【課題】ＩｎＧａＮコンタクト層のインジウム組成を高くすることなくコンタクト層と電極との間の接触抵抗を下げることができる窒化物系半導体レーザ素子の作製方法を提供する。
【解決手段】エッチングによりストライプ状の溝を形成したＧａＮ基板２上にＡｌＧａＮから成る層２ｄを形成し、最上位層にＩｎＧａＮから成るコンタクト層８を形成することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の作製方法。 （もっと読む）

【課題】酸化距離のばらつきが小さい酸化装置を提供する。
【解決手段】水蒸気を発生させる水蒸気発生装置と、該水蒸気発生装置で発生した水蒸気を酸化温度近くまで加熱する水蒸気加熱装置５０３０と、該水蒸気加熱装置５０３０で加熱された水蒸気が供給され、該水蒸気の温度を維持するヒータを有する酸化反応器５０４０と、開閉可能な隔壁５０６０を介して酸化反応器５０４０と連結された準備室５０５０と、酸化対象物を加熱するヒータを有し、酸化対象物が載置されるテーブル装置と、該テーブル装置を駆動し、酸化開始時に酸化対象物を準備室５０５０から酸化反応器５０４０に移動させ、酸化終了後に酸化対象物を酸化反応器５０４０から準備室５０５０に移動させる駆動装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】広い波長帯域にわたって低反射率を有する反射膜を備えた半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子は、活性層と、前記活性層を挟む２枚のクラッド層とからなる導波層を含む積層構造体と、前記積層構造体の一対の相対する端面部のうち少なくとも一方の端面部に形成された多層反射膜とを備え、前記多層反射膜は、それぞれの膜の屈折率ｎ_ｉと膜厚ｄ_ｉとの積ｎ_ｉｄ_ｉの総和Σｎ_ｉｄ_ｉが、前記導波層を導波する光の波長λについて、Σｎ_ｉｄ_ｉ＞λ／４の関係を満足すると共に、前記多層反射膜は、反射率が前記波長λの場合の反射率Ｒ（λ）を基準として−１．５％から＋１．０％の範囲内となる前記波長λを含む連続する波長帯域幅Δλを、前記波長λで割った値Δλ／λが０．０６６以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体層の加工に起因する半導体層の結晶性の悪化を抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、リッジ１０ａを含む半導体層１０と、半導体層１０のリッジ１０ａを除いた領域に形成される電流ブロック層２０および３０と、電流ブロック層２０および３０上に形成されるとともに、リッジ１０ａに電気的に接続されるｐ側電極４０とを備え、電流ブロック層２０の上面２０ｃのリッジ１０ａ側の端部と電流ブロック層２０の外側の端部とによって構成される領域ａ内に複数の凹部２０ｄが、電流ブロック層３０の上面３０ｃのリッジ１０ａ側の端部と電流ブロック層３０の外側の端部とによって構成される領域ｂ内に複数の凹部３０ｄがそれぞれ形成されているとともに、電流ブロック層２０の下面２０ｂおよび電流ブロック層３０の下面３０ｂは、それぞれ略平坦な面になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プロセスの煩雑化や歩留まりの低下を抑え、且つ十分な密着強度を備えた電極剥がれを抑制する窒化物半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体装置は、表面にリッジ２を有する第１導電型の半導体層１と、半導体層１上に積層され、少なくともリッジ２の両脇の掘り込み部底面を被覆する絶縁膜３と、リッジ２の上面及び絶縁膜３の表面に連続的に形成された電極５と、を備え、絶縁膜は、粗面化処理によって凹凸部が形成された粗面化表面４を有する。又、本発明の窒化物半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体層１の表面にリッジ２を形成する工程と、（ｂ）少なくともリッジ２の両脇の掘り込み部底面に絶縁膜３を被覆する工程と、（ｃ）絶縁膜３表面に、粗面化表面４を形成する工程と、（ｄ）リッジ２の上面及び絶縁膜３の表面に連続的に電極５を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】誘電膜間の密着性のさらなる向上が可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子１００は、活性層２５を有する半導体素子層２０と、半導体素子層２０の活性層２５を含む領域の端部に形成された光出射面１および光反射面２からなる共振器端面と、光出射面１の表面上に形成されたＡｌＮ膜４１と、ＡｌＮ膜４１の光出射面１とは反対側の表面上に形成されたＡｌＯ_ＸＮ_Ｙ（０≦Ｘ＜１．５、０＜Ｙ≦１）膜４２とを備える。そして、ＡｌＮ膜４１とＡｌＯ_ＸＮ_Ｙ膜４２との界面３は、凹凸形状を有する。 （もっと読む）

【課題】広い波長帯域にわたって低反射率を有する反射膜を備えた半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子は、活性層と、前記活性層を挟む２枚のクラッド層とからなる導波層を含む積層構造体と、前記積層構造体の一対の相対する端面部のうち少なくとも一方の端面部に形成された多層反射膜とを備え、前記多層反射膜は、それぞれの膜の屈折率ｎ_ｉと膜厚ｄ_ｉとの積ｎ_ｉｄ_ｉの総和Σｎ_ｉｄ_ｉが、前記導波層を導波する光の波長λについて、Σｎ_ｉｄ_ｉ＞λ／４の関係を満足すると共に、前記多層反射膜は、反射率が前記波長λの場合の反射率Ｒ（λ）を基準として−１％から＋２．０％の範囲内となる前記波長λを含む連続する波長帯域幅Δλを、前記波長λで割った値Δλ／λが０．０６２以上である。 （もっと読む）

【課題】膜厚の高精度な制御が容易であり、かつ、保護膜と共振器端面との剥離を抑制する半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子３０は、半導体基板１、半導体基板１上に順次設けられた半導体層２〜９，１２，１３及び第１電極１５、並びに半導体基板１における第１電極１５とは反対側に設けられた第２電極１６を備えると共に、これら１〜９，１２，１３，１５，１６の各一端面を有して構成された第１共振器端面Ａ１、及びこれに対向する第２共振器端面Ｂ１を備えた共振構造体２０を備えている。第１共振器端面Ａ１並びに第１電極１５及び前記第２電極１６における第１共振器端面Ａ１近傍の領域に亘って第１保護膜２４が形成されており、第２共振器端面Ｂ１並びに第１電極１５及び前記第２電極１６における第２共振器端面Ｂ１近傍の領域に亘って第２保護膜２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をマウント部材に実装する構造での歩留まりが下がる問題を解決できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、サブマウント２と、サブマウント２の表面に半田４で実装され、窒化物半導体が側面から露出する窒化物半導体レーザ素子１と備えている。半田４は、サブマウント２と窒化物半導体レーザ素子１と間に位置し、窒化物半導体レーザ素子１の横幅Ｗ４よりも狭い幅Ｗ３を有する。 （もっと読む）

【課題】リッジ部の形成時に生じるマイクロトレンチを安定して抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、ｎ型ＧａＮ基板１上に窒化物系半導体各層２〜１０を積層した後、ＩＣＰエッチング装置を用いたドライエッチングにより、凸状のリッジ部１１を形成する。この際、エッチングガスとして、塩素ガス、アルゴンガスおよび窒素ガスからなる混合ガスを使用する。この混合ガスは、総エッチングガス流量に対して、塩素ガスの流量比を６０％以上８０％以下とし、アルゴンガスの流量比を５％以上２０％以下とし、窒素ガスの流量比を５％以上２０％以下とする。また、リッジ部１１の形成時にｎ型ＧａＮ基板１（被エッチング試料２００）にかかる自己バイアス電圧が５００Ｖ以上となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】 電極の剥離が抑制され、安定した動作が可能な窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型半導体層１１のリッジ部１２の側面に形成される絶縁膜１３の表面に密着層２１を形成し、密着層２１を介してリッジ部１２をｐ型電極１４によって覆う。これによって、リッジ部１２の側面では、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間には、密着層２１が介在する。この密着層２１として、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成る密着層を設ける。また密着層２１に代えて、金属材料と酸化されやすい易酸化性材料との合金材料から成る密着層を設ける。これによって、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性を向上させ、ｐ型電極１４の絶縁膜１３からの剥離を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】素子の端面からの酸化をより確実かつ容易に防止することができる半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】端面からレーザ光を出射する半導体レーザ素子を準備する準備工程と、前記半導体レーザ素子の前記端面上にアルミニウムまたはケイ素からなる下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記下地膜に窒素プラズマを照射して窒化下地膜を形成する窒化工程と、前記窒化下地膜上に誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電流非注入領域を有するリッジストライプ上に形成される電極の接触抵抗を低減し、且つ電流−光出力特性に生じる不連続な跳びを抑制すると共に、高出力動作を行えるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１上に少なくともｎ型クラッド層２、活性層４、ｐ型クラッド層６及びｐ型コンタクト層８が順次積層され、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層からなるリッジ部６ａを有している。ｐ型クラッド層の上には、リッジ部を覆うように設けられ、リッジ部の上部を選択的に露出する開口部を有する誘電体膜１０と、該誘電体膜から露出したｐ型コンタクト層の上面及び側面と接触するＰ電極９とが形成されている。誘電体膜は、リッジ部の端部を覆うことにより、活性層に注入される電流を阻止する電流非注入領域３０を有し、誘電体膜の電流非注入領域はｐ型コンタクト層と接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定性が高い、良好な放熱性を有しつつ小型化を図ることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】エアリッジ構造端面発光レーザ素子の溝部を覆う絶縁膜が１１ａと１１ｂで組成されて段差構造を有し、厚い部分の膜厚Ｈ_１と薄い部分の膜厚Ｈ_２が、０．１μｍ≦Ｈ₂≦０．７μｍ、０．１μｍ≦Ｈ_１−Ｈ₂≦３μｍの条件を満足し、厚い部分の上に電極１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー１００の前面側の共振器端面１１３に、六方晶の結晶からなる密着層１１５を積層し、密着層１１５に端面コート膜１１６を積層し、同様に背面側の共振器端面１１４にも六方晶半導体層からなる密着層１１８を積層し、密着層１１８に端面コート膜１１７を積層した構成とする。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の発光・受光部のリッジ高さが高く、リッジトップ幅も狭い場合、リッジトップ部にのみ絶縁膜の開口を設けることは難しく、メサ側面に開口が空いてしまい、メサ側面の半導体と電極金属が接触し、電流リークなどの不具合が生じていた。また、エッチング深さが深くなると、リッジトップ幅がサイドエッチングにより狭くなり、電極コンタクト面積が小さくなり、素子抵抗が増大するという問題がある。
【解決手段】複数種類の絶縁膜でリッジ側面を覆い、リッジトップ部のみに絶縁膜の開口を設けることで電流リークや信頼性の低下を防ぐことができる。また、リッジトップ幅を広く出来るため、コンタクト抵抗、素子抵抗を小さくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】リッジ側壁部の絶縁膜の剥離を防止し、ファーフィールドパターンを改善した窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体基板１０と、ＧａＮ系半導体基板１０上に配置されたｎ型半導体層（１２、１４、１６）と、ｎ型半導体層（１２、１４、１６）上に配置されたＩｎを含むＩｎＧａＮ活性層１８と、ＩｎＧａＮ活性層１８上に配置されたｐ型ＧａＮガイド層２２と、ｐ型ＧａＮガイド層２２上に配置され、リッジ形状を含むｐ型超格子クラッド層２６と、ｐ型超格子クラッド層２６のリッジ形状の側壁上に配置され、金属層または元素半導体層からなる密着層２３と、密着層２３上に配置された絶縁膜２４とを備える窒化物半導体素子１およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から発生する熱を効率的に放散して温度上昇を防止し、特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ等の半導体素子を構成する半導体薄膜１０を直接、高熱伝導特性を有する絶縁膜２上に接合すると共に、半導体薄膜１０の電極と導電性の基板１とをｎ側接続パッド２４によって電気的に接続する構造にしている。そのため、半導体素子から発生する熱が効率的に基板１へ伝導し、半導体素子の温度上昇を防止することができる。しかも、温度上昇を防止することができるので、半導体素子の特性や寿命が劣化することを防止することができ、優れた動作特性を示すと共に、信頼性が高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションダウン組立の場合に放熱性を向上させることができるマルチビーム半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０の突条部１１Ａ，１１Ｂの各々にコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを設け、パッド電極１３Ａ，１３Ｂを、突条部１１Ａ，１１Ｂおよびコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを回避して設ける。コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを、配線電極１４Ａ，１４Ｂによりパッド電極１３Ａ，１３Ｂに接続すると共に第１絶縁膜１５で覆うことにより、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂをはんだ層に直接接合することなく電気的接続を可能とする。第１絶縁膜１５の上には、金属よりなる熱伝導層１６を設けて、この熱伝導層１６とはんだ層とを接合し、ジャンクションダウン組立であっても放熱性の向上を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 実際の使用環境に近い条件で半導体レーザ装置の特性評価を行うことが可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】 光共振器を画定する２つの反射面を有する発振波長λ［ｎｍ］、実効屈折率ｎ₀のレーザ媒質の少なくとも１つの反射面上に、酸化シリコンからなる厚さｄ₁［ｎｍ］の第１の層が形成されている。第１の層の表面上に、屈折率ｎ_Siのシリコンからなる厚さｄ₂［ｎｍ］の第２の層が形成されている。第２の層の表面上に、酸化シリコンからなる厚さｄ₃［ｎｍ］の第３の層が形成されている。実効屈折率ｎ₀が３．１８以上３．２８以下であり、膜厚ｄ₁が、（０．１１−９．２×１０^-3Ｒ＋２．２×１０^-4Ｒ²）λ／１．４５±１５の範囲内であり、膜厚ｄ₂が、（−８．７×１０^-3＋３．５×１０^-3Ｒ−１．２×１０^-5Ｒ²）×（−３．６＋１７／ｎ_Si）λ±１５の範囲内であり、膜厚ｄ₃が、（０．２３−４．９×１０^-3Ｒ＋７．７×１０^-5Ｒ²）λ／１．４５±１５の範囲内であり、上式中のＲ［％］が１５以上３０以下である。 （もっと読む）