜３２とを有している。第２の保護膜は、少なくとも共振器端面における光出射領域と対向する領域においてその表面が結晶化しており、第２の保護膜の厚さ(t)は、λ／２ｎ１＜ｔ＜３λ／４ｎ１（但し、λは出射光の波長）を満たし、共振器端面における光出射領域の第２の反射率Ｒ（ｎ２）（但し、ｎ２は結晶化したＡｌ_２Ｏ_３の屈折率である。）は、共振器端面における光出射領域を囲む領域の第１の反射率Ｒ（ｎ１）よりも低い。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がａ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ａ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ａ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

１つ以上の選択された波長の発光を行うために構成された活性領域を有する低電圧レーザ素子。 （もっと読む）